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탄소나노튜브의 구조와 성질2025.01.181. 탄소나노튜브의 구조 탄소나노튜브(Carbon Nanotube; CNT)는 탄소로 이루어진 물질로, 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있다. 튜브의 직경이 나노미터 수준으로 극히 작은 영역의 물질이다. 탄소나노튜브는 단중벽, 이중벽, 다중벽, 다발형 등 구조에 따라 다양한 형태로 존재한다. 2. 탄소나노튜브의 전기적 성질 탄소나노튜브는 양자거동을 보이며 획기적인 전도성(ballistic conductance)을 가진다. 금속성 탄소나노튜브의 저항은 매우 낮으며, 안정된 전류밀도를 보인다...2025.01.18
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 82025.01.041. N-Type MOSFET을 이용한 Current Mirror 설계 이 보고서의 목적은 N-Type MOSFET을 사용하여 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 current mirror를 이용한 전류원의 전기적 특성을 이해하는 것입니다. 보고서에는 Current Source 회로 설계를 위한 2N7000 MOSFET의 특성 분석, IREF = 10 mA인 전류원 설계를 위한 VGS 및 R1 값 계산 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. N-Type MOSFET을 이용한 ...2025.01.04
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Capacitor의 전기적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Capacitor의 전기적 특성 Capacitor는 전기장으로 에너지를 저장하는 수동 소자이며 두 개의 전도체 판 사이에 절연체가 끼어있는 구조입니다. 전하를 저장할 수 있는 능력을 전기용량(Capacitance) C라고 하며 용량이 클수록 같은 전압에서 더 많은 전하를 저장할 수 있습니다. Capacitor에 충전될수록 양단 전압이 상승하게 되며 전류와 전압의 관계를 수식으로 나타낼 수 있습니다. Capacitor와 저항을 직렬로 구성된 회로에 직류 전압을 인가하면 Capacitor 양단 전압은 전하량에 비례하여 지수함수적으...2025.01.12
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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신소재프로젝트2 세라믹 A+ 예비레포트2025.01.041. 재료의 임피던스 재료는 고유의 전기전도도(σ)와 유전율(ε)값을 갖고 있으며, 이를 통해 물질의 저항(R)과 커패시턴스(C)를 알 수 있다. 이러한 전기적 특성은 재료의 임피던스 정보에 포함되며, 등가회로를 통해 분석할 수 있다. 2. 임피던스 임피던스는 교류 전압과 교류 전류를 통해 얻어지는 교류저항(Z)을 의미한다. 복소평면에서 실수부(직류 저항 R)와 허수부(리액턴스 X)로 나타낼 수 있으며, 주파수에 따라 그 값이 달라진다. 이러한 주파수 의존성을 분석하는 것이 임피던스 분광법이다. 3. RC병렬회로의 임피던스 R, C...2025.01.04
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[신소재공학과]반도체특성평가_신소재공학실험III_A+2025.05.101. 태양전지 구조 태양전지는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 광전(photo-voltaic)소자로 일반적으로 하나의 접합 실리콘 태양전지는 최대 약 0.5~0.6V의 개로전압(open-circuit voltage)를 생산할 수 있다. 태양전지에 사용되는 물질은 1.5eV에 가까운 밴드갭(Eg)을 가져야하며 대표적으로 실리콘, GaAs, CdTe, CulnSe2 등이 사용된다. 태양전지 소자의 구조는 N-Type Layer와 P-Type Layer가 위아래로 있으며 그 접합부에는 P-N Junction이 생겨 전류가 발생할 수 ...2025.05.10
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Diode의 전기적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험을 통해 다이오드의 정방향 Bias 특성, 다양한 회로적 모델링, Avalanche Breakdown과 Zener Breakdown의 차이, Zener Diode의 동작 특성 등을 이해하고 다이오드와 Zener Diode의 전압-전류 특성을 파악하였다. 2. 다이오드의 용도 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 '체크 밸브' 역할을 하며, 정류기로 사용되어 AC를 DC로 변환하는 데 활용된다. 또한 다이오드는 온도 센서나 기준 전압 발생기로도 사용될 수 있다. 3. Zener Diode의 특...2025.01.12
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도체와 유전체의 전기적 특성 및 생활 제품 활용2025.05.051. 도체의 전기적 특성 도체는 전류가 흐르기 쉬운 물질로, 전기적으로 양성자와 음성전하를 모두 용이하게 이동시킬 수 있다. 이를 전기전도성이라고 한다. 또한 도체는 전기장이 인가되면 그 방향과 관계없이 일정한 전위차를 유지할 수 있는데, 이를 전기저항이라고 한다. 도체는 전기장에 의해 전하를 저장할 수 있는 전하 저장능력과 자기장을 생성할 수 있는 자기적 전도성도 가지고 있다. 2. 유전체의 전기적 특성 유전체는 전기적으로 중성이며, 전기적으로 충전되지 않은 상태에서 전기장이 인가되면 전하를 저장할 수 있는 전기용량이 있다. 유전...2025.05.05
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[A+] 전자회로설계실습 8차 결과보고서2025.05.101. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 단일 Current Mirror를 직접 설계한 뒤에 DMM을 사용하여 설계한 회로의 전압, 전류, 저항 등을 측정 및 기록하였다. 단일 Current Mirror의 전류 오차는 0.6%였고, 10mA에 근접하여 저항 값을 조절하지 않아도 되었다. 측정한 결과를 통해 단일 Current Mirror의 출력 저항을 계산할 수 있었다. 2. Cascode Current Mirror 구현 및 측정 NMOS를 이용하여 Cascode Current Mirror를 직접 설계...2025.05.10
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재료공학기초실험(1)_면저항실험_반데르발스_4point probe2025.05.101. 면저항의 정의 얇은 박막의 저항을 측정하는 것이다. (박막: 두께가 1마이크로 내외) R = (ρ/τ)(L/W) = Rs(L/W) (R=V/I) Rs = (ρ/τ) * 비저항(ρ) : 단위면적당 단위길이당 저항이다. 즉, 가로, 세로, 높이의 길이를 모두 1cm로 통일한 후 resistivity를 구하는 것이다. 비저항의 의의는 똑같은 크기로 만들어서 서로 다른 재료간의 저항을 비교할 수 있다는 것이다. 2. Van der pauw's method 대표적인 면저항 측정 방법 중 하나로, A와 B에 전류를 흘리고, C와 D에 전...2025.05.10
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