"질화붕소"의 검색결과 입니다.

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카이스트 대학원 물리 연구계획서 포스텍 화학과 itrs 2005 cvd 광운대 기계공학과

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"질화붕소" 검색결과 61-80 / 188건

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삼성전자 기구개발 합격 자기소개서 (2)

원과 함께 무기나노소재를 연구한 경험이 있습니다. 처음 접하는 ‘질화붕소’라는 소재로 스핀코팅, 블레이드공정 등을 통하여 산소를 차단하는 필름을 개발하는 주제였고, 저는 BN의 물

자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06

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셀프화장품 제조 원료 테스트 [유지류, 왁스, 탄화수소 유도체, 실리콘 유, 보습제, 안료 등의 원료 명 성상 향취 색상 점도 사용성(퍼짐성, 흡수성 등) 실험 보고서

음, 부착성 보통글리터Glitter, acrlyate고체하얀색(보라빛 펄)매우 낮음퍼짐성 우수, 부착성 낮음6) 기능성안료원료 명성상색상은폐력사용성(퍼짐성, 부착성)질화붕소

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.14

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토양 시료 분석 실험 보고서 (교내 식생 분포 차이에 따른 토양 조성 비교)

(Mo) 등은 산성 토양에서 결핍되기 쉽다. 알칼리화된 토양에서는 철, 망간, 아연, 붕소와 같은 미량원소의 결핍을 보이고 칼슘의 방해로 인의 흡수력이 떨어진다. 산성화된 토양 ... 다. 질소가 다양한 화학 형태로 바뀌어가는 과정을 질소순환(Nitrogen cycle)이라고 한다. 질소순환은 질소고정, 질화작용, 탈질소 작용이 있다. 질소 고정은 공기 중

리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2023.08.20

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위을복 기계재료 요약 정리/코레일/한국철도공사/운전직/차량직/기계재료요약

V바나듐Zr지로코늄Ce세륨Cr크롬B붕소cd카드뮴Tic탄화티탄Tac탄화탄탈WC탄화텅스템①비중(S)W 3410℃Al 660℃Zn 419℃Bi 271℃Sn 232℃Hg -38.8 ... )★★★-화학적인 방법ⅰ. 침탄법 : 고체침탄법/★액체침탄법=침탄질화법=청화법=시안화법/가스침탄법ⅱ. 질화법-물리적 : 화염경화법, 고주파경화법-금속침투법 : 크로마이징, 칼로나이징 ... 용㉡고망간강(=하드필드강) : Mn 10~14%로 구성 A조직, 내충격성과 내마멸성 우수⇒용도 : 각종 광산기계, 기차 레일의 교차점, 칠드롤러 등2)표면경화강①종류 : 침탄용강, 질화

Non-Ai HUMAN
| 시험자료 | 30페이지 | 3,200원 | 등록일 2020.12.24

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반도체 공학 과제 (반도체 기본 공정 기술)

은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다, 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체는 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있어 탄화규소 또는 질화갈륨 ... 하는 깊이 만큼 실리콘 웨이퍼 내부에 불순물을 확산시킨다. 실리콘의 경우 P형(붕소), N형(비소, 인)도펀트를 사용한다. 이 세가지의 원소는 실리콘에서 높은 용해도를 가진다. 반도체 안

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| 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.02

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용접기능사 필기

알파,gamma람다,delta델타)●질량효과, 담금질성 개선 효과: B(붕소)●침입형 고용체 원소X: F(불소) (원소들 B붕소 C탄소 N질소)●취성-200~300℃ 취성나타나 ... , 취성 (A3~A1 급랭)●뜨임- 재료의 인성부여 (A1 냉각)●불림- 표준화? 조직화? 균일화 (A3~Acm 공랭)●침탄법.질화법: 수정 不불가능●불림의 목적? 급냉시켜 재질을 경화

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| 시험자료 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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금오공과대학교 기계공학과 기계공작법 1일완성 정리노트(기말고사 범위 요약본)

어서 공구가 파손될 수 있다.? 입방정 질화 붕소 (CBN : Cubic Boron Nitride)- 다이아몬드 공구 다음으로 경도가 높은 재료- 고온에서 철이나 니켈에 높은 화학

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| 리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.11.19

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[리포트][레포트] '나노공학기술자'에 대해 탐구한 리포트입니다. 대학과제, 수행평가, 탐구대회, 탐구활동 등에 모두 사용할 수 있습니다.

, 육방정계 질화붕소)을 최대 100㎠의 대면적으로 제조하는데 성공했다고 23일 발표했다.2차원 단결정 소재의 개발은 신문처럼 돌돌 말리는 저전력·고성능 롤러블 디스플레이 상용 ... 질화붕소(h-BN)는 붕소(B)와 질소(N)가 삼각형 형태를 이루어 120°회전할 때마다 같은 모양이 나오는 3축 대칭성을 갖는다. 연구팀은 표면 대칭성이 2축인 구리기판을 만들고 그 위에 h-BN을 성장시키면 대면적의 단결정 소재를 만들 수 있다는 것을 증명했다.

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.08.24 | 수정일 2020.08.26

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[예비레포트] MOSFET에서의 전기적 특성 관찰(transfer curve)

: 화학 기상법을 통해 질화 실리콘을 형성한다.Active area Mask (#1): TR이 형성되는 곳을 제외하고 질화물과 산화막을 제거한다.Boron field implant ... : 붕소 이온을 주입하여 P+영역 형성한다.Thermal Oxidation: 다시 한번 산화과정을 거친다.Remove nitride and oxide padRegrow thin ... gate oxide: 얇은 산화막을 gate 산화막으로 성장Boron threshold adjustment implant: MOS 트랜지스터의 임계 전압을 조절하기 위해 붕소 이온

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.26

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PVC/MMT COMPOSITE 예비보고서

에서 사용되는 이 재료는 세라믹을 기지로 사용하고 탄화규소(silicon carbide)나 질화붕소(boron nitride)로 구성된 단섬유나 세사로 보강된다.에폭시나 폴리에스테르 ... 는데 그 중에서 쉽게 복잡한 형태로 만들어지는 성형성을 들 수 있다.유리나 아라미드, 붕소와 같은 물질들은 아주 높은 인장과 압축 강도를 갖지만 고체 형태에서는 이 특성들이 쉽

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.08.12

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무조건 합격할 수 있는 일반,건설 기계기사 기계제작법 상세내용 요약!!!

알루미늄 분말 70% + TiC또는 TiN분말 30%,고속절삭에서 저속절삭까지 범위 넓음ⓗ 다이아몬드 : 경도가 가장 높음ⓘ 입방정 질화붕소 : 세라믹, 초경합금보다 경도 높음제 6 ... 하여 탄소를 첨입- 질화법 : 강을 암모니아가스 중에서 가열하여 질소가 흡수되어 질화물을형성하여 표면에 질화경화층 생성* 침탄법과 질화법 비교침탄법질화법- 경도 ↓- 침탄 후 열 ... 처리 O- 침탄 후 수정가능- 표면경화 시간 짧음- 변형이 큼- 침탄층이 두꺼움- 가열온도 높음(900~950℃)- 경도 ↑- 질화 후 열처리 X- 질화 후 수정 X- 표면경화 시간

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| 시험자료 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.02.26 | 수정일 2019.04.12

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[A+레포트] 탄화규소의 모든 것(A+자료)

규소 2 배 영률 - 3.1~3.2g/cm³ - 알루미나 (3.6~4.0) 보다 작음 - 질화규소 (2.1) 질화붕소 (1.9) 보다 큼 밀도 - 4MN/m³ - 알루미나 비슷 ... 2. 열전도성 1. 열팽창성탄화규소의 열적성질 `1. 열팽창성 열팽창계수는 3.7×10⁻⁶K⁻ ¹ 1 질화알류미늄 (AIN) 과 비슷 2 알루미나 (Al2O3) 의 절반 3 내열 ... ℃ ) - 450(α – SiC 소결체 ) - 600~700(REFEL 탄화규소 ) - 알루미나 , 질화규소의 중간정도 내열 충격성 - 알류미늄보다 우수 - 질화규소보다 낮

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| 리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.10.12 | 수정일 2018.08.22

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항공기용 철금속과 비철금속의 열처리 방법에 대해서 서술하시오.

, 질화법, 침탄 질화법, 고주파 담금질법, 금속 침투법, 화염 담금질법이다.침탄법은 탄소나 탄화수소계로 구성된 침탄제 속에서 가열하면 강재 표면의 화학변화에 의하여 탄소가 강재표 ... 면에 침투되어 침탄층이 형성되어 표면이 단단해지는 표면경화법이다.질화법은 암모니아 가스 중에서 500~550°C로 20~100시간 정도 가열하여 표면을 경화하는 방법이다.침탄 질화 ... 법은 다른 말로 시안화법이라고 부르며 시안화염을 주성분으로 한 염욕에 강을 가열한 후 담그면 침탄과 질화가 동시에 되는 표면경화법이다.고주파 담금질법은 철강에 고주파 전류를 이용

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.03.09

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질화물

은 결정형을 가진 질화붕소를 말한다. 성질은 다이아몬드와 비슷하고 굳기도 다이아몬드보다 약간 못할 정도로 강하여 탄소공구강, 고속도강 등 고온용 강합금의 연마, 절삭 공구 등 ... 으로 이용된다.화학성분 : 붕소(B)+질소(N)굳기 : 9.751957년 R.웬토프는 보통의 육방정계(六方晶系) 질화붕소를 1,800℃, 8만 5000기압으로 가열하여 등축정계(等軸晶系 ... 질화붕소(BN)로, 붕소화물의 일종이다. 다이아몬드처럼 입방결정구조를 띠기 때문에 입방정계 질화붕소(CBN:cubic boron nitride)라고도 한다. 질소와 붕소를 반응

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.06

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고경도 강재의 가공특성에 관한 연구

한국기계기술학회 최종근

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| 논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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재료조직 최종 보고서

이 많으면 강을 취약하게 함으로 탈산, 탈질용으로서는 0.1%이하로 첨가하는 것이 보통이다.질화물인 AlN은 미세석출하여 강의 결정립 미세화에 효과적이므로 이것을 이용해서 극미세결정립 ... 을 일으킨다.붕소(B)미량첨가(0.0005~0.003%)로서 경화능을 현저히 증가시킨다.과잉첨가되면 Fe₃B를 형성하여 적열취성을 일으킨다.코발트(Co)대부분의 합금원소는 소량첨가

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2019.03.23

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금속재료 실험

, 청화물에 의한 침탄과 질화의 두 작용을 할 수 있는 것이며, 청화법은 담금질 고속도강의 경화법에도 응용된다.2)침탄법(carburizing)침탄법은 강의 표면에 탄소을 침투 ... 시킨 다음 담금질하여 표면을 경화시키는 방법으로 고체 침탄법 액체 침탄법 가스 침탄법 등으로 분류된다.3)질화법(Nitriding)강을 암모니아 가스 중에서 고온으로 장시간 가열 ... 하면 질소와 철이 화합하여 표면이 매우 단단한 질화층이 생기는데 이를 질화법이라 한다.4)특수표면 경화법-고주경화법(induction hardening) : 고주파 전류를 이용하여 일정

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.01.20

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복합재료의 특징과종류,항공기에 적용되는 사례

는 텅스텐의 가는 필라멘트에 보론(B 붕소)을 부게 해서 만든다.(1)특징- 뛰어난 압축강도오 경도를 가지고 있다- 열팽창률이 크고 금속과의 점착성이 좋다- 취급이어렵고(작업시 위험 ... ), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr) 등과 같은 금속원소가 산소, 탄소, 질소 등과 결합하여 만든 산화물, 탄화물, 질화물로 이루어진다.(1)특징- 1200°C

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.03.21 | 수정일 2021.03.09

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복합재료의 종류와 특징, 항공기 적용사례

정도의 융점을 갖고있는 탄화물, 질화물, 산화물등의 인공적 원료 또는 화학적으로 처리한 고순도 무기 비금속 재료에 속하는 세라믹스/세라믹스 분말과 금속분말의 결합체인 서멧(c ... 를 줄일 수 있는 효과가 있다.?6. 탄화규소탄화규소와 붕소(boron, B)는 높은 인장률을 갖는 강화재료이다.??Al2O3이 산화물 세라믹스의 대표라면 SiC는 비산화물

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2018.01.05

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반도체 8대 공정 기술, 제조원료 및 제조기술(삼성 면접 자료)

는 전자 움직임 → 원자들 사이를 돌아다님 이 전자의 흐름으로 인해 전기가 통하게됨 p형 반도체 빈자리가 생기는 받개 구조 불순물 : B(붕소) – 3족 원소 자기장 받음 → 전자 하나 ... : 반응물의 기판표면으로의 확산 → 표면에서의 화학반응 → 반응하는 기판표면으로부터 반응생성물의 확산실리콘실리콘 산화물실리콘 질화물Si + HNO3 + 6HF → H2SiF6 + H

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| 리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.05.16

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