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A+받은 에미터 공통 증폭기 전압이득 결과레포트2025.05.101. 에미터 공통 증폭기 회로 실험을 통해 에미터 공통 증폭기 회로의 전압이득 특성을 확인하였습니다. PSPICE 시뮬레이션 결과와 실험 결과를 비교하여 분석하였으며, 입력전압과 출력전압의 위상 차이, 전압이득 등을 확인하였습니다. 실험에 사용된 소자와 시뮬레이션에 사용된 소자의 특성 차이로 인해 약간의 오차가 있었지만, 에미터 공통 증폭기 회로의 기본적인 동작 원리를 이해할 수 있었습니다. 1. 에미터 공통 증폭기 회로 에미터 공통 증폭기 회로는 트랜지스터를 이용한 기본적인 증폭 회로 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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OP-AMP를 이용한 복합 증폭 실험 결과 보고서2025.01.051. 가산 증폭 회로 가산 증폭 회로는 반전 증폭 회로의 한 종류로, 입력단자를 하나 더 추가한 회로입니다. 이 회로에서 출력전압 Vo는 입력전압 V1, V2, V3의 합에 비례하여 증가합니다. 실험을 통해 가산 증폭 회로의 동작을 확인하고, 이론값과 측정값의 오차율을 계산하였습니다. 2. OP-AMP 특성 및 활용 이번 실험에서는 OP-AMP의 다양한 증폭 기능을 확인하였습니다. 741 모델과 158 모델의 차이점을 비교하였고, 반전 증폭과 비반전 증폭 파형을 측정하였습니다. 실험 결과 OP-AMP의 특성을 잘 이해할 수 있었고,...2025.01.05
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교류및전자회로실험 실험 5-2 다이오드 정류회로 예비보고서2025.01.171. 반파정류회로 반파정류회로는 가장 간단한 형태의 정류회로로, 교류전원과 부하 사이에 다이오드를 직렬로 삽입한 형태입니다. 다이오드는 한 방향으로만 전류를 흘릴 수 있는 특성을 가지고 있어, 교류를 직류로 변환하는 데 사용됩니다. 이 회로에서 입력전압이 양인 구간에는 다이오드가 도통하여 부하에 전압이 인가되지만, 입력전압이 음인 구간에서는 다이오드에 의해 전류가 차단되어 부하에 전압이 인가되지 않습니다. 따라서 부하전압은 항상 0보다 크거나 같은 전압으로 되며, 평균적으로 직류가 됩니다. 2. 브릿지 정류회로 반파정류회로의 경우 ...2025.01.17
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서2_Op Amp의 특성측정 방법 및 Integrator 설계2025.01.111. Op Amp의 특성 측정 이 실험에서는 Op Amp의 특성을 측정하고 분석하였습니다. Offset Voltage, Offset Current와 같은 Op Amp의 한계를 이해하고, Integrator 회로에서 발생하는 Slew-rate 현상을 실험적으로 측정하였습니다. 실험 결과를 이론값과 비교 분석하여 Op Amp의 내부 구조와 작동 원리에 대해 이해할 수 있었습니다. 2. Integrator 회로 설계 Integrator 회로를 설계하고 실험하였습니다. RF 값에 따른 출력 파형의 변화를 관찰하고, PSPICE 시뮬레이션 ...2025.01.11
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전자회로실험_A+레포트_Diode Clamper & Filter2025.01.131. 다이오드 클램퍼 회로 다이오드 클램퍼 회로는 입력 신호 파형을 변화시키지 않고 일정한 레벨로 고정시키는 회로이다. 다이오드, 캐패시터, 저항이 회로에 필요하며, 캐패시터 양단의 전압이 최댓값으로 유지될 수 있도록 충분한 충전시간이 필요하다. 양의 클램퍼는 입력신호 전압에 직류 전압을 더하여 그 레벨에 고정하고, 음의 클램퍼 회로는 캐패시터 양단에 Vp(in)-0.7V만큼이 충전된다. 2. 바이어스 클램퍼 회로 바이어스 클램퍼 회로는 다이오드 클램퍼 회로에 DC 전압이 추가된 회로이다. 다이오드 방향을 바꾸어 주면서 DC 전압을...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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전자회로실험 A+ 6주차 결과보고서(BJT Operations-Large/Small signal Operation)2025.05.101. BJT 회로의 Large/Small signal 분석 이 실험에서는 BJT 회로의 Large signal과 Small signal 분석 방법을 익히고, 실험을 통해 BJT의 VCE-IC 특성곡선을 측정하고 Small-signal 모델 파라미터를 계산하였다. 또한 Small-signal 이득을 측정하고 이론값과 비교하였다. 실험 결과, BJT 회로에서 Early 효과로 인해 VCE가 증가함에 따라 IC가 조금씩 증가하는 것을 확인하였다. 또한 Small-signal 모델에서 계산한 이득과 실험으로 측정한 이득을 비교하여 바이어스...2025.05.10
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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RC 정현파 발진 회로 실험 결과보고서2025.01.041. RC 정현파 발진 회로 이번 실험의 목표는 윈브릿지 발진기 회로의 특성을 이용하여 RC 발진회로의 개념을 이해하고 발진기의 공진주파수를 알아보는 것입니다. 실험 결과, 정귀환 루프에서 Z1 = R4+XC, 1/Z2 = 1/R3 + 1/XC 관계식을 통해 V+/VO = {R3sC}/(R4sC + R4R3(sC)2 + 1 + sCR3 + sCR3)를 도출할 수 있었습니다. 이론적으로 계산한 공진주파수는 1.176kHz였지만, 실험 결과 1.078kHz로 약 100Hz 정도의 차이가 있었습니다. 이는 저항과 커패시터 값의 오차, 브...2025.01.04
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