"전자회로"의 검색결과 입니다.

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전자회로 설계 전자회로설계실습 전자회로실험 가변이득증폭기 전자회로 MOSFET 기본 특성 클램퍼 회로 삼성전자 rlc회로

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"전자회로" 검색결과 101-120 / 35,264건

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디지털전자회로 2021 퀴즈1 해답

3) Transmission gate 대신 nMOS만 이용했을 때, pMOS만 이용했을 때 생기는 문제를 각각 예시를 통해 간단히 설명하시오. – 1점Sol)Transmission gate 대신 nMOS 혹은 pMOS만 사용했을 시, data “1” 혹은 “0”을 보낼..

시험자료 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.07

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디지털전자회로 2021 기말고사 해답

1. 아래 문장이 맞으면 T, 틀리면 F를 괄호안에 쓰시오. [개당 1점, 총 20](1) Merged contact을 통해 nMOS와 pMOS가 연결된 노드의 diffusion capacitance를 줄일 수 있다.( F )(2) Nonideal transistor에..

시험자료 | 14페이지 | 6,000원 | 등록일 2022.11.07 | 수정일 2022.11.09

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기초전자회로및실험 [19. RLC 회로와 공진]

11주차 결과레포트1. 실험 제목: 19. RLC 회로와 공진2. 실험 결과공진주파수(이론값)공진주파수(실험값)실험과정(5)위상이 앞선 파형V _{L}V _{C}f _{r1}

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.12

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디지털전자회로 2021 퀴즈5 해답

1. Unsigned Radix-4 booth encoding multiplier에 대한 문제를 푸시오. [8]1) Partial product의 sign extension이 (a)에서 (b)로 단순화 될 수 있다. 6-bit x 6-bit unsigned Radix-..

시험자료 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.07

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디지털전자회로 2021 퀴즈4 해답

1. 아래 문제들을 푸시오. (7점) 1) 다음 domino logic gate가 아래의 신호에 따라 동작한다고 할 때 “current evaluation phase”에서 0으로 유지되어야 하는 Y1이 VDD로 flip 되었다. Y1이 flip이 일어나는 원인에 대해서..

시험자료 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.07 | 수정일 2022.11.09

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디지털전자회로 2021 퀴즈3 해답

phase 시에 pull-up network 가 비활성화 되면서 회로 동작이 시작된다. 따라서 evaluation phase 동안 pull-down network 만 활성화 되어있

시험자료 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.07

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디지털전자회로 2021 퀴즈2 해답

2. 아래 그림은 NOR3의 transistor-level schematic과 input에 따른 output 변화를 보여준다. 아래 문제들을 푸시오. (4점)1) Out node외 diffusion capacitance는 없다고 가정 할 때, a), b), c) 상황이..

시험자료 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.07

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[전자회로실험] 다이오드 정류 회로 결과보고서

2.3.4 검토 사항 1) 오실로스코프로 측정한 입출력 파형을 관찰해 보면, 입력 파형은 정현파이고출력 파형은 (-)부분이 뒤집어진 절대값 사인파, 정파 정류회로와 동일한 파형이 ... 에 측정할 수 없다. 그라운드가 달라 동시에 연결하면 short되기 때문이다. 2) 회로 3-(a)의 저항에 커패시터를 병렬로 연결하면 그림 17의 형태의 그래프가출력된다. 입력 ... 할 수 있다. 정파정류 회로와 마찬가지로 (-)부분에서도 충전이 되기 때문에 충전 주기는 2배임을 확인할 수 있었다.2.3 실험 4 – 정류 회로 비교 교류를 직류로 정류할 때

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.01.14

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전자회로 ) 전자회로 요약하기 - BJT 증폭기의 바이어스

전자회로전자회로 요약하기전자회로전자회로영상보고 요약하기BJT 증폭기의 바이어스1. 부하선(load line)? BJT를 증폭기로 사용하기 위하여 순방향 활성영역에서 동작 ... 로 하기 위해서는 선형영역의 중앙 근 처에 동작점이 설정되어야 함3. NPN형 BJT의 고정 바이어스 회로4. PNP형 BJT의 고정 바이어스 회로5. NPN형 BJT의 전압분배 바 ... 이어스 회로6. 바이어스 안정도? BJT의beta _{DC}와V _{BE(on)}는 온도에 비교적 민감하게 영향을 받으며, 트랜지스터에 따라 약간 씩 차이가 있다. -> 온도, 트랜지스터 특성변화 등에 영향을 받지 않도록 안정된 바이어스 를 인가하는 것이 중요하다.

리포트 | 4페이지 | 5,000원 (5%↓) 4750원 | 등록일 2022.07.26

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[전자회로실험] 정전압 회로와 리미터 결과레포트

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.29

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[전자회로실험] MOSFET 소스 팔로워

서플라이 / 디지털 멀티미터 / 오실로스코프 / 함수발생기 / 2N7000(NMOS) / 저항 / 커패시터3 배경 이론① 소스 팔로워- 아래 그림과 같이 소스 팔로워 회로에서 입력 ... 할 수 있다.[그림 12-2]는 저항 부하가 있는 소스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가 회로이다.A _{v} = {v _{out}} over {v _{"in ... , 1에 가까움을 알 수 있다.[그림 12-4]는 소스 팔로워의 출력 임피던스를 구하기 위한 회로이며, 아래와 같이 계산 할 수 있다.R _{out`} = {1} over {g

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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[전자회로실험] MOSFET 기본특성

는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있으며 MOSFET의 구조는 다음과 같다.소스와 드레인은 n형으로 도핑되어 있으므로, 전자가 많이 존재한다. 또한 전자가 소스에서 드레인 ... 영역으로 이동하기 위해서는 전자가 많은 n영역이 필요하게 된다. 이를 위해서, 게이트에 충분히 큰 양의 전압을 인가하게 되면, p형 기판의 일부가 n형으로 반전되고, 채널 영역(c ... 를 시켜야한다. 게이트에 약간의 양의 전압이 인가되었다고 해서 n형 채널이 형성되지 않고, 문턱 전압(threshold voltage) 이상이 인가될 경우 충분한 양의 전자가 쌓여서

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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[전자회로] 07. 연산증폭기 응용회로 노트정리

시험자료 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.31 | 수정일 2021.09.11

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전자회로 - 강의영상요약

전자회로전자회로영상보고 요약하기1.4.2. 전파 정류기(1) 브릿지 전파정류 회로? 관련 식V_out = V_{i n} - 2V_gamma (단,V_{i n} > 2 V

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.04.12

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삼성전자 DS메모리사업부 회로설계 합격 자기소개서

"삼성전자 DS메모리사업부 회로설계 합격 자기소개서"에 대한 내용입니다.

자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.12.24

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[전자회로실험] BJT 기본특성

은 아래와 같다. 그림 4-4는 BJT 내부의 캐리어 농도 분포를 보여주고 있다.이미터로부터 주입된 전자는 EBJ를 지나면서 베이스영역의 홀과 재결합하면서 공핍영역을 형성 ... 하고, 베이스 영역에서의 소수 캐리어는 그림 4-4와 농도분포가 같다. 베이스영역에서 전자의 농도 분포에 의해서 확산전류가 흐르게 되고, CBJ에 역방향 바이어스가 인가되면 베이스 영역 ... 에서의 전자가 컬렉터로 이동하면서 컬렉터 전류 Ic를 형성하게 된다. 또한, 베이스에서 주입되는 홀에 의한 전류 성분 IB1과 이미터에서 베이스로 확산되는 전자들이 베이스 영역에서 재

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25

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전자회로실험 에미터 팔로워 특성

}(CH1)및V _{out}(CH2)파형LTspice 회로V _{S}(CH1)및V _{out}(CH2)파형(LTspice)1)V _{S}의 진폭 : 27.3V(오실로스코프, 2V ... Ltspice 회로V _{out}(CH2)파형(LTspice)V _{S}(CH1)및V _{out}(CH2)파형)LTspice위상차(LTspice)1)V _{S}의 진폭 : 1.21V

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.15

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전자회로 실험 - 다이오드 특성

는 방출 계수 또는 이상 계수라고 하며, 정공 및 전자의 재결합을 반영한다. 그 값은 보통 1과 2사이에서 결정이 된다. 매우 낮은 전류에서는 재결합이 중요하므로 n ≒ 2, 높은 전류

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.02

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삼성전자DS 메모리사업부 회로설계직 합격 자기소개서

1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오[지원동기]2019 포브스 선정 아시아 1위 가치의, 대한민국을 넘어 전세계에서 막강한 브랜드 파워 ... 를 가진 기업, 끊임없는 혁신과 도전, 최고를 유지하기 위한 노력과, 사회로의 환원으로 귀결되는 삼성전자의 경영철학은 삼성전자가 제게 1순위 기업인 이유였습니다.무수히 많은 삼성전자 ... 의 제품을 사용하며, 타 회사의 제품과 비교하였을때 왜 삼성전자가 일류 기업인지를 몸소 느낄수 있었습니다 학부 1학년 겨울방학에 삼성 드림클래스 캠프의 강사로 참여하며 해당 프로그램

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.08.22

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전자회로 실험 5 결과레포트

R E P O R T실험 5 결과레포트1. 그림의 회로를 연결회로를 연결한 다음 직류전압을 연결할 때 위의 그림과 같이 전원공급기를 연결해준다.2. Vc1, Vc2, VE

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.19

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