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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 바이어스 회로2025.05.161. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로 PNP형 BJT의 전압분배 바이어스 회로를 시뮬레이션하고 측정하여 동작점 전류와 전압을 분석하였습니다. 컬렉터 저항 R_C 값이 증가함에 따라 동작점이 0에 가까워지는 것을 확인하였습니다. 3. NPN형 BJT의 자기 바이어스 회로 NPN형 BJT의 자기...2025.05.16
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연산증폭기 기본 회로 결과보고서2025.04.261. 반전증폭기 실험 1에서는 반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 180도 차이나며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 또한 3dB 주파수를 측정하는 과정에서 예비보고서와 실제 실험 결과 간 차이가 큰 것을 발견하였는데, 이는 3dB 주파수 측정 방식을 제대로 이해하지 못해 발생한 것으로 판단된다. 2. 비반전증폭기 실험 2에서는 비반전증폭기 회로를 구성하고 입출력 파형을 관찰하였다. 입력 전압과 출력 전압의 위상이 같으며 이득이 10배인 것을 확인하였다. 반전증폭기와 마찬가지로 3d...2025.04.26
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전자회로실험_A+레포트_Diode Clamper & Filter2025.01.131. 다이오드 클램퍼 회로 다이오드 클램퍼 회로는 입력 신호 파형을 변화시키지 않고 일정한 레벨로 고정시키는 회로이다. 다이오드, 캐패시터, 저항이 회로에 필요하며, 캐패시터 양단의 전압이 최댓값으로 유지될 수 있도록 충분한 충전시간이 필요하다. 양의 클램퍼는 입력신호 전압에 직류 전압을 더하여 그 레벨에 고정하고, 음의 클램퍼 회로는 캐패시터 양단에 Vp(in)-0.7V만큼이 충전된다. 2. 바이어스 클램퍼 회로 바이어스 클램퍼 회로는 다이오드 클램퍼 회로에 DC 전압이 추가된 회로이다. 다이오드 방향을 바꾸어 주면서 DC 전압을...2025.01.13
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MOSFET 바이어스 회로 실험 결과 보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험 보고서는 MOSFET 바이어스 회로에 대한 내용을 다루고 있습니다. 실험을 통해 게이트 바이어스 회로와 리미팅 회로의 전류 측정 결과를 확인하였으며, PSpice 시뮬레이션 결과와 실험 결과 간의 차이에 대해 고찰하였습니다. 실험 과정에서 발생할 수 있는 오차 요인들, 예를 들어 브레드보드, 도선, MOSFET, 저항 등의 내부 저항 특성으로 인한 차이가 실험 결과와 시뮬레이션 결과의 차이를 발생시킨 것으로 분석되었습니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-S...2025.01.02
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다이오드 정류회로 실험2025.11.131. 반파 정류회로 반파 정류회로는 입력되는 정현파의 한 반주기만을 통과시키는 회로이다. 시뮬레이션 결과에서 입력전압 첨두값 10V에 대해 출력전압 첨두값은 4.35V이며, 다이오드의 커트-인 전압은 0.65V이다. 양의 반주기는 정류되고 음의 반주기는 차단되어 맥동하는 직류 출력을 생성한다. 진폭이 작은 신호의 경우 다이오드의 순방향 전압강으로 인해 출력이 제한될 수 있다. 2. 전파 정류회로 전파 정류회로는 중앙 탭 변압기와 다이오드를 이용하여 입력 신호의 양쪽 반주기를 모두 정류하는 회로이다. 변압기 2차측 전압 VA, VB가...2025.11.13
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[전자회로실험] 베이스 접지 증폭기 및 이미터 폴로워 회로 결과보고서2025.04.261. 베이스 접지 증폭기 베이스 접지 증폭기 실험을 통해 입력 저항이 낮고 출력 저항이 큰 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값을 나타냈지만 출력 저항의 경우 차이가 발생했습니다. 하지만 입력 저항보다 훨씬 작은 값을 가진다는 점은 공통적이었습니다. 2. 이미터 폴로워 회로 이미터 폴로워 회로 실험을 통해 입력 저항이 높고 출력 저항이 낮은 회로 특성을 확인했습니다. 실험 결과, 전압 이득과 입력 저항 값은 이론값, 시뮬레이션값, 실험값이 모두 근사한 값...2025.04.26
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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