"플래시메모리"의 검색결과 입니다.

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"플래시메모리" 검색결과 81-100 / 2,673건

전하보유모델에 기초한 SONOS 플래시 메모리의 전하 저장층 두께에 따른 트랩 분석 (Analysis of Trap Dependence on Charge Trapping Layer Thickness in SONOS Flash Memory Devices Based on Charge Retention Model)

) flash memory devices. The nitride films were prepared by low pressure chemical vapor deposition ... nitride in the silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory devices. The nitride films

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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반도체 공정 레포트 - Flash memory

Flash Memory목차Flash MemoryNand-Type & Nor TypeFloating gate Flash Memory & Charge trap flash ... memoryMLC Flash Memory3D Flash MemoryFlash Memory메모리 반도체의 종류는 휘발성(Volatile) 메모리와 비휘발성(Non- Volatile) 메모리 ... 이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리이다. 비휘발성 메모리에는 ROM 과 Flash Memory가 있으며 이 비휘발성 메모리는 EPROM, EEPROM, Flash

리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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플래시메모리-SSD의 인덱스 연산 성능 향상을 위한 압축된 핫-콜드 클러스터링 기법 (A Compressed Hot-Cold Clustering to Improve Index Operation Performance of Flash Memory-SSD Systems)

한국산학기술학회 변시우

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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멀티 레벨 셀 플래시 메모리 신뢰성 분석을 통한 항공 전자장비용 내결함성 메모리 설계 연구 (Research on Fault Tolerant Avionics Memory Design through Multi Level Cell Flash Memory Reliability Analysis)

일반적으로 MLC NAND 플래시 저장장치는 SLC NAND 플래시 기반의 장치에 비해 정보 신뢰성이 낮은 것으로 평가된다. MLC 플래시는 SLC 플래시 보다 약 1000배 이상의 RBER (raw bit error rate)을 갖는다고 평가되나 최근 Google 데..

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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반도체공정 레포트 - Flash memory

1. NAND type & NOR type(1) NAND typeNAND flash는 반도체 cell이 직렬로 배열된 Flash memory의 한 종류로써, 아래와 같이 cell ... 이 수직적으로 배열되기 때문에, 집적도가 매우 높다는 장점을 가진다.Flash memory는 Page, Block 그리고 Plane으로 구성된다. 이때, Page는 Date의 저장 ... . Plane은 Block의 집합으로써 연산 처리의 단위라고 할 수 있다.즉, Page에서부터 Bolck과 Plane이 되고, Plane이 모여 NAND flash memory chip

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19

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고성능 대용량 플래시 메모리 저장장치의 효과적인매핑정보 캐싱을 위한 적응적 매핑정보 관리기법 (Adaptive Mapping Information Management Scheme for High Performance Large Sale Flash Memory Storages)

모바일 디바이스, PC, 서버 형 워크스테이션 시스템에서 널리 사용되고 있는 낸드 플래시 메모리는 기존의 하드 디스크에비해 저 전력 소비, 높은 성능, 랜덤 접근 가능 등의 장점 ... 을 갖는 반면, 덮어쓰기가 불가능하여 데이터를 쓰기 전에는 항상 삭제 연산을 필요로 하는 구조적 약점을 지니고 있다. 이를 극복하기 위해 낸드 플래시 메모리의 제어기는 FTL ... 을 사용하여 디바이스 내부 연산을 변형시킨다. 하지만 고성능 대용량 낸드 플래시 메모리 저장장치의 사용이 증가됨에 따라, 제한된 DRAM 크기에 비해 매핑 알고리즘에서 사용되는 매핑

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

Tunneling으로 같다. Flash Memory는 기본적으로 덮어쓰기가 되지 않으므로 삭제한 뒤에 데이터를 새로 써야 한다.플래시 메모리의 Read는 위와 같은 과정으로 진행 ... flash memory3. MLC Flash Memory4. 3D Flash Memory전자재료공학과학번:이름:제출일자:[Flash Memory]NAND-type& NOR-type플래시 ... 반도체 공정1레포트2조OO 교수님Flash memory1. NAND-type& NOR-type2. Floating gate flash memory &Charge trap

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.17

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TCAD 시뮬레이션을 이용한 Fin형 SONOS Flash Memory의 모서리 효과에 관한 연구 (A Study on the Corner Effect of Fin-type SONOS Flash Memory Using TCAD Simulation)

한국전기전자재료학회 양승동, 이가원, 오재섭, 윤호진, 정광석, 김유미, 이상율, 이희덕

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.01 | 수정일 2025.05.15

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멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 커플링 제거기의 윈도우 크기에 따른 성능 비교 (Performance of the Coupling Canceller with the Various Window Size on the Multi-Level Cell NAND Flash Memory Channel)

멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 기술이다. 현재 2비트를 한셀에 저장하는 기술만 상용화 되었다. 이는 3비트 이상을 저장하게 되 ... 하여 성능을 비교하였다. 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 가장 기본 방법인 문턱 전압 비교 방법을 구현하여 제안한 방법과 성능을 비교 하였다. Multi-level cell NAND ... flash is a flash memory technology using mulitple levels per cell to allow more bits to be stored

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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경사하강법을 이용한 낸드 플래시 메모리기반 저장 장치의 고효율 수명 예측 및 예외처리 방법 (High Efficiency Life Prediction and Exception Processing Method of NAND Flash Memory-based Storage using Gradient Descent Method.)

중소기업융합학회 이현섭

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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3차원 SONOS 낸드 플래쉬 메모리 셀 적용을 위한 String 형태의 폴리실리콘 박막형 트랜지스터의 특성 연구 (A Study on Poly-Si TFT characteristics with string structure for 3D SONOS NAND Flash Memory Cell)

성 항목인 bake 결과가 개선됨을 확인하였다. In this paper, we have studied the characteristics of NAND Flash memory in

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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플래시 메모리를 위한 Not-cold-page 쓰기지연을 통한 LRU 버퍼교체 정책 개선 (Enhancing LRU Buffer Replacement Policy with Delayed Write of Not-cold-dirty-pages for Flash Memory)

한국정보과학회 정호영, 차재혁, 강수용, 박성민

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.02.28 | 수정일 2025.03.06

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2WPR : 플래시 메모리 시스템에서 쓰기 연산 감소를 위한 참조 가능성 기반 디스크 버퍼 교체 알고리즘 (2WPR: Disk Buffer Replacement Algorithm Based on the Probability of Reference to Reduce the Number of Writes in Flash Memory)

본 논문에서는 향상된 히트율과 더 적은 낸드 플래시 메모리 쓰기 연산을 할당하는 디스크 버퍼 교체 정책을 소개한다. 플래시 메모리는 높은 집적도, 높은 신뢰성 및 비휘발성이 ... 한다. 제안된 새로운 정책은 기존 디스크 버퍼 관리 정책에 비해 히트율을 최대 10%까지 향상시킬 수 있으며 플래시 메모리에 대한 쓰기 연산을 최대 5%까지 감소시킬 수 있었다. In

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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다중셀 낸드 플래시 메모리의 3셀 CCI 모델과 이를 이용한 에러 정정 알고리듬 (A 3-cell CCI(Cell-to-Cell Interference) model and error correction algorithm for Multi-level cell NAND Flash Memories)

MLC NAND flash memory에서 cell간의 기생 커패시턴스 커플링으로 인해 발생하는 CCI에 의한 data error를 개선하기 위한 알고리듬을 제안하였다. 종래 ... 30nm와 20nm급 공정의 MLC NAND flash memory의 data분포를 분석하여, 주변 cell의 data pattern에 의한 victim cell의 Vth s ... 3-adjacent-cell model to 20nm-class 2-bit MLC NAND flash memories. 대한전자공학회 전자공학회논문지 - SD 정진호, 김시호

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석 (The 1/f Noise Analysis of 3D SONOS Multi Layer Flash Memory Devices Fabricated on Nitride or Oxide Layer)

한국전기전자재료학회 이상율, 이가원, 오재섭, 양승동, 정광석, 윤호진, 김유미, 이희덕

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능 (Performance of the Maximum-Likelihood Detector by Estimation of the Trellis Targets on the Sixteen-Level Cell NAND Flash Memory)

본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법 ... 은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정 ... targets on the 16-level cell NAND flash memory. This mechanism has a performance gain by using a

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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낸드 플래시 기대 수명을 고려한 쓰기 조절 기법 (Write Throttling for Expected NAND Flash Memory Lifetime)

본 논문에서는 낸드 플래시 메모리의 제한적인 수명을 고려하여 스마트 디바이스에서의 메모리 회수 시 과도하게 발생하는 저장 장치에 대한 쓰기를 감소시키는 방법을 제안한다. 기존 ... write traffic on NAND flash memory considering the expected NAND flash memory lifetime. During the

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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MLC 플래시 메모리에서의 셀간 간섭 제거 알고리즘 (Cell to Cell Interference Cancellation Algorithms in Multi level cell Flash memeory)

대한전자공학회 전명운, 김경철, 신범주, 이정우

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.11 | 수정일 2025.03.28

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SSD 신뢰성 향상을 위한 3D 낸드 플래시 메모리 오류율에 따른 K-means 클러스터링 분석 및 차별화된 보호 정책 (K-means clustering analysis and differential protection policy according to 3D NAND flash memory error rate to improve SSD reliability)

한국컴퓨터정보학회 손승우, 김재호

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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멀티레벨 낸드 플래쉬 메모리 프로그램 포화 영역에서의 IPD 층에 트랩된 전하의 손실 효과에 의한 문턱 전압 저하 특성에 대한 연구 (A Study on Threshold Voltage Degradation by Loss Effect of Trapped Charge in IPD Layer for Program Saturation in a MLC NAND Flash Memory)

한국마이크로전자및패키징학회 최채형, 최득성, 정승현

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.04 | 수정일 2025.05.16

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