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전자회로 설계 전자회로설계실습 전자회로실험 가변이득증폭기 전자회로 MOSFET 기본 특성 클램퍼 회로 삼성전자 rlc회로

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"전자회로" 검색결과 21-40 / 35,691건

MBL 실험장치에 의한 기초전자회로 실험 (Basic Experiments with Electronic Circuits by Using MBL Instruments)

한국물리학회 장세중

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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휴대용 적외선 야시경을 위한 전자회로설계 (Electronic Circuit Design for Portable Infrared Night Vision Scope)

대한전자공학회 엄기환, 김두환

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.17 | 수정일 2025.03.28

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전자회로설계과제

REPORT? 팀 원 명 :? 과 목 명 :전자회로? 학 과 :전자공학과? 담당교수 :? 이 름 :? 학 번 :? 제 출 일 :목 차설계과제1. 4장. 58번 문제 ... 5V에서 변화되는 증폭기 직류 바이어스 회로를 설계하시오. 베이스에 최대 입력 신호전압은 10mVrms, Vcc=12V, VBB=4V, r’e=8Ω이다.1. 전압이득이 최소 50 ... _{C}} over {8 OMEGA } GEQ 50``````` rarrow ```````R _{C} GEQ 400 OMEGA 컬렉터저항 Rc는 회로를 설계할 때 최소로 400

리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.29

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삼성전자 DS 회로설계 합격 자소서

- 삼성전자 DS부문 S.LSI 신입 공채 최종 합격 자소서- 20년 상반기 입사- 회로설계 직무

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.02.18

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홉필드 신경회로망을 위한 단일전자 소자 (Single-Electron Devices for Hopfield Neural Network)

본 논문은 새롭게 제안된 단일전자 소자(single-electron device) 및 회로를 이용한 새로운 형태의 홉필드 신경회로망(Hopfield neural network ... )을 소개한다. 홉필드 신경회로망의 전기적 모델 내부에서 가변저항으로 사용되는 단일전자 시냅스(single-electron synapse)와 비선형 활성함수(nonlinear ... activation function)로 사용되는 두 단의 단일전자 인버터(single-electron inverter)를 몬테-칼로(Monte-Carlo) 방식의 단일전자 회로 시뮬레이터

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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전자회로 실험 과제

omplementary pair plus inverter)1개, 저항 및 커패시터 다수실험 10.1 Discrete 바이어스 회로를 이용한 Common-Gate 증폭기를 설계 및 실습 ... 한다.V _{G}=4V, 바이어스회로의 전력소모=0.1 mW 가 되도록 저항R _{1} 과`R _{2} 의 값을 정한다. 시뮬레이션에서 구한A _{V} =V _{O} /V _{S ... }=6.5V/V 가 되도록 저항R _{D}의 값을 사용하여 증폭기의 전압이득이 원하는 값이 되는지 확인하고, 필요하면R _{D}의 값을 조절하여 요구되는 전압이득이 되도록 회로를 완성

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.08

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[전자회로]반파 전파 정류회로

V, 12.6V실리콘다이오드 : 1N5625*4스위치● 이론정류회로의 동작원리- 다이오드는 다이오드 양단에 순방향 바이어스에서는 도통되고 역방향 바이어스에서는 회로를 차단하는 성질 ... 을 가지고 있다. 즉, 한쪽방향으로만 전류를 흘려주는 성질을 가진다. 이러한 성질을 정류라고 한다. 이러한 정류는 크게 반파정류, 전파정류, 브리지정류회로로 나눌 수 있다.? 반파 ... 정류회로- 반파정류는 교류전압을 인가하였을 경우 (+)의 주기는 도통되고 (-)의 주기는 차단시킴으로써 (+)의 파형을 가지는 것을 말한다. 교류전압 v(t) = Vm*sinωt

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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[반도체 회로설계직]삼성전자 합격자소서

고, 매년 투자와, 수많은 제품을 양산하고 있습니다. 최고의 환경에서 최고의 인재가 나올 수 있고 그 0순위는 삼성전자입니다.최고의 회로 설계 전문가로 성장함과 동시에 삼성전자 ... 1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.학부시절, 반도체과목에 큰 흥미를 느꼈으며 반도체 엔지니어라는 꿈을 가졌고, 많은 회사 중 삼성에 가 ... 고 싶은 두가지 이유가 있습니다.[높은 도전과 개척정신].삼성그룹의 고유의 철저한 위기의식을 바탕으로 끊임없이 도전하고 개척하는 모습은 삼성전자의 가장 큰 장점입니다. 첨단기술산업

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.08.21

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전자회로실험 결과

1. 실험 결과[그림 1] [그림2]이번 실험은 [그림1]의 실험회로를 [그림2]와 같이 구성하여 실험과정 (4)를 수행했다. 실험회로를 구성하기 위해 22kΩ 저항 2개와 2 ... 에 10kHz의 0.5 정현파(offset = 2V)의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 게이트 증폭기 회로의 입력-출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기 ... 해서 자리를 여러 번 바꿔보고 회로를 재구성해보기도 했는데도 결과가 제대로 측정되지 않았다. 그래서 저항과 MOSFET 소자를 바꿨을 때도 제대로 측정이 안돼서 마지막

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.11.30

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전자회로실험 다이오드 리미터 회로

전자회로응용실험2021.03.313. 다이오드 리미터 회로1. 실험 주제: 다이오드의 병렬형과 직렬형 리미터 회로를 이해하고 동작 특성을 측정한다.2. 기초 이론?리미터 회로란? ... - 리미터 회로는 신호의 진폭을 미리 정한 기준전압 레벨로 제한하는 회로이며, 클리퍼 회로라고도 한다.?병렬형 리미터 회로- 위의 그림과 같이 다이오드가 출력과 병렬로 연결 ... 된 리미터 회로이다.- 양 리미터 회로 :V _{B} +V _{gamma}로 제한하는 회로이다.- 음 리미터 회로 : 양 리미터 회로에서 다이오드와 기준 레벨 DC 전원의 극성을 반대

리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.16

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삼성전자 메모리 회로설계 합격 자기소개서

회로 설계 역량을 키웠으며, 반도체 소자에 관한 이론 공부와 DRAM 구조 및 동작에 관한 연구를 바탕으로 삼성전자에 지원했습니다.[신뢰의 삼성, 신뢰의 김형태]입사 후 삼성전자 ... 에서 구체적으로 서술하시오[제품 개발의 꽃, 반도체 설계]반도체 설계 직무는 전자제품에서 가장 중요한 반도체를 설계하기 위해 회로를 설계부터 양산을 위한 연구를 수행하는 직무라고 생각 ... 입니다. 업무를 수행하며 마주할 문제 해결을 위해 팀원들과 소통하며 문제를 해결할 것이며 디지털 회로 설계 역량은 삼성전자에서 반도체를 설계하는 데 큰 도움이 될 것입니다.

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06

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도전성 테이프를 이용한 전자회로 프로토타이핑 도구 개발 (Development of Electric Circuit Prototyping Tool Using Conductive Tape)

기존의 전자회로 관련 교육은 선행 학습의 필요성, 전용 도구 및 실습실 환경 등의 이유로 전문 고등교육 기관이나 특화된 프로그램에 국한되어 실시되고 있다. 따라서 전자회로 프로토 ... 타이핑은 비전공자들이 실제 개발 과정에서 활용하기 어려운 도구이다. 전자회로 작업은 이론적 모델을 현실 공간 내에서 실체화할 때 모형 구축에 필요한 적절한 해석이 필요한데, 그 ... 가이드라인을 기준으로 기존의 전자회로 프로토타이핑 기법의 장단점을 분석하였고, 개념적 모델과 실체를 일체화시키기 위해 그래픽 디자인도구와 도전성 테이프를 적용하여 프로토타이핑 방법

논문 | 12페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.14 | 수정일 2025.07.20

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전자시스템의 파워 온 리셋 회로 설계 (Design of a Power-on Reset Circuit in Electronic System)

최근 고집적, 고기능화되어가고 있는 전자시스템의 초기 상태 안정화를 위해 파워 온 리셋 회로를 설계하였다. 파워 온 리셋 회로는 저항값이 비슷한 PMOS와 NMOS의 저항 비 ... 를 적용하여 구성하였다. 전원 전압의 상승시간과 관계없이 수십㎳ 이상의 충분한 리셋 시간을 확보하였고 전원 전압 상승시간이 200㎳일 때, 검출된 리셋 회로의 출력 피크 전압이 기존 ... 회로보다 높은 전압에서 검출되어 보다 안정적인 리셋 동작을 수행 할 수 있다. We designed a power-on reset circuit to stabilize the

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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신경회로망을 이용한 휴대용 전자 혀 시스템의 설계 (Design of E-Tongue System using Neural Network)

용 전자혀 시스템을 개발하였다. MACS는 NH4+, Na+, Cl-, NO3-, K+, Ca2+, Na+, pH의 7종의 이온 선택성 전극을 이용하여 구성하였으며, 초기화 및 교정 ... 과정과 완충용액에 의한 안정화 과정을 거친 후 MACS로 시료에 대한 각각의 이온선택성 전극의 변화를 측정한다. 이렇게 각 전극으로부터 측정된 데이터를 이용하여 신경회로망 알고리즘 ... 된 알고리즘이 휴대용 전자혀 시스템에 적절히 사용될 수 있음을 밝혔으며, 실제 휴대용 전자혀 시스템에 간단한 학습에 의해 적용될 수 있을 것으로 생각된다. In this paper

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.31 | 수정일 2025.06.05

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전자 전기회로 실험(LED 깜빡이 회로)

LED 깜빡이 실험 레포트OOOOO 학과 20______ 홍길동1. 실험 제목 : LED 깜빡이2. 실험 날짜 : 2020. 6. 21일3. 실험 목적 :LED회로를 구성 ... - 트랜지스터(2개)- 전원장치, 브레드보드.5. 이론 및 원리 :5-1. LED 깜빡이 회로도(그림 1): 각 구성 요소들의 원리를 학습하고 전체 회로도를 이해함5-2. 트랜지스트(그림 ... 가 흘러들어간다.5-3. 사전 시뮬레이션스위치를 닫는순간 회로에 전류가 흐른다.두개의 발광 다이오드 구역 중, 저항이나 캐패시터 용량의 미세한 차이로 한 쪽의 캐패시터가 먼저 충전된다.예로들

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2025.08.09

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(전자회로실험 레포트)전자메트로놈

한 간격을 설정할 수 있어 유용함 메트로놈 전자메트로놈 기계식메트로놈 – 추의 정해진 위치에 따라 움직인다 ( 진자 운동에 의해 측정 ) 전자메트로놈 – 회로 내 가변 저항의 크기 ... 임피던스와 전압 , 전류의 특징을 이용하여 회로 구동 전류 , 전압 , 주파수의 관계P art 1 실 험 이 론 가변저항 가변저항의 원리를 이용하여 전류와 전압 변화P art 1 ... 실 험 이 론 IC 555 내부 25 개의 TR 과 2 개의 Diode 로 구성 동작범위 = 3~15V 기능 : 1. 연속발진 2. 펄스회로 동작주파수 : 0.2Hz ~ 1MHz

리포트 | 20페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.12.31

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전자회로실험1 클리퍼회로

1. 이론그림 1 그림 2 클리퍼회로는 다이오드의 단방향성을 이용하여 교류신호의 진폭을 제한시켜 입력되는 파형의 특정 레벨 이상이나 이하를 잘라내는 회로를 말하며 limiter ... 혹은 진폭제한회로 라고 부르기도 한다. 다이오드와 저항, 직류 전압원으로 구성된다. 클리퍼 회로는 일반적으로 다이오드와 저항을 직렬로 연결하여 저항에서 출력전압을 결정짓는 직렬 ... 클리퍼회로와 이 둘을 병렬로 연결하여 다이오드에서 출력전압을 결정짓는 병렬클리퍼회로의 두 가지 형태로 나누어진다.그림 1은 Positive Series Clipper회로로, 직렬 회로

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.03.10

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전자회로실험2 정리

시험자료 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.03

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전자회로1 hspice 프로젝트

전자회로1 프로젝트12201627_전자공학과_이영준1-1그림 1-1 회로의 netlist를 작성하고 트랜지스터 M1의 transconductance이 최댓값을 갖는 gate 전압 ... 1-1 회로의 시뮬레이션 결과 VIN,VOUT 파형은 위와 같다. V2, 즉 VIN은 일정한 기울기로 증가하고 있으며 VOUT, 즉 VDS는 VIN이 증가함에 따라 감소하는 것 ... 을 보여준다. 위의 회로에서 VDD=VDS+R1ID이다. 이때 VDD=1.8V로 일정하며 ID= 0.5μnεox/toxW/L[2(VGSVTH)VDSVDS^2]이므로 VGS(VIN

리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.17

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웨이퍼상의 D-대역 회로의 전자파 성능 측정 (On-Wafer Measurement of a D-Band Device)

한국전자파학회 구현지, 김일권, 권재용, 강태원, 조치현, 김완식, 홍성철

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.21 | 수정일 2025.05.23

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