
Hall effect 결과보고서
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2023.04.06
문서 내 토픽
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1. Hall effectHall effect 실험을 통해 Negative Type과 Positive Type 반도체의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient를 계산하고 N-type과 P-type 반도체의 차이점을 살펴보고 Hall effect의 원리를 이해하고자 하였다. 실험 결과 자기장을 증가시킬수록 Hall voltage가 선형적으로 증가하였고, 전류값이 증가할수록 Hall voltage도 증가하였다. 또한 p-type의 Hall voltage는 양수, n-type의 Hall voltage는 음수로 나타나 각각의 전하 운반자가 양공과 전자임을 확인할 수 있었다. 계산한 Hall coefficient와 carrier density 값을 통해 p-type과 n-type 반도체의 특성을 비교할 수 있었다.
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1. Hall effectThe Hall effect is a fundamental physical phenomenon that has numerous applications in various fields of science and technology. It occurs when a current-carrying conductor is placed in a magnetic field, and a voltage difference is generated perpendicular to both the current and the magnetic field. This effect was discovered by Edwin Hall in 1879 and has since been extensively studied and utilized. The Hall effect has several important applications. In electronics, it is used in the design of Hall-effect sensors, which are used to measure magnetic fields, detect the position of moving objects, and even sense the speed of rotating shafts. These sensors are widely used in automotive, industrial, and consumer electronics applications. In materials science, the Hall effect is used to study the properties of semiconductors and other materials, providing information about the concentration and type of charge carriers (electrons or holes) present. This information is crucial for the development and optimization of electronic devices, such as transistors and integrated circuits. Furthermore, the Hall effect is also used in the design of Hall-effect thrusters, which are a type of electric propulsion system used in spacecraft. These thrusters utilize the Hall effect to accelerate charged particles, generating thrust for spacecraft maneuvering and positioning. Overall, the Hall effect is a fundamental and versatile physical phenomenon that has had a significant impact on various scientific and technological fields. Its continued study and application will likely lead to further advancements in electronics, materials science, and space technology.
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전자기적특성평가_Hall effect 결과보고서1. Hall effect Hall effect 측정 실험을 통해 Sample A와 B 각각의 면저항과 캐리어 농도로 홀 계수, 홀전압, 비저항, 전기전도도, 캐리어 이동도를 구하고, Sample A와 B가 각각 어떤 Type의 반도체인지 알아보았다. 홀 효과는 도체가 자기장 속에 놓여 있을 때 자기장에 직각방향으로 전류를 흘려주면 자기장과 전류 모두에 수...2025.01.02 · 공학/기술
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비전하 측정 실험 & 홀 효과 실험 (Electron Charge to Mass Ratio & Hall Effect, 결과보고서)1. 비전하 측정 실험 이 실험은 헬름홀츠 코일의 자기장 내에서 진행되었는데, 헬름홀츠 코일의 반지름 R=158mm과 도선을 감은 횟수 N=130에 대해서, 헬름홀츠 코일이 만들어내는 자기장은 수식(1)과 같이 주어진다. 수식(1)을 수식(2)의 운동방정식 (원심력=로렌츠 힘)에 대입하고 eV=(1/2)mv^2의 관계를 이용해 정리하면 비전하에 관한 수식(...2025.05.01 · 자연과학
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홀효과,hall effect 실험 결과보고서 5페이지
물리학실험2 결과보고서 10주차실험제목: Hall effect 측정[1] 개요(1) 실험 목적Hall effect 실험을 통하여 서로 다른 반도체 샘플들의 특성(concentration, mobility, resistivity 등)을 알 수 있다.(2) 실험 이론[2] 결과 분석(1) 실험값그림1. Case(hall1)의 측정 데이터.[Ohm*cm][/cm^3][cm^2/Vs][cm^3/C]hall15.03E+005.22E+182.38E-011.20E+00hall24.96E+006.81E+181.85E-019.16E-01hall34...2022.08.08· 5페이지 -
전자기적특성평가_Hall effect 결과보고서 7페이지
전자기적특성평가 결과보고서-Hall effect-학 과 :교 수 님 :학 번 :이 름 :제 출 일 :1. 실험목적Hall effect 측정 실험을 통해 측정한 Sample A와 B 각각의 면저항과 캐리어 농도로 홀 계수, 홀전압, 비저항, 전기전도도, 캐리어 이동도를 구한다. 또한, Sample A와 B가 각각 어떤 Type의 반도체인지 알아본다.2. 실험이론?홀 효과(Hall effect)홀 효과는 도체가 자기장 속에 놓여 있을 때 그 자기장에 직각방향으로 전류를 흘려주면 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차가 발생하는 현...2024.01.10· 7페이지 -
홀효과 실험 결과 보고서 15페이지
현대물리실험 결과보고서홀효과학과:학번:이름:공동실험자:담당교수:담당조교:실험날짜:제출날짜:1. 실험 목적홀 효과(Hall Effect)란 도체가 자기장 속에 놓여있을 때 그 자기장에 직각 방향으로 전류가 흐르면, 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차(홀 전압)가 발생하는 현상이다. 1879년 에드윈 허버트 홀(1855-1938)에 의해 발견되었다.홀 전압의 크기는 전하 밀도에 의존하기 때문에, 반도체에서의 전압은 순수한 금속 도체에서보다 더 크다. 이 실험에서는 n-도핑 게르마늄 반도체를 사용한다. 또한 홀 전압의 크기는 자...2024.02.01· 15페이지 -
[A+] 비전하 측정 실험 & 홀 효과 실험 (Electron Charge to Mass Ratio & Hall Effect, 결과보고서) 6페이지
Electron Charge to Mass Ratio & Hall effect-결과 보고서최ㅇㅇ1. 실험 목표가. 헬름홀츠 코일을 사용해 전자의 전하량과 비전하 사이의 비율을 측정한다.나. 홀 소자를 사용해 홀 효과를 확인하고, 비저항을 측정하고 자기장의 세기에 따라 홀 전압을 구해본다.2. 실험 결과가. 사용된 기호 정의표(1) 사용된 기호의 정의문자의미문자의미V전자의 가속전압I흐르는 전류r전자가 회전하는 원의 반지름n자석 사이 스페이서의 개수V_H홀 전압R_H홀 상수DELTA V전압 강하rho비저항나. 측정값의 측정 단위 (명시...2023.02.22· 6페이지 -
금속,반도체 박막의 전기적 특성 분석 보고서 3페이지
금속, 반도체 박막의 전기적 특성 분석 보고서 제출1. 4-point의 동작 원리- 바늘모양의 침인 포인트가 4개여서 4point이고 바깥쪽 Probe 단자 1과 4에 일정한 전류를 흘려주고 Probe 단자 2와 3사이의 전압을 측정하여 전압과 전류 사이의 비율을 이용하여 저항율 을 계산한다. 이때 Probe tip 은 일정한 간격으로 떨어져서 정렬되어 있다.금속박막을 밑에 넣으면 침이 동시에 내려와서 박막에 표면을 찍으면 저항값을 알 수 있는데 면저항 의 단위를 맞춰주기 위해 보정상수를 적용하여 면저항을 측정한다.보정상수는 샘플의...2022.04.24· 3페이지