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기초전자회로실험 (전체리포트)2025.01.181. 전자회로 기본 실험 이번 실험에서는 전자회로의 기본적인 계측기 사용법과 직병렬 회로, 다이오드 회로 설계 및 기판 납땜 실습을 진행했습니다. 저항, 멀티미터, 파워서플라이, 브레드보드 등의 기본 소자와 회로 구성 방법을 익혔고, 전압 분배 법칙, 전류 분배 법칙, KVL, KCL 등 전자회로의 기본 이론을 학습했습니다. 또한 다이오드의 특성과 정류 회로에 대해서도 실험을 진행했습니다. 2. 트랜지스터 특성 실험 2주차에는 트랜지스터의 종류와 리드선 확인, 트랜지스터 회로 구성 및 전압/전류 측정 실험을 진행했습니다. 트랜지스터...2025.01.18
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교류및전자회로실험 실험10-2 트랜지스터 증폭회로2 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 이 실험에서는 common-collector 형태의 emitter follower 회로와 Darlington amplifier를 구현하고 그 동작을 확인하여 트랜지스터 증폭회로에 대한 이해를 높였습니다. 이를 통해 입력 임피던스, 출력 임피던스, buffer의 개념을 심화하였습니다. 2. emitter follower 회로 emitter follower 회로는 신호의 크기를 증폭하지는 않지만, 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 가져 신호원의 교류신호가 부하에 그대로 전달되도록 하는 역할을 합니다. ...2025.01.17
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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연산증폭기의 특성 예비보고서2025.01.061. 슬루율 슬루율은 계단 파형 전압이 인가되었을 때 출력전압의 시간에 따른 최대변화율을 나타내는 지표입니다. 슬루율이 높을수록 증폭기의 주파수 응답이 좋습니다. 실험에서는 PSPICE 시뮬레이션과 실험을 통해 uA741 연산증폭기의 슬루율을 측정하고, 데이터시트 값과 비교하였습니다. 2. 공통모드 제거비 공통모드 제거비(CMRR)는 연산증폭기 회로 설계에서 중요한 지표입니다. 입력단자에 같은 신호가 인가되는 공통모드 상황에서 증폭기의 출력전압이 0이 되어야 하지만, 실제로는 완벽하지 않기 때문에 공통모드 이득이 발생합니다. CMR...2025.01.06
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교류및전자회로실험 실험4-2 페이서 궤적 예비보고서2025.01.171. 교류회로의 측정 교류회로 내에서 임피던스 변화에 따른 페이서의 변화를 추적함으로써 교류회로의 동작과 임피던스의 주파수특성에 대한 이해를 높임. 전류의 페이서는 리액턴스가 변화한 때 반지름이 1/2R로 주어지는 원주선상에서 이동하며, 저항이 변화할 때는 두 개의 원을 그리게 됨. 주파수 변화에 따라 리액턴스가 전체적으로 용량성이 되면 페이서가 원의 윗부분에, 그리고 리액턴스가 전체적으로 유도성이 되면 페이서가 원의 아래부분에 위치하게 됨. 2. 페이저 궤적 분석 실험을 통해 다양한 조건에서의 페이저 궤적을 확인함. 인덕터 값, ...2025.01.17
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 62025.01.041. 게인(Gain) 게인은 출력이 입력과 닮은꼴일 때만 의미가 있다. 그러나 입력전압이 10 mVpp인 경우 출력파형이 왜곡되므로 게인의 의미가 없어진다. 입력신호의 크기를 줄이기 위해 입력단자와 접지 사이에 50 Ω보다 작은 저항 Ri를 연결한 회로에 대해 분석할 필요가 있다. 1. 게인(Gain) 게인은 전자 회로에서 매우 중요한 개념입니다. 게인은 입력 신호의 크기를 증폭시켜 출력 신호의 크기를 늘리는 것을 의미합니다. 이를 통해 약한 신호를 강화할 수 있어 다양한 전자 장치에서 활용됩니다. 예를 들어 오디오 증폭기에서는 게...2025.01.04
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서강대학교 고급전자회로실험 7주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. Sampling 및 Aliasing 실험 결과 보고서에서는 다양한 샘플링 주파수에 따른 음 재생 결과를 확인하였습니다. 샘플링 주파수가 낮아질수록 aliasing 현상이 발생하여 원래의 음이 왜곡되는 것을 관찰할 수 있었습니다. 또한 하모닉 성분을 추가하여 음색을 변화시킨 경우에도 유사한 결과를 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 aliasing을 줄이기 위해서는 최고 주파수 fmax를 낮추거나 샘플링 주파수 fs를 높이는 것이 필요하다는 것을 알 수 있었습니다. 1. Sampling 및 Aliasing Sampling 및 al...2025.01.21
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서42025.01.111. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 준비물로는 DC Power Supply, Digital Multimeter, 연결선, Breadboard, MOSFET 소자, 저항 등이 필요합니다. 보고서에서는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서72025.01.111. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가한다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력 파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성한다. 또한 저항 및 커패시터 값 변화에 따른 주파수 특성의 변화를 확인한다. 1. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Common Emitter Amplifier는 가장 널리 사용되는 트랜지스터...2025.01.11
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MOSFET 소자 특성 측정2025.05.141. MOSFET 특성 측정 실험을 통해 MOSFET의 Threshold voltage, k_n, g_m 등의 특성을 측정하였다. Threshold voltage는 2.0V와 2.1V 사이의 값을 가지는 것으로 확인되었고, k_n은 0.222A/V^2, g_m은 0.133S로 측정되었다. 또한 drain-source 전압에 따른 drain 전류의 변화를 관찰하여 triode 영역과 saturation 영역에서의 MOSFET 동작 특성을 확인하였다. 다만 전류 측정의 정확도 한계로 인해 k_n과 g_m 값에서 오차가 발생하였고, 출력...2025.05.14
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