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"전자회로실험I" 검색결과 41-60 / 5,596건

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    전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 예비보고서
    은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 예비실험1) 아래 과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 그레인-소오스 저항R _{on}을 게이트 ... 보면,V _{TH} = 2.175V가 나온다.3. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital Voltmeter)은 저항 측정 모드로 설정하여 ‘on'저항 ... 을 만나게 되는데 이 만나는 점의V _{GS}값을 읽는다. 이 값이 MOSFET의 문턱전압V _{TH}이 된다.? 실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 과 같다.회로
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 12. MOSFET 차동 증폭기 결과보고서
    함으로I _{D} 를 구한다. (I _{D}를 전류계로 측정하려면V _{DD}와R _{D} 사이에 전류계를 연결해서 전류를 측정할 수 있다.) 예비실험에서 구한 표현을 사용하여 문턱전압 ... .371} over {(0.832-0.6) ^{2}} =6.893V _{DD}- = 8V일 때의 k값이 상당히 높게 나온 것을 확인할 수 있는데, 이는 처음 실험에 임할 때,I ... _{D}값을 측정하는 것을 생각하지 못하고 실험이 다 끝난 후 회로를 재구성하여 측정함에 있어 오차가 발생하였다고 생각한다.V _{DD} = 1V일 때 구한 k 값을 이용하여V
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    전자회로실험I - 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성조3조1. 실험 결과1) 오프셋 전압(offset voltage)(a) CA3046 BJT들을 회로와 같이 결선 ... 특성에 대해 알아보는 실험이었다. 먼저 차동 BJT 증폭기에는 전류 거울회로를 포함하고 있다. 전류 거울회로란 두 개의 BJT Q1, Q2의 바이어스 전류를 전류 거울회로를 가지 ... 한다. RB는 가변 저항을 사용하여 트랜지스터 Q4의 전류가 1[mA]가 되게 조절한다.R _{L} =4k OMEGA ,`V _{DD} =+5V,`V _{SS} =-5V회로 구성V _{DD
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    전자회로실험I - 실험 6. 차동 BJT 증폭기 특성 예비보고서
    }는 Q3의 소신호 출력 저항.CMRR=20log LEFT | {A _{dm}} over {A _{cm}} RIGHT |3. 예비실험1) 회로에서, pspice를 이용하여 소신호 ... . Q1/Q2의I _{C}=0.5[mA]가 되게 RB를 조절한다.R _{L} =4k OMEGA ,`V _{DD} =+5V,`V _{SS} =-5V회로 구성I _{C}=0.5[mA ... 오. 이 값이 공통 모드 소신호 이득이다. CMRR을 계산하시오.회로 구성- 100mHz에서V _{i`n}은 1V 이고,V _{out}은 약 25.7mV이므로 이를 이용해 소신호
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    전자회로실험 예비 - 7. MOSFET 기본 특성 I
    강 의 명전자회로실험강 의 번 호실 험 제 목7. MOSFET 기본 특성 I실 험 조학 번성 명예 비 보 고 서가. 실험 목적역전압이 인가된 PN 접합과 MOSFET의 게이트 캐 ... . 예비 실험 (Pspice-simulation)1) 외부 커패시터의 risetime 측정을 통한 커패시턴스 계산과 같이 RC 회로를 구성하며, 주파수 발생기의 주파수는 10kHz ... 와 같이 나옴을 알 수 있다. 이것은 이론값과 일치함을 알 수 있다. 아주 작은 오차들은 무시 할 수 있다.다. 실험 순서1) 와 같이 회로를 구성한다. 입력신호 VIN에 오실로스코프
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.04.20
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    전자회로실험I - 실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 결과보고서
    어 위의 실험 5)~7)을 반복하시오.회로 구성파형 인가입-출력 파형R _{D}=1.5[kΩ]R _{D}=5[kΩ]-R _{D}=1.5[kΩ]일 때입력 파형의V _{I`N,`P-P ... *결과보고서*실험 제목실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기조3조1. 실험 결과1) CS Amplifier(1) 의 회로를 구성하시오.(V _{DD} =15V`,`R ... 로 출력 파형을 측정하시오.V _{P-P} 값을 측정하여 표에 기록하시오.(4)R _{D}의 값을 5kΩ로 변화시켜 주어 위의 실험 1)~3)을 반복하시오.회로 구성파형 인가입-출력
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    전자회로실험I - 실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 예비보고서
    - `N,`P-P}} = {6.3381} over {39.985} =0.156(4)R _{D}의 값을 5kΩ로 변화시켜 주어 위의 실험 1)~3)을 반복하시오.회로 구성입-출력 파형 ... 하시오.V _{P-P} 값을 측정하여 표에 기록하시오.회로 구성입력 파형출력 파형- 입력 파형의V _{I`N,`P-P} = 99.997m - ( -99.306m ) = 199.303 ... `N,`P-P}} = {2.3224} over {199.303} =0.0117(8)R _{D}의 값을 5kΩ로 변화시켜 주어 위의 실험 5)~7)을 반복하시오.회로 구성입력 파형
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    전자회로실험 예비 - 8. MOSFET I-V 특성
    전류를 흘려주는 원천이며 전자 회로 설계를 구성하는 중심 블록이다. 이 실험을 통해 MOSFET 전류 소스를 사용하는 방법을 습득하게 된다.MOSFET 전류 소스의 동작 ... 수 있다.다. 실험 순서실험 1 : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정1) 과 같이 회로를 구성한다. MOSFET의 게이트-소오스 전압은 드레인 전압을 0-5V로 변화시킬 때 ... 강 의 명전자회로실험강 의 번 호실 험 제 목9. MOSFET I-V 특성실 험 조학 번성 명예 비 보 고 서가. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위
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    전자회로실험I - 실험 3. BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 3. BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성조3조1. 실험 결과1) 소신호 이득(a) CA3046에서 BJT 한 개를 회로와 같이 결선한다.R _{C ... _{out}(Ω)8.62. 비고 및 고찰이번 실험은 BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성에 대해 알아보는 실험이었다.- 실험절차 1)은 소신호 이득에 대해 알아보는 실험이다.I _{C ... }값이 0.5mA가 되게 하는V _{BB}값을 측정하고, 이때의V _{B}를 측정하여I _{B}를 구하는 실험을 먼저 하였다. 이때의I _{B}값은 5.3uA가 나왔으며, 이론
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    전자회로실험I - 실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성 예비보고서
    _{S} =50k OMEGA ,`C _{B} =10uF,`V _{CC} =10V회로 구성I _{C}=0.5[mA]가 되게 하는V _{BB}의 값은 1.2[V]가 나왔으며, 실제 ... 고주파에서의 -3dB 주파수를 구하시오.회로 구성V _{i`n}은 1V 이고,V _{out}은 약 4.35V이므로 이를 이용해 소신호 이득 값을 구해보면,{V _{out ... 값이 많이 바뀌지는 않지만, 이번에는 고주파 주파수 값이 크게 변한다는 것을 알 수 있다.4. 실험절차1) 저주파 응답(a) CA3046 BJT 한 개를 회로와 같이 결선한다.R
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    전자회로실험I - 실험 3. BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성 예비보고서
    가 회로 변수 값들이 결정 된다.r_{pi}=V_{T}/I_{B},g_{m} =I_{C}/V_{T},r_{0}=V_{AF}/I_{C}의 BJT Q1을 의 소신호 등가회로로 대체하고, 과 같은 전체 소신호 등가회로를 구성할 수 있다. Midband(f _{L} ... *예비보고서*실험 제목실험 3. BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성조3조1. 실험 목적커패시터 결합 BJT 공통 이미터 ·증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항 ... 은 비교적 낮은 편이다.1) BJT CE 증폭기 DC 바이어스 해석다른 BJT 혹은 MOSFET 회로와 마찬가지로 이 회로 또한 BJT를 구동시키기 위한 바이어스 회로와 신호를 입력
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    | 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성조3조1. 실험 결과1) 저주파 응답(a) CA3046 BJT 한 개를 회로와 같이 결선한다.R _{B ... 다. Common Emitter의 소신호 이득과 주파수 특성 중에서 저주파 특성에 대한 실험이다.I _{C}값이 0.5mA가 되게 하는V _{BB}값을 측정하고, 이때의V _{B ... }를 측정하여I _{B}를 구하는 실험을 먼저 하였다. 이때의I _{B}값은 9.2uA가 나왔으며, 이론적으로 대략 4-5uA(BJT 소자에 따라 값이 조금씩 다름) 정도라는 것과 예비
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    | 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 13. MOSFET 공통 소스 증폭기 주파수 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 13. MOSFET 공통 소스 증폭기 주파수 특성조3조1. 실험 결과실험 I. 전류 소오스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET 공통 소오스 증폭기1 ... ) 회로의 구성- 과 같은 회로를 구성한다. 부하는 전류 소오스인 M2, M3 트랜지스터에 의해 구성되며 저항R _{B}=100[kΩ]을 사용하면 DC 전류I _{D}APPROX ... 30[uA]가 된다. 오실로스코프를 이용하여 입력과 출력 전압을 모니터하며 만약 필요하다면 DVM으로 더 정확한 측정을 한다.회로 구성I _{D}APPROX 30[uA]위와 같이
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 13. MOSFET 공통 소스 증폭기 주파수 특성 예비보고서
    위한 우회(bypass) 캐패시터를 회로 기판의 레일 선에 사용해야 한다.2. 실험 순서실험 I. 전류 소오스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET 공통 소오스 증폭기1) 회로 ... V가 되는 것을 확인하라.회로 구성DC 전압이 실험 Ⅰ과 동일할 때 출력 전압은 2.5V가 되는 지 확인- 실험 I과 마찬가지로 Vin이 3.0154V일 때 출력 전압이 2.5V ... 한다.공통 소오스 증폭기는 높은 이득과 입력 저항이 크기 때문에 높은 이득을 필요로 하는 회로에 널리 사용된다. 이 회로는 또한 차동 증폭기의 한 부분을 구성하고 있다.본 실험을 통해
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    | 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 수동(저항) 부하 예비보고서
    }을 변화시키면서 드레인 전류I _{D}를 측정하면 과 같다.2) Amp 회로의 구성전원 공급기V _{DD}와 저항R _{D}를 와 같이 연결함으로써 MOSFET에 흐르는 전류i ... }는 게이트에 인가된 DC전압을 의미하며 게이트에 인가된 전압이 더 증가하면 드레인 전류i _{D}는 증가한다. 적정한 게이트의 전압에서 MOSFET에 직렬 연결된 적당한 저항 R은 회로 ... 선택되어 지면 부하선은 MOSFET의 게이트 전압에 따른i _{D} -v _{DS}의 곡선의 일부분과 만나게 되어 주어진 회로가 증폭기로 동작할 수 있는 여유를 주지 못하게 된다
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 수동(저항) 부하 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 10. MOSFET 공통 소오스 증폭기 : 수동(저항) 부하조3조1. 실험 결과1) 회로의 구성은 과 같다.저항을 부하로 사용한 공통 소오스 증폭기 ... .회로 구성파형 인가XY출력 파형- XY 출력 및 출력 파형출력된 그래프를 살펴보면, 먼저 실제의V _{i`n} -V _{out}에 대한 그래프와 같은 모양의 파형이 출력되었다는 것 ... 을 실험 노트에 기록한다. 이 값은 이후 측정하고자 하는 증폭기의 이득 값이 될 것이다.8) 다시“YT" 모드로 되돌아가서 오실로스코프의 창에 위 범위에서의V _{i`n},V
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    | 리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 4. BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 4. BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기 특성조3조1. 실험 결과1) CC 소신호 이득(a) CA3046에서 BJT 한 개를 회로 ... 알아보는 실험이었다.- 실험절차 1)은 CC 소신호 이득에 대해 알아보는 실험이다. Common Collector의 소신호 이득과 위상 차이에 대한 실험이다.I _{C}값이 0.5mA ... 가 되게 하는V _{BB}값을 측정하고, 이때의V _{B}를 측정하여I _{B}를 구하는 실험을 먼저 하였다. 이때의I _{B}값은 7uA가 나왔으며, 이론적으로 대략 7~8uA
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 4. BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기 특성 예비보고서
    _{ C}∥R _{ Lvar})]R_{ i n}=1/g _{ m}R_{ out}=R _{ C}∥R _{ Lvar}3. 예비실험1) 회로에서, PSPICE를 이용하여 소신호 이득 ... ) PSPICE를 이용하여 의 회로에 대해서 예비실험 1), 2) 3)을 반복하시오.I_C=0.5mA가 되게 VBB를 조절한다. Transient 시뮬레이션 시에는 출력 전압이 포화 ... (midband)DC 바이어스 해석을 통해서 나온 전류 값을 가지고 소신호 등가 회로 변수 값들이 결정된다.r _{pi } = {V _{T}} over {I _{B}} ,``g _{m
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 예비보고서
    예비보고서실험7.MOSFET 기본 특성 I20080653212조권태영1. 실험 목적- 역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 커패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이 ... 인지를 확인하고, 그 이후 먼저 전원을 'OFF' 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’ 시킨 수 회로를 변경한다.2. 예비 실험1)외부 ... 이 같아야 하고, 실험을 하게 된다면 이상적인 캐패시터가 아니기 때문에 오차가 발생 할 것 같습니다.2) 역전압이 인가된 PN 다이오드의 커패시턴스 측정■ 회로를 과 같이 구성
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24
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    전자회로실험7 MOSFET 기본 특성 I 결과보고서
    의 용량은 매우 작으므로 브레드보드와 프로브의 기생 커패시턴스 효과를 알 수 있다는 것 이었습니다. 기본적인 전자회로의 개념들을 토대로 실험에 임하였는데 우선첫 번째 실험 1 ... .2. 실험 결과 및 분석1) 와 같이 회로를 구성한다. 입력신호 VIN에 오시로스코프의 CH1을 연결하고 네모파를 전압 0-5V, 주파수 5KHz로 입력한다. VOUT에는 스코프 ... 는데 실험 결과 값 보다 시뮬레이션 값이 이상적인 결과에 좀 더 근접함을 알 수 있었습니다.2) 역전압이 인가된 PN다이오드의 커패시턴스 측정= 그림 7.3과 같이 회로를 구성 한 후
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.06.24
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