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BJT 기본 특성 실험 결과 보고서2025.01.291. NPN형 BJT의 전류-전압 특성 NPN형 BJT는 베이스-에미터 전압 VBE가 약 0.7V 이상일 때 동작을 시작한다. 이때 베이스 전류 IB가 흐르며, 이 작은 전류로 큰 콜렉터 전류 IC를 제어할 수 있다. 콜렉터 전류는 베이스 전류의 증폭된 값으로, IC = βIB의 관계를 따른다. 출력 전압 VO는 공급 전압 VCC에서 콜렉터 저항 RC에 의해 결정되며, VO = VCC - ICRC로 계산된다. 콜렉터 전류가 커지면 출력 전압이 줄어들어 트랜지스터는 출력 전압을 제어할 수 있다. 2. PNP형 BJT의 전류-전압 특성...2025.01.29
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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT의 전류-전압 특성2025.05.161. NPN형 BJT의 I_C-V_CE 특성 NPN형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. NPN형 BJT의 공통이미터 DC 전류이득 beta_DC,sim과 공통베이스 DC 전류이득 alpha_DC,sim을 시뮬레이션 결과에서 구하고, 측정 결과에서 구한 beta_DC,meas와 alpha_DC,meas와 비교하였다. 2. PNP형 BJT의 I_C-V_CE 특성 PNP형 BJT의 I_C-V_CE 출력 특성 곡선을 그래프로 그리고, 시뮬레이션 결과와 비교하였다. PNP형 BJT의 ...2025.05.16
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 결과보고서2025.01.151. 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT) 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 2. BJT의 기본 특성 실험 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통해 확인한다. 3. BJT의 동작...2025.01.15
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전자공학실험 9장 MOSFET 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 2. NMOS 전류-전압 특성 NMOS의 경우 VGS-Vth>0일 때부터 차단 영역을 벗어나 전류 ID가 흐르기 시작한다. VDS가 증가함에 따라 전류 ID는 linear하게 증가하다가 포...2025.01.15
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 예비보고서2025.01.071. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 전자 소자의 기본 구성 요소 중 하나입니다. 이 실험에서는 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과를 통해 PN 접합 다이오드의 동작 영역, 등가 회로 파라미터 등을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 PN 접합 다이오드의 기본적인 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 상태에서 일정 전압 이상이 가해지면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가진 전자 소자입니다. 이 실험에서는 제너 다이오드의 전류-전압 ...2025.01.07
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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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실험 09_MOSFET 기본 특성 결과보고서2025.04.281. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있습니다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있습니다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하였습니다. 2. NMOS와 PMOS의 문턱 전압 차이 NMOS의 ...2025.04.28
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다이오드의 응용 실험 보고서2025.01.021. 정류회로 정류회로는 다이오드 응용의 가장 간단한 예이다. 다이오드의 전류-전압 특성곡선을 이상화하면 다이오드는 양단에 걸리는 전압의 극성에 따라 단락이 되기도 하고 개방이 되기도 한다. 반파 정류회로는 입력신호가 양인 경우만 취하고 음일 때는 버린다. 그러나 출력 전압 V_L도 입력 전압 v_i와 마찬가지로 주기함수이므로 푸리에 급수로 전개할 수 있다. 1. 정류회로 정류회로는 교류(AC) 전압을 직류(DC) 전압으로 변환하는 중요한 전자 회로입니다. 이를 통해 다양한 전자 기기와 시스템에서 안정적인 전원 공급이 가능해집니다....2025.01.02
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전자회로실험 예비 1주차2025.05.161. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만든다. P형 반도체는 acceptor doping으로, N형 반도체는 donor doping으로 만들어진다. P형에서는 정공(hole)이 majority carrier이고, N형에서는 전자(electron)가 majority carrier이다. 정공과 전자가 접합을 가로질러 확산하면서 diffusion current를 형성하고, 이에 따라 depletion region과 E-field가 생성된다. P형 영역은 anode, N형 영역은 cathode...2025.05.16
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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