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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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반도체 공정 term project2025.05.101. DC/RF sputtering 스퍼터링은 Chamber내에 공급되는 가스에서 발생되는 전자 사이의 충돌로부터 시작된다. 그 과정을 보면 Vacuum Chamber내에 Ar gas와 같은 불활성기체를 약 2~5mTorr 넣는다. 음극에 전압을 가하면 음극에서부터 방출된 전자들이 Ar기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 들뜬 상태가 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이때 글로우방전이 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 보인다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해 음극인 target쪽으로 가...2025.05.10
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스퍼터링(Sputtering) 이론레포트2025.05.081. 스퍼터링 기법의 장점 스퍼터링 기법은 CVD 기법에 비해 저온 증착이 가능하며, 열에 약한 물질이나 고융점 물질에도 쉽게 박막을 형성할 수 있다. 또한 넓은 면적에서 균일한 두께의 박막 증착이 가능하고, 박막 두께 조절이 쉬우며 성분 조절이 용이하다. 하향 증착과 수평 방향 증착이 가능하고, 진공 증착 기법에 비해 박막의 순도가 높다. 2. 스퍼터링 기법의 단점 스퍼터링 기법의 단점은 증착 속도가 다소 느리고, Ar 이온이 타겟 표면과 화학 반응을 하여 화합물 층을 형성할 수 있어 증착 속도에 영향을 줄 수 있다. 또한 고전압...2025.05.08
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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Metallization (반도체)2025.05.081. Contacts Contacts는 반도체 내부로 전기 신호가 들어가고 나오게 하는 역할을 합니다. Schottky 접합과 ohmic 접합이 있으며, Schottky 접합은 p-n 접합과 유사하고 ohmic 접합은 V=IR 관계를 따릅니다. 2. Interconnects Interconnects는 칩 내의 다양한 소자와 구성 요소를 연결하는 역할을 합니다. 박막 증착 기술로는 물리적 기상 증착(증발), 스퍼터링, 화학 기상 증착 등이 있습니다. 3. Physical Vapor Deposition (PVD) PVD는 진공 환경에서...2025.05.08
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유기소재실험2_고분자_박막_제조2025.05.141. 박막의 정의 일상생활에서 만나는 얇은 막 형태의 물체, 전자레인지에 쓰이는 랩이라든지 알루미늄 호일, 물 위의 기름 막 등은 넓은 의미로 박막이라고 한다. 좁은 의미의 박막은 두께가 약 1㎛ 이하의 인공적으로 만들어진 고체의 박막으로 한정한다. 1㎛이상의 막은 후막이라고 한다. 2. 박막 제조 방법 1) 진공증착법 : 진공 중에서 물질을 가열하여 증발시킴으로써 그 증기를 기판 위에 응축시켜서 박막을 제작하는 방법이다. 2) 스퍼터링(Sputtering)법 : 원자 또는 분자 레벨의 입자가 큰 에너지를 갖고 고체와 충돌할 때에 ...2025.05.14
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Film growth (반도체)2025.05.081. Epitaxy Epitaxy는 epi(위에) + taxis(배열)의 합성어로, 결정성 기판 위에 단결정 박막을 성장시키는 기술을 의미한다. 호모에피택시는 동일한 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용하며, 헤테로에피택시는 서로 다른 물질로 이루어진 기판과 박막을 사용한다. 에피택시 성장에서는 격자 불일치로 인한 응력 완화와 임계 두께 등의 개념이 중요하다. 2. Molecular Beam Epitaxy (MBE) MBE는 초고진공 환경에서 분자 빔을 이용하여 반도체 박막을 에피택시 성장시키는 기술이다. MBE는 낮은 성장 속도, ...2025.05.08
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MOS 캐패시터 및 트랜지스터 반도체 실험2025.12.111. 반도체 공정 기술 스퍼터링(Sputtering)은 물리적 기상 증착 공정으로 플라즈마 내의 고에너지 이온이 타겟 표면과 충돌하여 입자를 기판에 증착시킨다. 원자층 증착(ALD)은 자기 포화 화학흡착을 이용하여 원자 단위의 얇은 막을 증착하며, 포토리소그래피는 마스크를 통해 빛을 조사하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정이다. 이 세 공정은 현대 반도체 제조의 핵심 기술이다. 2. MOS 캐패시터 특성 MOS 캐패시터는 금속-산화물-반도체 구조로 이루어지며, C-V 곡선을 통해 기판의 도핑 타입을 판별할 수 있다. 강반전 상태...2025.12.11
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Perovskite(페로브스카이트) Solar Cell의 기술 동향2025.05.161. Perovskite Solar cell의 원리와 구조 Perovskite는 ABX3 화학식을 갖는 결정구조로, FCC와 BCC가 혼합된 결정구조를 가지고 있다. A는 유기 양이온, B는 Pb or Sn과 같은 금속 양이온, X는 I와 같은 할로겐 음이온으로 구성된다. Perovskite Solar cell(PSC)은 이러한 페로브스카이트 결정 구조의 유무기 혼합 재료를 광활성층으로 이용하는 차세대 태양전지이다. Perovskite 박막 형성을 위해 용액 공정 또는 thermal evaporation을 사용하며, 100℃~150...2025.05.16