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서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)2025.01.211. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 실험 1에서는 nMOS 정전류원 회로를 구성하고 RREF 값에 따른 IREF 전류를 측정하였다. 실험 결과 RREF가 200Ω일 때 IREF가 20mA에 가장 가까운 값을 가짐을 확인하였다. 또한 VX 변화에 따른 ISS 전류를 측정하여 VX가 0.7V 이상일 때 ISS가 거의 일정한 값을 유지함을 확인하였다. 이를 통해 channel length modulation 효과로 인해 실제 전류원 회로에서는 이상적인 정전류원 특성이 나타나지 않음을 알 수 있었다. 실험 2에서는 차동증폭기의...2025.01.21
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[전자공학응용실험]5주차_4차실험_실험 14 캐스코드 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 학습하고, MOSFET을 사용한 캐스코드 증폭기의 특성을 실험을 통해 측정합니다. 캐스코드 증폭기의 입출력 전압 전달 특성을 계산하고, 소신호 등가 회로 개념을 적용하여 전압 이득을 계산한 후 실험을 통해 이를 검증합니다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 유지하기 위한 바이어스 회로도 학습하고, 실험을 통해 동작을 확인합니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 저항, 낮은 출력 저항, 그리고 높은 ...2025.01.29
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홍익대학교 전자회로2 Term project OPAMP 설계2025.05.151. 전자회로 설계 이 프로젝트에서는 주어진 샘플 값을 바탕으로 기본적인 특성을 도출하고, 이를 토대로 OPAMP 회로를 단계적으로 설계하고 최적화하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 트랜지스터 사이즈 조정, 바이어스 전류 및 저항/커패시터 값 변경을 통한 이득, 대역폭, 전력 소비, 입력 오프셋 전압, 위상 여유 등의 조건 만족을 위한 회로 설계 과정이 포함되어 있습니다. 1. 전자회로 설계 전자회로 설계는 전자 기기와 시스템을 구현하는 데 있어 매우 중요한 역할을 합니다. 회로 설계 과정에서는 회로의 기능, 성능, 효율...2025.05.15
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전기전자공학실험-공통 이미터 트랜지스터 증폭기2025.04.301. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 공통 이미터 (common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 회로는 널리 이용된다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. 교류 신호 전압 이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 등의 특성을 분석하고 측정하는 실험을 수행하였다. 실험 결과를 통해 공통 이미터 증폭회로의 동작 원리와 특성을 이해할 수 있었다. 2. BJT 트랜지스터 모델링 BJT 트랜지스터의 실질적인 역할을 모델링하기 위해 적절한 회로 성분을 선택하...2025.04.30
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서강대학교 22년도 전자회로실험 9주차 결과레포트2025.01.131. MOSFET 특성 및 바이어스 회로 MOSFET은 p-type substrate 위에 n+의 source, drain단자를 구성하고, 채널과 oxide로 분리되어있는 Gate를 이용해 channel에 전류가 흐르는 것을 조절하는 3 terminal device이다. NMOS의 ID – VDC 특성에서 VG가 threshold voltage Vth보다 크다면, n-channel이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐를 수 있다. 이때 VDS에 따라 MOS의 동작 영역이 triode region과 saturation regio...2025.01.13
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전자공학실험 10장 MOSFET 바이어스 회로 A+ 결과보고서2025.01.151. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며, 이 때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. 게이트 바이어스 회로 실험회로 1에서 VGG값이 4V, RD는 4kΩ으로 두고, 드레인 전압이 8V, 드레인 전류가 1mA가 되도록 RS, R1,...2025.01.15
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BJT의 에미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스 회로2025.01.121. 에미터 바이어스 회로 에미터 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에 저항을 하나 추가한 형태로 만들 수 있으며, 고정 바이어스 회로보다 안정된 동작을 보여준다. 에미터 바이어스 회로에서는 β값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 2. 콜렉터 궤환 바이어스 회로 콜렉터 궤환 바이어스 회로는 고정 바이어스 회로에서 베이스 저항을 콜렉터로 궤환시킨 구조로, 적은 부품을 사용할 수 있으며 안정된 동작을 보여준다. 콜렉터 궤환 바이어스에서는 I_C값이 안정적이라는 것을 관찰할 수 있었다. 3. 바이어스 회로 비교 7장과 8장에서 실험...2025.01.12
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전자공학실험 14장 캐스코드 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. 바이어스 회로 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭...2025.01.13
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[전자회로실험] 바이어스 해석 결과보고서2025.04.261. 트랜지스터 동작 영역 실험을 통해 트랜지스터의 동작 영역을 파악하였다. 트랜지스터가 능동 영역에서 동작하기 위한 Vbb의 범위를 구하고, 능동 영역에서의 Ic 값을 구하였다. 또한 트랜지스터가 포화 영역에서 동작할 때의 Vce를 구하고 데이터시트 값과 비교하였다. 2. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서 Vb, Vc, Ic 등의 값을 측정하고 계산하였다. 실험값과 이론값, 시뮬레이션 값 사이에 차이가 있었는데, 이는 실험 과정에서의 오류로 인한 것으로 보인다. 3. 저항 분할 바이어스 회로 저항 분할 바이어스 회로에서도...2025.04.26
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전자회로실험 A+ 10주차 결과보고서(BJT Amp Biasing)2025.05.101. Frequency Response of Common Emitter Amplifier CE amplifier에서 VOUT 은 VIN 과 비교했을 때 Phase difference가 180도이다. VCE의 크기는 IC가 커지면 작아지고, IC가 작아지면 증가한다. VCE = VCC – IC*RC의 공식을 통해 확인할 수 있다. Bandwidth는 연속 주파수 집합에서 상한 주파수와 하한 주파수 간의 차이이다. 일반적으로 Hz 단위로 측정되며 상황에 따라 passband bandwidth, baseband bandwidth을 가리킨...2025.05.10
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