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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.171. 전류 미러 회로 집적회로에서 공통의 정전류원으로 생성된 기준 전류를 복사하여 각 회로에 일정 전류를 공급하는 회로. NPN 또는 PNP 트랜지스터 사용 여부와 부하저항 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 구분된다. 두 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(VBE)이 동등하면 에미터 전류와 콜렉터 전류도 같아져 전류가 복사되는 원리로 동작한다. 2. JFET 전류원 JFET를 이용한 전류원 회로로, 부하저항(RL) 값을 변경하며 드레인-소스 간 전압(VDS)과 부하전류(IRL)를 측정하는 실험. 51Ω에서 20Ω, 82Ω, 1...2025.11.17
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. 전류원 회로 회로이론에서 부하에 무관하게 일정한 전류를 공급하는 전류원을 사용한다. JFET 전류원에서는 충분한 전압 VDD가 공급될 때 VGS=0V이므로 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐른다. BJT 전류원 회로에서는 에미터 저항 RE가 베이스 저항들에 비해 B배 크므로 RE의 영향을 무시할 수 있어 VB가 일정한 전압이 된다. 에미터 전압과 전류는 VE=VB-0.7V, IE=(VE-(-10))/RE≈IL로 표현된다. 2. 전류 미러 회로 전류 미러 회로는 저항 Rx를 흐르는 전류가 부하 RL에 똑같이...2025.11.16
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. FET 전류원 FET 전류원 실험에서 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐르는 특성을 확인했다. 표 13-1의 측정값에서 20Ω부터 3.6kΩ까지의 다양한 부하저항에서 전류값이 안정적으로 유지되었으며, 이는 ID=IDSS 식으로 표현된다. 완전히 이상적인 전류원은 아니지만 필요한 전류량을 공급할 수 있는 실용적인 전류원으로 간주할 수 있다. 2. BJT 전류원 BJT 전류원은 부하저항에 관계없이 약 1mA의 일정한 전류를 유지한다. 이는 BJT가 정상 동작하기 위해 일정한 베이스-에미터 전압이 필요하기 때문...2025.11.16
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전류원 및 전류 미러 회로 예비결과보고서2025.01.021. 전류원 전류원(current source)는 상황에 관계없이 항상 일정한 전류를 보내려고 하는 회로를 의미한다. 이상적인 전류원의 경우 상황에 영향을 받지 않겠지만 현실에서는 상황에 따라 전류에 영향을 주기도 한다. 대표적인 전류원으로 BJT, FET가 있다. 전류원의 내부 임피던스(Zin)가 작을수록 좋으며, 내부 임피던스는 최대한 크게 해줄수록 좋다. JFET 전류원은 드레인-소스 포화전류에서 동작하도록 바이어스된 JFET를 사용하며, BJT 전류원은 트랜지스터의 특성을 이용하여 구현한다. 2. 전류 미러 전류 미러는 한쪽...2025.01.02
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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터이며, 유니폴라 소자로 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하게 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상 일정한 전류를 ...2025.04.30
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울산대학교 전기전자실험 13. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. JFET 전류원 JFET을 이용한 회로에서 부하저항을 20Ω, 100Ω, 150Ω으로 변경해가며 전류를 측정했을 때 10.1mA, 10.3mA, 10.2mA으로 저항값의 변화에도 관계없이 약 10mA의 전류를 공급해줄 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 이는 JFET 전류원 회로가 부하저항 변화에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 공급할 수 있음을 보여준다. 2. BJT 전류원 BJT를 이용한 회로에서 부하저항을 3.6kΩ과 5.1kΩ으로 변경하면서 전류를 측정했는데 두 회로 모두 1.04mA의 전류가 측정되었다. 이를 통해 B...2025.01.12
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서강대학교 22년도 전자회로실험 11주차 결과레포트2025.01.131. 전류원 및 전류미러 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동 증폭기분반조학번이름시작15:00종료17:30실험시작/종료시간 기재(통계목적임)예비보고서는 아래 각 문항 중 (예비)라고 되어 있는 부분을 수행하여 작성한다.결과보고서는 측정결과 및 분석을 추가하고, 설계과제를 수행하여 결과를 작성한다.회로 구성 사진 및 측정화면 사진은 실험 조원의 학생증 등 ID 가 보이도록 촬영함 2. MOSFET 차동 증폭기 전자회로실험 예비/결과 보고서실험 11주차. 전류원 및 전류미러/MOSFET 차동...2025.01.13
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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[A+] 전자회로설계실습 8차 결과보고서2025.05.101. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤에 DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류, 저항 등을 측정 및 기록하였다. 단일 Current Mirror의 전류 오차는 0.6%였고, 10mA에 근접하여 저항 값을 조절하지 않아도 되었다. 측정한 결과를 통해 단일 Current Mirror의 출력 저항을 계산할 수 있었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계...2025.05.10
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