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"metal contact" 검색결과 121-140 / 339건

  • PVC용 친환경 복합안정제
    . Wire Cable coverings. Organotin stabilizers [ Sn ] General. Food-contact. Rigid film sheet. Pipes in ... lee 2. Absorption of hydrogen chloride 3. Synergistic effect of Ba -Zn mixed metal system L aterⅡ ... . Heat stabilizers Fig 4. Yellowness index change of PVC at 175℃ in various metal soaps(combinations)Ⅱ
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2015.04.25
  • 반도체 및 고분자 실험 반도체/ 실리콘 웨이퍼 실험과정과 멀티미터 측정 결과 A 받은 레포트
    처럼 contact가 sample의 경계에 위치해야 하고 충분히 작아야 한다. 이 밖에도 sample의 두께가 일정해야하고 내부에 빈 공간이 없어야한다.Van der Pauw's ... =Rs x t, t=50nm 이므로12.79Ω x 50 x 10^-7 =0.0000639Ωcm⑤50Ω의 저항률은 Rs=ρ/t ρ=Rs x t, t=50nm 이므로9.995Ω x 50 ... *Resistivity④25Ω의 저항률은 Rs=ρ/t ρ=Rs x t, t=50nm 이므로14.04Ω x 50 x 10^-7 = 0.0000702Ωcm⑤50Ω의 저항률은 Rs=ρ/t ρ=Rs x
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 4,500원 | 등록일 2019.02.28 | 수정일 2021.07.07
  • ZnO TFT1
    layer as well as the dielectric layer and metallic contacts over a supporting (but non-conducting) s ... -TFT is a type of Field Effect Transistor which is form of Thin Film. Basically, it consists of ... triple terminal elements. It usually apply to liquid crystal display. A thin-film transistor (TFT) is
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    | 리포트 | 5페이지 | 3,500원 | 등록일 2014.06.05
  • [열유체공학설계실습] 온도 측정 보고서_실습1
    consisting of two dissimilar conductors that contact each other at one or more spots, where a ... thermocouple types E,J,K,M,N,T. Also shown are the noble metal alloy type P, and the pure noble metal c ... . By this experiment we could understand the Seebeck effect that is principle of the thermocouple
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.10.02
  • 저항성 접촉
    1. Ohmic contact란?전압-전류 특성이 옴의 법칙을 따르는 금속과 반도체의 접촉을 말한다. 반도체 소자에서 금속 결선을 뽑아낼 때 전극 금속이 소자의 특성에 큰 영향 ... 은 생기지 않는다.2. Ohmic contact의 I-V특성곡선물질의 전기적인 특성을 측정할 때, 가장 일반적으로 관찰하는 것이 전압(V)에 따른 전류(I)를 측정하는 방법이 ... 다. 서로 다른 종류의 물질을 접촉시킨 경우의 I-V특성은 크게 ohmic contact과 rectifying contact으로 나누어 살펴볼 수 있다. 반도체와 금속간의 접합
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.20
  • 화합물반도체의 금속공정(Metallization Process)
    -Semiconductor ContactEnergy band diagram of a metal-semiconductor contact in thermal equilibrium.Low work ... function MetalHigh work function MetalEnergy band diagrams of a metal- semiconductor contact with a ... in oxide adhesion improving the ohmic contact, and is speculated to improve metal lift-offepi-stack
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.11.14
  • 반도체 공학 프로젝트
    metal1 immediately after opening contacts so no native oxide grows in contacts Planerize make top ... Drain Junction 0.3um Threshold Voltage -300 mV N-well Depth 2 um W 5um L 0.18um µ p C ox (Gate ... Form N-well regions c Oxide PRp-type substrate NWELL mask ∙ Pattern PR - N-well Mask expose only n
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    | 리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.15
  • Tcad (athena) 로 nmos 반도체 설계 시뮬레이션 보고서
    어 설계목표인 문턱전압 5V를 맞출 수 있었다.go atlasmodels cvt srh fermi printmethod climit=1e-4 maxtrap=10contact ... 도록 설계한다.1.4 배경 이론1,4,1 MOSFET의 종류 [참고문헌 1]MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ... divisions=5etch alumin start x=2 y=-1etch alumin continue x=2 y=0.5etch alumin continue x=8 y=0.5etch
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.02 | 수정일 2017.11.06
  • 용접의 종류와 특성
    Welding (GMAW,MIG)◆특징1) 주로 DCRP로 사용 : 전극의 용융이 많음2) 용착속도가 빠르다3) 매우 깨끗한 공정4) 토치 부치가 크다. contact tube may ... , Parent Metal)도 용융됨/가압은 필요하지 않음◆ 압접 (Pressure Welding)?상온 상태의 소재를 접촉시킨 상태에서 압력을 작용시켜 접촉면을 밀착하여 접합 ... 의 표면장력의 흡인력이 작용하여 접합1.1 열원에 따른 대표적인 용접법열 원용 접 법약 칭GasOxy-acetylene Gas WeldingOAWArcShielded Metal
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30
  • 적색 LED 사업 Review
    Five basic elements in Lumileds` AS type LED:electrical contact,substrate,active p-n junction ... layers,transparent window layerelectrical contact)Four basic elements in Arima`s MS type LED:electrical c ... ontact,substrate,active p-n junction layerselectrical contactAccording doctrine of all elements rule
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    | 리포트 | 36페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.05.14
  • 반도체 공정
    Flow Gate VDD VSS contact Metal 1 Poly-Si P type N type N Well contact Metal 1 Poly-Si P type N ... 를 만드는 토대가 되는 얇은 Si 판 . MASK 만들고자 하는 chip 의 물리계층 (layer) 별 패턴을 새긴 quartz 판 3 Ingot Wafer 패턴 생성 과정1. 공정 ... / Pilot Run A B C D wafer Mask MPW A B C D A B C D A B C D A B C D A B C D B C D A A A A A A A A A wafer
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    | 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.01.17 | 수정일 2017.01.06
  • 성인간호학실습 위암 케이스
    으며, 주변으로 contact ulcer가 심한 상태임)위 : 이전 삽입 된 금속 스텐트에서 거대한 궤양성 침윤암이 발견되었다.duodenum : Cannot exam십이지장 : 검사 ... 사 례 연 구 보 고 서- Gastric cancer -목 차Ⅰ. 서 론1. 간호사례 선정이유 ------------------------------------------ 3pⅡ ... 화하기igmant neoplasm of stomach, unspecifid, unspecified(2) 신체사정 (2017. 06. 05)신 장 :166cm체 중 :42kg활력징후
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.02.07
  • HEMT(High Electron Mobility Transistor)의 기본 원리
    2/Vs) carrier concentration4. CONTACTS1. Schottky contact - General Metal-Semiconductor contact. ... - Work fuction of metal is higher than semiconductor. If we contact metal and semiconductor, energy ... , metal → semiconductor could not diffuse because of energy barrier: Rectifyingcontact2. Ohmic contact
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.10.06
  • sputtering을 통한 metal deposition 및 I-V, C-V 측정
    더 빠르다.Metal-semiconductor junction은 전류를 흐르게 하는 Ohmic-contact으로 사용될 수도 있다.1) Schottky contact은 Work ... 과목명마이크로팹설계 및 실험실험제목Sputtering을 통한 Metal deposition 및 I-V, C-V 측정실험목적Si wafer에 알루미늄을 Sputtering을 하 ... rectifying contact(schottky contact)의 형성에 의해 나타날 수 있다.-제작하기 쉽다-switching 속도가 p-n junction 다이오드보다 훨씬
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21
  • 반도체공학-MOS diode설계 최종보고서
    . Metal 종류의 선택과 선택 이유4. Doping 농도의 계산 과정(Dopant는 상온에서 completely ionize된다고 가정)5. 결과에 대한 총론1. ideal ... bias applied· Semiconductor와 맞닿아있는 Metal표면에서만 작은 전하가 존재하게 된다.· DC biasing condition or 유한한 저항 값을 가질 ... deposition (sputter)5. Metal, gate oxide etching (Dry etching)① cleaning100 wafer를 황산+과산화수소 용액에 담가 표면
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.22
  • 경사기능재료 소재제조
    engine part same material are the metal ceramic material in the coating or base metal the ceramic ... in contact prevention. Thermal stress relaxations of temperature difference or manufacturing ... the temperature comes to be high specially with extreme cold.  With the space shuttle hull or the
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    | 리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.07.21
  • [OLED] 중간과제
    가능하면 charge trapping이 없는 host-dopant system을 쓴다.4. OLED 의 구동 전압을 낮출 수 있는 방법을 써라.- Metal과 유기물 계면 사이 ... 에 Ohmic contact을 만들어 전하주입 장벽을 낮춰서 구동전압을 낮출 수 있다.- ETL과 HTL에 각각 n-doped layer(good electron donor), p ... 그러한가? 그리고 장점은 무엇인가?Al 같은 금속만 Cathode로 단독으로 쓸 경우 work function이 4eV정도로 적절치않다. 그래서 ETL과 cathode 사이에 EIL
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    | 리포트 | 1페이지 | 10,000원 | 등록일 2013.06.14
  • 상황별 비즈니스기초영어화화 신용정보제공상담
    ? Surto contact New York Bank that will provide you with our bank referenceLee: As soon as these ... and Metal Products. Since we are specialists in Machinery and Metal Products, our companies would ... Machinery and Metal Products. Since we are specialists in Machinery and Metal Products, our companies would
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.02.15
  • 엔사이언스 코리아 기업분석 및 재무 분석
    한 미래를 개척하는 회사Eco management : 환경친화적 Chemicals 생산을 추구향후 전망mutual contact : 연구소와 생산현장, 판매현장의 상호연계를 통한 ... E-mail : enscience@naver.com(주)엔사이언스코리아는 TSP(Touch Screen Panel) 산업에 소요되는 Chemicals를 생산하는 기업으로써 TSP ... 15일직원수25명 (2014년 6월 기준)사업장경북 영천시 채신2 공단길 92주요제품1. ITO/Metal Etchant등 Touch 사업 2.. P/R 용해용 현상액 및 박리액등
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    | 리포트 | 17페이지 | 6,000원 | 등록일 2014.11.27 | 수정일 2016.06.11
  • Ag 코팅한 W-Ag 전기접점/Cu 모재간의 브레이징 접합 특성 (Brazing Adhesion Properties of Ag Coated W-Ag Electric Contact on the Cu Substrate)
    한국분말야금학회 강현구, 강윤성, 이재성
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    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05
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2025년 10월 19일 일요일
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