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전자회로실험 pn접합 캐패시턴스 bjt트랜지스터 시립대 전전설1 고급전자회로 mosfet 전전설3 bjt 증폭기 결과
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"전자회로실험I" 검색결과 21-40 / 5,596건

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    전자회로실험I - 실험 1. 다이오드 응용회로 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 1. 다이오드 응용회로조13조1. 실험 결과1) 실험 I회로 구성출력값위의 그래프 파형은 노란색은 다이오드 양단의 전압이다. 사진에서는 저항 양단 ... 실험 (1)-(3) 단계를 반복하시오.2) 실험 II회로 구성출력값오실로스코프를 사용하여 변압기의 출력 파형과 출력 V_{m}값은 얼마인지 측정하시오.- 실험결과 = Vm = 19 ... 에 걸리는 파형이 나와있지 않지만, 다이오드에 순방향 전압이 걸릴 때는 저항에 전압이 걸리지만 역방향일 때는 흐르지 않음을 알 수 있는 실험이다.전압[V]00.10.20.30.40.50
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    | 리포트 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 1. 다이오드 응용회로 예비보고서
    *예비보고서*2주차실험 1. 다이오드 응용회로조3조1. 실험 목적본 실험은 다이오드 특성, 그 응용, 그리도 DC 전원공급기 구성 등 3개의 절로 구성되어 있다.1. 순방향과 역 ... 의 특성을 비교, 이해한다.I. 다이오드 특성1. 이론다이오드는 비선형, 두 단자 반도체소자이다. 두 단자를 cathode(음극, 전자가 나오는 단자), anode(양극)이라고 부른다 ... 어야 한다. 만약 함수 발생기의 전압이 이에 미치지 못하면 낮은 저항 값을 선택하여야 한다.2. 예비실험(1) PSpice의 다이오드 회로를 와 같이 설정하고 전압 소오스는 0-`5V
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    | 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 7. MOSFET 기본 특성 I 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 7. MOSFET 기본 특성 I조3조1. 실험 결과1) 와 같이 회로를 구성한다. 입력신호V _{IN}에 오실로스코프의 CH1을 연결하고 네모파(s ... 기에는 0-5V의 네모파를 입력하는데 그 주파수는 다이오드의 접합 캐패시턴스는 100pF보다 작으므로 주기 10kHz 이상이 되도록 실험자가 결정한다.회로 구성파형 인가t _{R ... quare wave)를 전압 0-5[V], 주파수 5[Hz]로 입력한다.V _{OUT}에는 스코프의 CH2를 연결한다.회로 구성파형 인가t _{R}t _{F}-t _{R},t _{F
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 7. MOSFET 기본 특성 I 예비보고서
    *예비보고서*실험 제목실험 7. MOSFET 기본 특성 I조3조1. 실험 목적역전압이 인가된 PN 접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이들 캐패 ... 하고, 그 이후 먼저 전원을 ‘OFF’ 시킨 후 보드에 연결한다. 또한 회로를 변경하기 위해서는 전원을 먼저 ‘OFF’시킨 후 회로를 변경한다.2. 예비실험1) 외부 캐패시터 ... 100pF은 ±10%~±20%의 오차가 있음을 기억하라.- 위의 회로에서 시뮬레이션을 실행한 결과,t _{R}과t _{F}의 값의 오차가 너무 크게 나와, 예비실험처럼 PW
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기
    하였습니다.3. 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET CS, CG, CD Amplifer에 대해 알아보는 실험이었습니다.첫 번째 회로는 CS Amplifer에 대한 회로이 ... . 따라서 CD Amplifer 회로는 출력전압을 입력전압에 비해 DC 기준값만 이동(level shift)한 파형을 얻을 수 있도록 해줍니다. 실험 결과 값도 출력전압이 입력전압 ... [실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기 (결과보고서)]1. 실험결과1) CS AmplifierR _{D} =1.5k OMEGA R _{D} =5k OMEGA2
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 5.단일 BJT 증폭기의 주파수 특성
    }} over {I _{B}},g _{m} = {I _{C}} over {V _{T}},r _{0} = {V _{AF}} over {I _{C}} 의 BJT Q1은 의 소신호 등가회로가 된다 ... .은 전체 소신호 등가회로이다.Midband(fL 1,`R _{L} SIM R _{S} ,`r _{pi }>> R_S)3. 실험 절차1) 저주파 응답(a) CA3046에서 BJT ... [실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성(예비 보고서)]1. 실험목적커패시터 결합 BJT 증폭기의 저주파 특성과, BJT 소자 자체의 기생성분에 의해 제한받는 고주파 특성
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 5. 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성
    .560.562. 비고 및 고찰이번 실험은 단일 BJT 증폭기의 주파수 특성을 알아보는 실험을 하였습니다.첫 번째 회로는 CE 저주파 응답을 알 수 있는 실험이었습니다. 캐패시터 ... 가 10nF인 회로를 결선하고I _{C} =0.5mA가 되도록 만들기 위해V _{BB}를 변화시켰습니다.V _{BB} =1.4V가 될 때I _{C} =0.5mA로 나왔고, 이 때V ... .96이므로I _{B} =4.4 mu A가 계산되어 나왔습니다. 실험에서 직접 측정한 결과가 IB=5μA으로 나와 계산값과 0.6μA 정도의 근소한 오차를 확인하였습니다.콜렉터의 DC
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    전자회로실험I - 실험 9. MOSFET I-V 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 9. MOSFET I-V 특성조3조1. 실험 결과실험 I : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정1) 오실로스코프의 화면의 출력 전류I _{D}를V ... 하여 구한R _{on}값과도 비교한다.회로 구성파형 인가출력 파형< I-V 특성 >- 트라이오드 영역에서의 저항 값R _{on}Y-축의 한 눈금 당 200μA이며, < I-V 특성 ... _{GS}를 측정하여 구한R _{on} 값이 약 0.65kΩ의 오차를 보이지만, 거의 비슷한 값이 측정되었다는 것을 알 수 있다.3) 실험적으로 얻은 의 I-V곡선에서V _{DS(T
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 13. MOSFET 공통 소오스 증폭기 주파수 특성
    [실험 13. MOSFET 공통 소오스 증폭기 주파수 특성 (결과보고서)]1. 실험 결과실험Ⅰ. 전류 소오스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET 공통 소오스 증폭기1) 회로 ... DEG 0 prime `0 ''7) 단일이득(Unity Gain) 주파수 및 이득-주파수 폭 곱(Gain-Bandwidth Product)2. 비고 및 고찰이번 실험은 MOSFET ... 공통 소오스 증폭기 주파수 특성에 대해 알아보는 실험이었습니다.전류 소스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET common source 증폭기의 특성을 측정
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    전자회로실험I - 실험 9. MOSFET I-V 특성 예비보고서
    전압V _{DS}의 크기에 따른 동작 특성전류 소오스 증폭기를 구성하는 여러 단에 DC 일정 전류를 흘려주는 원천이며 전자회로 설계를 구성하는 중심 블록이다. 이 실험을 통해 ... 해야 한다.실험에서는 서로 다른 값의R _{B}를 선택하여 드레인 전류가 흐르도록 한다. 회로를 설계하는데V _{SG} ,R _{B}에 대해 PMOSFET의 전류I _{D}와V _{SG ... 3. 실험 I : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정1) 과 같이 회로를 구성한다. MOSFET의 게이스-소오스 전압은 드레인 전압을 0-5V로 변화시킬 때 일정하게 유지
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 13. MOSFET 공통 소오스 증폭기 주파수 특성
    MOSFET 공통 소오스 증폭기1) 회로의 구성- 과 같이 회로를 구성한다.2) DC 전압- 능동부하를 사용한 앞 절의 실험에서 사용했던 주파수 발생기의 DC 전압 즉 입력전압V ... [실험 13. MOSFET 공통 소오스 증폭기 주파수 특성 (예비보고서)]1. 실험 목적- 능동 부하를 사용하여 이득을 얻기 위한 적당한 DC 전압의 중요성과 그 설정의 어려움 ... 할 때, 밴드 폭 (Bandsidth:BW)BW TIMES t _{R} =0.35의 관계를 이용하여 즉각BW(f _{3dB} )를 유추2. 실험 순서실험 1. 전류 소오스를 부하
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    | 리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자회로실험I - 실험 2. BJT DC 특성 예비보고서
    *예비보고서*실험 제목실험 2. BJT DC 특성조3조1. 실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC특성인beta_{F}-I_C,I_{C}-V ... 농합은 소신호 등가회로에서 출력 저항r_0에 비례하며,r_0는 BJT가 아날로그 전자 회로에서 능동 부하로 사용될 때의 등가 저항이 되며, 소신호 등가 회로에서의 트랜스콘덕턴스g ... 의 콜렉JT 한 개를 회로와 같이 결선하시오.R _{C} =1kΩ,R _{B} =100kΩ,R _{E} =100Ω,V _{CC} =10 SIM 20V → 실험 b를 하면서 회로를 꾸며
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 4. BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기 특성
    .508mA가 될 때 VBB=6.1V이고 VB=5.697V의 실험 결과 값을 얻었습니다. 이 결과값을 바탕으로V _{BB} =R _{B} BULLET I _{B} +V _{B} 공식 ... 는지 실험에서 직접 IB를 측정하였는데I _{B} =6.6 mu A가 나와서 베이스 전류 측정하는 실험에서도 2.57μA만큼의 미세한 오차가 생겼지만 매우 적은 오차라서 실험이 이론 ... 보다 매우 많이 크게 나온 것을 확인하였습니다.BJT CC 실험에서 3장 실험과 비슷한 점이 많아 금방 실험이 될 것 같았는데 생각보다 잘 되지 않았습니다. 회로 결선 및 소자의 망가짐
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    | 리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자회로실험I - 실험 2. BJT DC 특성 결과보고서
    *결과보고서*실험 제목실험 2. BJT DC 특성조3조1. 실험 결과1)beta _{F} -I _{c}특성(a) CA3046에서 BJT 한 개를 회로와 같이 결선하시오.(R ... _{c} =1k OMEGA ,R _{B} =100k OMEGA ,R _{E} =100 OMEGA ,V _{cc} =10 SIM 20V)회로 구성(b)I _{c} =1mA가 나오도록V ... _{F} -I _{c} 값에 대하여 어떠한 관계를 가지는 지에 대해 알아보는 실험이다. 먼저V _{CC}값은 4V로 고정시키고I _{C} =1mA가 되게V _{BB}의 값을 변화
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    | 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 예비보고서 실험 4. BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기 특성
    1. 실험 목적 커패시터 결합 BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항을 측정한다.2. 이론1) BJT CC 증폭기 - 입력 ... 은 커지지만 위상 반전이 일어나지 않음.- 입력 저항은 적고 출력 저항은 크며 Miller 효과가 없기 때문에 주파수 특성 좋음.3. 실험순서 및 시뮬레이션 1) CC 소신호 이득 ... (a) CA3046에서 BJT 한 개를 회로와 같이 결선합니다. RB=100kΩ, RE=10kΩ, RSvar=0, RLvar=∞, VCC=10V (b
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자회로실험(MOSFET I-V 특성 예비보고서)
    _{GS})에 의해 정해지는 일정한 전류전류 소오스: 증폭기를 구헝하는 여러 단에 DC 일정 전류를 흘려주는 원천. 전자회로설계를 구성하는 중심 블록. 이 실험을 통해 MOSFET ... 예비보고서실험9. MOSFETI-V 특성1. 실험목적본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다.본 실험을 수행함으로써 실험자는 다음을 습득 ... 하게 된다.BULLET N-채널 MOSFET의 I _{d} -V _{DS`} 특성을 이해한다.BULLET 트라이오드 영역과 포화영역을 이해한다.BULLET 드레인-소오스 사이의 채널
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.02
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    전자회로실험(MOSFET I-V 특성 결과보고서)
    }는 0.4976mA, 반면에 R _{B}의 저항이 51kΩ일 때의 실험은 I _{B}가 0.6072 mu A였다. 사실, 전류미러는 전자회로 시간에 아직 배우지 못한 이론 이 ... 였다. 실험이 끝난 뒤에 전자회로시간을 통해 배우게 된다는 점이 아쉽긴 하지만, 수업시간에 전류미러를 더 잘 이해할 수 있을 것 같다. ... 한 I-V 특성 측정1) 과 같이 회로를 구성한다. MOSFET의 게이트 - 소오스 전압은 드레인 전압을 -5V로 변화시킬 때 일정하게 유지된다. MOSFET의 소오스 단자에서의 옴
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.11.02
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    충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 2, 3. BJT DC 특성, BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성
    로부터 콜렉터로의 전자 이동량이 베이스로부터 에미터로의 정공 주입량보다 훨씬 많다고 했었는데 실험과 일치함을 알 수 있었습니다.그리고 실험값으로 계산하였던 전류이득 βF가 계속 올라가다가I ... ) 증폭기 특성에 대해 알아보는 실험이었습니다.소신호 이득을 알아보는 실험을 하기위해 회로를 결선하고I _{C} =0.5mA가 되도록V _{BB} =2.2V에 맞추었습니다. 이 때V ... 1. 실험 결과1)beta _{F} -I _{c}특성V _{CC} =10V로 고정.I _{C} =1mA가 될 때V _{BB} =1.2VI _{C} (mA)0.10.612369I
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    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.24
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    전자회로실험I - 실험 12. MOSFET 차동 증폭기 예비보고서
    다. 이 증폭기는 서로 대칭되는 MOSFET들을 차등 쌍으로 구성할 때 나타나는 특징을 이용하는 회로로써 집적회로에서 중요한 위치를 차지하고 있다. 이 실험을 통해 학생은 다음을 습득 ... 소오스로 이용에 대한 이해? 전류 미러를 능동부하로 사용하여 차등증폭기의 이득을 증가시키는 회로에 응용할 수 있도록 학습능력을 부여함.2. 예비실험1) 문턱전압(V _{T ... })과 k 값의 대칭 검증다음 과 같이 회로를 구성하여, 서로 다른V _{DD}값에 대해 만약V _{DS} (=V _{GS} ) 전압 값과 전류I _{D}를 아는 경우, 트랜지스터의 변수
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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    전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 예비보고서
    은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.2. 예비실험1) 아래 과 같은 회로에서, DMM을 사용하여 그레인-소오스 저항R _{on}을 게이트 ... 보면,V _{TH} = 2.175V가 나온다.3. 실험 순서1) 와 같은 회로를 구성한다. 이때 DVM(Digital Voltmeter)은 저항 측정 모드로 설정하여 ‘on'저항 ... 을 만나게 되는데 이 만나는 점의V _{GS}값을 읽는다. 이 값이 MOSFET의 문턱전압V _{TH}이 된다.? 실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 과 같다.회로
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    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.04.02
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