"플래시메모리"의 검색결과 입니다.

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"플래시메모리" 검색결과 101-120 / 2,673건

SBBF: A Space-Efficient Buffer Management Scheme for B+-Trees on NAND Flash Memory (SBBF: A Space-Efficient Buffer Management Scheme for B+-Trees on NAND Flash Memory)

NAND flash memory is becoming widely used as storage media for various mobile devices such as smart ... memory increases, the use of index structures on flash memory becomes more important. The B+-tree is one ... characteristics of flash memory, such as erase-before-write, and asymmetric read/write speed, the

논문 | 16페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.21 | 수정일 2025.06.27

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플래시 메모리에서 비트 배열과 비트 설정 임계값을 이용한 마모도 평준화 기법 (Wear Leveling Technique using Bit Array and Bit Set Threshold for Flash)

한국컴퓨터정보학회 김선환, 곽종욱, 박창현

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.12 | 수정일 2025.03.28

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NAND Flash Memory의 초기 Bad Block 정보 물리주소를 이용한 보안키 설계와 암호화 기법 제안 (The Proposed of the Encryption Method and Designed of the Secure Key Using Initial Bad Block Information Physical Address of NAND Flash Memory)

보안키 생성기법으로 하드웨어 또는 소프트웨어 관련 생성기법들이 다양하게 제안되고 있다. 본 연구는 기존의 보안키 생성기법들을 분석하여, NAND 플래시 메모리의 Bad Block ... 정보를 이용하는 새로운 보안키인 NBSK (NAND Bad block based Secure Key)을 설계하고 이를 이용한 암호화기법을 제안한다. NAND 플래시 메모리에 존재 ... 정보는 주기적으로 변할 수 있다는 특성을 가지고 있다. 따라서 본 연구는 NAND 플래시 메모리 생산중에 발생하는 초기의 Bad Block 정보의 물리주소를 이용하여 보안키로 활용

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.13 | 수정일 2025.07.20

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점진적 맵 업데이트를 위한 모바일 DBMS의 플래시메모리 페이지 관리 기법 (Flash-aware Page Management Policy of the Mobile DBMS for Incremental Map Update)

대한공간정보학회 민경욱, 최정단, 김주완

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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실시간 시스템에서의 플래시 메모리 저장 장치를 위한 적응적 가비지 컬렉션 정책 (A Adaptive Garbage Collection Policy for Flash-Memory Storage System in Embedded Systems)

NAND flash memory has advantages of non-volatility, little power consumption and fast access time ... wear-leveling for a flash memory lifetime. In order to achieve above goals, we define three garbage ... the real-time performance of the system. NAND flash memory has advantages of non-volatility, little

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.01 | 수정일 2025.06.05

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플래시 메모리 저장 장치에서 효율적인 M-트리 기반의 인덱싱 구현 (An Implementation of Efficient M-tree based Indexing on Flash-Memory Storage System)

한국정보과학회 유정수, 낭종호

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.05

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플래시 메모리 기반 DBMS의 질의 최적화를 위한 새로운 비용 모델 설계 및 구현 (Design and Implementation of New Cost Models for Query Optimization of Flash-aware DBMS)

최근 디지털 카메라, MP3 플레이어, 핸드폰, 노트북 등 다양한 분야에서 플래시 메모리를 사용한다. 플래시 메모리는 소형화, 대용량화, 저전력화, 비휘발성, 고속화 그리고 충격 ... 에 강한 저장장치이다. 하지만 플래시 메모리는 하드웨어적 특성으로 인해 쓰기 전 소거(erase-before-write)연산을 수행해야만 하고, 읽기, 쓰기, 소거의 연산 속도 ... 가 다르다. 따라서 이러한 플래시 메모리를 효율적으로 동작시키기 위해서 FTL이 필요하다. FTL은 플래시 메모리의 단점을 보완해주면서 상위 파일 시스템을 그대로 사용할 수 있다. 많

논문 | 18페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.16 | 수정일 2025.06.17

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AFTL: Hot Data 검출기를 이용한 적응형 플래시 전환 계층 (AFTL: An Efficient Adaptive Flash Translation Layer using Hot Data Identifier for NAND Flash Memory)

한국정보과학회 윤현식, 주영도, 이동호

논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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지연 이중 버퍼링: OneNAND 플래시를 이용한페이지 반입 비용 절감 기법 (Delayed Dual Buffering: Reducing Page Fault Latency in Demand Paging for OneNAND Flash Memory)

대한전자공학회 주용수, 박재현, 정성우, 정의영, 장래혁

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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NAND 플래시 메모리용 파일 시스템 계층에서 프로그램의 페이지 참조 패턴을 고려한 캐싱 및 선반입 정책 (Caching and Prefetching Policies Using Program Page Reference Patterns on a File System Layer for NAND Flash)

을 고려하지 않은 리눅스 커널의 캐싱 및 선반입 정책을 개선하고자 NAND 플래시 메모리용 파일 시스템 계층에서 동작하는 Flash Cache Core Module(FCCM ... )을 YAFFS 상에서 설계 및 구현하였다. FCCM은 커널의 안정성과 호환성을 지원하기위해 커널과 독립적인 구조를 가지며, 플래시 메모리의 특성을 고려한 Dirty-Last 메모리 교체 기법 ... system layer for NAND flash memory. The FCCM is independent of the underlying kernel in order to s

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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MCU에 내장된 플레쉬 메모리 오동작 테스트 가능한 ROM Writer 개발 (Development of a ROM Writer for Shmoo Test of a Flash Memory Integrated into the MCU)

향상되었다. This paper presents the development of a ROM writer for shmoo test of a flash memory integrated

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.29 | 수정일 2025.06.05

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3차원 낸드 플레쉬에서 타원형 GAA SONOS 셀의 프로그램과 삭제 특성 연구 (Study of Program and Erase Characteristics for the Elliptic GAA SONOS Cell in 3D NAND Flash Memory)

본 논문은 소노스(SONOS) 형태의 타원형 게이트 올 어라운드(GAA) 구조를 갖는 플레쉬 셀의 프로그램과 삭제 특성을 채널의 이심률 변화에 대해 연구 하였다. 타원형 GAA SONOS 셀의 쓰기와 삭제에 대한 해석적 모델을 제안하고 평가하였다. 점진적 계단형 펄스 ..

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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고성능 모바일 저장장치 맵 캐시 설계를 위한 어플리케이션의 저장장치 접근 특성 분석 (Analyzing Mobile Storage Access Pattern for the Efficient Mapping Table Cache of NAND Flash Memory)

한국정보과학회 강경구, 송용호

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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멀티 레벨 낸드 플레쉬 메모리에서 주변 셀 상태에 따른 데이터 유지 특성에 대한 연구 (Study of Data Retention Characteristics with surrounding cell's state in a MLC NAND Flash Memory)

(Vt) in a multilevel NAND flash memory is studied. It is found that a Vt shift (△Vt) of the noted

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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ESP: Subpage 단위의 쓰기 명령어를 활용한 대용량 3D 플래시 메모리 기반 저장장치의 성능 및 수명 개선 (ESP: Improving Performance and Lifetime of High-Capacity 3D Flash Storage Using an Erase-Free Subpage Programming Technique)

최근 대용량 3D NAND 플래시 메모리는 지속적으로 물리적인 페이지의 크기를 증가시키고 있다. 큰 크기의 페이지는 플래시 메모리의 용량을 늘리는 데는 유용하지만 작은 크기의 쓰

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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Flash memory

Program mechanism : CHE injection- Hot-electron injection from channel to floating gate - Channel hot electron (CHE) injection- Drain Current : 300~4..

리포트 | 44페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.05.12

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플래시 메모리, 프로그래머블 논리장치(PLD) ,SRAM ,DRAM , MROM , EPROM , PROM , FRAM , PRAM , MRAM , 메모리 조사 대체과제 만점 , 논문까지 참고 및 없는 내용 없음 사기적

플래시 메모리(flash memory)정의 : 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는(electrically erased and reprogrammed) 비휘발성 컴퓨터 ... 기억 장치를 말하며, 플래시 메모리는 ROM의 일종으로 EEPROM으로부터 발전하였다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있는 메모리다.역사 ... : 플래시 메모리는 1984년 당시 도시바에서 근무하고 있던 마스오카 후지오 박사가 발명 했으며, 캘리포니아 새너제이에서 열렸던 IEEE 1984 International

리포트 | 19페이지 | 3,300원 | 등록일 2021.08.30

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Flash memory 개념과 종류 및 특징

Flash memory플레시 메모리(Flash memory)는 지속적으로 전원을 공급받는 비활성 메모리로서 블록이라고 불리는 메모리 단위로 지울 수 도 있고 프로그램 할 수도 있 ... 이 가능하다는 특징을 가지고 있습니다.이러한 플래시 메모리의 대표적인 형태는 NOR-type과 NAND-type으로 나누어집니다.NOR-type Flash memoryNOR 메모리 ... 상태입니다.NOR FlashNAND Flash구조Lay-out단면도저장용량저용량대용량속도(읽기/쓰기)빠르다느리다가격비싸다싸다Floating gate Flash memory실제 낸드

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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[반도체 공정 A+] Flash Memory 레포트

반도체 공정Flash Memory 레포트제출일 : 2010년 00월 00일00공학과000• NAND-type & NOR-typeFlash Memory플래시 메모리는 전원이 끊겨도 ... 낸드 플래시 메모리(NAND Flash Memory)는 셀을 직렬 구조로 연결한 것이다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 2. 낸드 플래시 메모리그림2에 나와있듯이, 앞에서 살펴본 ... Memory flash memory & Charge trap flash memory플래시 메모리의 개발 이후 낸드 플래시 메모리는 높은 집적도로 새로운 저장 매체로 각광을 받고 있다. 하지

리포트 | 13페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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flash memory,플래쉬 메모리

Flash memory1. 플래쉬메모리란?플래시 메모리(flash memory)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터기억 장치를 말한다. EEPROM ... 과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 플래시 메모리는 EEPROM 보다 비용이 덜 들기 때문에, 어느 정도 중요 분량의 비휘발성인 고체 상태(solid ... 는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이 때에도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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