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스퍼터링 증착 Sputter 전기화학 ito glass sputtering 목적 박막공정
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"스퍼터링" 검색결과 441-460 / 947건

  • 자료 표지
    Cu film의 전기적 특성분석 실험
    % 이내의 측정정확도를 갖고 있다.2. sputter : 스퍼터(Sputter)는 스퍼터링 방식으로 박막을 제조하는 장치로 진공 상태에서 아르곤 가스를 소량 주입하고 한편에는 재료 ... 을 붙여서 효율을 향상시킨다.불활성 기체로 아르곤 이외에 크세논이 사용되기도 한다. 산소, 질소등의 반응성 기체를 첨가하여 반응성 스퍼터링을 하여 산화물과 질화물 박막을 제조 ... 한다.스퍼터의 종류로는 DC sputtering과 RF sputtering이 있다. DC sputtering은 직류전원을 이용한 스퍼터링으로 타겟이 산화물이나 절연체일 경우는 스퍼터링 되
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.12
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  • 자료 표지
    멜트 스피닝 (melt spinning)
    목 차? 멜트 스피닝(melt spinning)? 실험 목적? 실험 방법 및 과정? 실험 결과 및 고찰? 비정질을 형성하는 실험방법 3가지- 스퍼터링- 진공증착- 이온플래이팅멜트
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.01.12
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  • 자료 표지
    Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비
    지만 스퍼터링법으로 만들어진 것은 Si 을 고온에서 산화할 때 얻어진 막에 가까운 성질을 나타낸다는 것을 알 수 있다. 스퍼터링에 의한 박막형성의 속도는 일반적으로 상당히 느려서 십~수십 ... 에서의 플라즈마 밀도를 높인 planar magnetron형의 스퍼터링장치가 개발되었다. 이런 형의 타게트는 막의 형성속도를 수배로부터 약 10배까지 증가한다. 이 형의 변형으로서 주로 ... 금속피막 형성에 이용되고 있는 sputter gun이 있고 전자빔 증착장치와 동일한 용도로 이용되고 있다. Planar magnetron형 고속 스퍼터링 장치에서는 in-line
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08
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  • 자료 표지
    [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트
    에전체를 형성하기 위해서 스퍼터링, CVD 및 ALD를 이용해서 증착한다.TiO2TiO2는 약 40~86 정도의 비유전율을 갖는 high-k 물질이다. TiO2는 결정면이나 결정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08
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    DSSC시간변위
    염료감응형태양전지스퍼터링 시간 변위에 따른 효율비교-결과 보고서-목차1.실험목적2.기초이론 및 원리3.준비 기구 및 장치4.실험과정5.실험결과6.토의 및 고찰7.인용 및 참고문헌 ... 된 혼합된 sol을 이용하여 dipping-withdrawing을 반복함으로써 TiO2 박막을 제작할 수 있다.3. 준비 기구 및 장치ㅡTiO2, 진공 스퍼터링 장치, 초음파 세척기 ... 300℃, pest온도 450℃, 압력 10mtorr, 아르곤가스 30sccm에서 30분간 스퍼터링 작업을 해준다.⑨ 접합 - 염료에서 Anode가 될 글라스를 꺼내 무소 알콜로 닦
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16 | 수정일 2018.05.10
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  • 자료 표지
    Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu/Ti 박막의 후열처리 온도에 따른 Cu-silicide형성과 비저항에 미치는 영향의 특성평가실험
    . 이론적 배경스퍼터링: 높은 에너지(>30eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해 줌으로써 target 원자들이 방출되는 현상.(1) 이온 ... 과 고체 표면과의 반응.① 이온반사② 전자방출: 2차전자(secondary electron)③ 이온주입④ Radiation damage⑤ 스퍼터링(2) 스퍼터링 원리스퍼터링 과정 ... 금속 원자 한 개 승화시 필요한 에너지: 3~5eV)→ 대부분의 에너지가 열로 방출, 일부 에너지만이 스퍼터링에 이용.(3) 스퍼터율(sputter yield)스퍼터율: 하나의 양
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.26
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  • 자료 표지
    85화합물 반도체 공정(유전막 증착)
    커패시터(축전지)와 트랜지스터의 기본 구성단위인 게이트를 절연. 유전막의 예 SiO2PVD( 물리적 증착 방법)1Sputtering(스퍼터링)2Vacuum Evaporation(진공 ... 증착)3E-Beam Evaporation(전자빔 증착)Sputtering(스퍼터링)스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견됨. 스퍼터링(s ... ) 고진공이 아니므로 불순물 증착Sputtering의 특징Sputtering의 종류DC 스퍼터링 RF 스퍼터링 Magnetron 스퍼터링 그 밖의 스퍼터링 - 3극 스퍼터링
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    | 리포트 | 43페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
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  • 자료 표지
    cigs의 개요 원리 구성및특성 박막성장기술 장단점 고효울화방안
    CIGS목차 CIGS 의 개요 및 필요성 , 태양전지 분류 각각 태양전지 간략한 설명 CIGS 원리 CIGS 의 구성 및 CIGS 박막 성장기술 증발법 스퍼터링 CBD 법 ... * 면적만큼의 효율 손실요인 CIGS 구조CIGS 구조CIGS 박막성장기술 - 진공증발법 - 스퍼터링 -ETCCIGS 박막성장기술CIGS 는 4 개의 원소로 이루어진 다원화합물이기 때문 ... 하여 박막 중에 불순물 이 흡입될 가능성이 있다 .CIGS 박막증착 ( 스퍼터링 ) 진공증발법과 함께 태양전지 효율에 있어 가장 중요한 Absorber layer( 광흡수
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    | 리포트 | 62페이지 | 4,000원 | 등록일 2012.05.26
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  • 판매자 표지 자료 표지
    SPUTTER
    에너지로 충돌할 경우 입자 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상 - 스퍼터링(sputtering) 현상 ... 스퍼터링에서 전자는 자장과 전기장에 의해 Lorentz의 힘을 받아 선회 운동(gyration)을 하며 가속되기 때문에 나선 운동을 한다. 타겟 근처에서 전자가 벗어나지 못하게 하 ... 생겨 discharge 전류가 증가하고 스퍼터 속도가 향상된다. 박막의 증착 속도는 DC 스퍼터링에 비해 약 50배 정도 증착 압력 1mTorr까지 가능 전형적인 자장의 세기
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    | 리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
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  • 자료 표지
    [금속재료공학]FCCL
    , 구리를 스퍼터링 한 후 구리도금을 하여 각각의 경우에 따라서나타나는 부착력의 정도를 테스트 한다.3. 관련 이론FPCB의 특징인쇄회로기판(Printed Circuit Board)이란 ... ) = 66고찰이번 실험은 PI 판 위에 구리 스퍼터링을 하여 부착력을 테스트하여 알아보는 실험이었다.부착력 테스트를 peel tester 기를 이용하여 측정하는데, 이 테스트기의 측정 ... 원리는인장시험기와 비슷하다, 미세한 하중을 주어 그 강도를 측정하는 방법으로 부착력을 알아보는데 사용된다.하지만 부착력 테스트를 하기위해서는 여기에서 스퍼터링을 하여 입힌 구리
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.08
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  • 자료 표지
    [발광디스플레이 실험] CNT 성장을 위한 기본 기판 만들기
    으로 photoresist가 제거된다. wafer위에는 pattern 대로 생성된 산화막 만이 남음으로써 photolithography 과정이 완성된다.2) Sputter의 원리스퍼터링 현상 ... 은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 스퍼터링은 높은 에너지(＞30eV)를 가진 입자들이 target에 충돌 ... 하여 target원자들이 방출되는 현상이다. 만일 충돌하는 입자들이 양이온이라면 cathodic sputtering이라고 부른다. 대부분의 스퍼터링은 cathodic s
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    | 리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.01
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  • 자료 표지
    SK하이닉스 17소자 최종합격 자소서입니다.
    하며 반도체 소자에 대한 지식을 쌓을 수 있었습니다. 4학년 1학기에는 반도체 랩실에서 MOS 캐패시터를 제작하는 실험을 했습니다. ALD 증착, 스퍼터링 이후 프로브 장비를 이용해 결과
    Non-Ai HUMAN
    | 자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2017.11.04
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  • 자료 표지
    SnAgCu계 무연솔더의 전기화학적 반응에 따른 타펠 특성
    한국재료학회 홍원식, 김광배
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
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  • 자료 표지
    [공학기술]ion plating(이온도금)
    면서 막을 증착하는 공정으로 증발 증착(evaporation)과 스퍼터링(sputtering)을 혼합한 증착 방법이다.이온 도금이라는 용어는 Mattox가 처음으로 도입하였지만[13 ... 으로 하여 스퍼터링(sputtering)이 이루어 지고 있다고 생각할 수 있다. 그러나 실제로 기판이 스퍼터링될 정도로 충돌하는이온의 에너지가 높지는 않다.이온 도금은 다음과 같 ... 는 기체 입자들 간의 충돌(gas scattering), entrainment, 막의 스퍼터링에 따른 결과로 얻어지며 결국 증착 속도는 감소하게 된다. 높은 “throwing
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    | 리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08
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  • 자료 표지
    진공 및 박막 실험 최종 보고서
    처리물 표면에 전학 축척되어 스퍼터링할 수 없는 경우에 사용한다. 만일 전극주위에 플라즈마가 모여 있고 AC전압이 작용된 경우, 전자와 이온은 질량의 차이로 전자의 이동도가 더 크 ... 므로그림 8 RF 판형 다이오드 스퍼터링 음극에 발생된 것보다 훨씬 더 많은 전자전류가 양극에 발생될 수 있다. 이때 플라즈마 전압에 대하여 부전위가 흘러 피처리물을 스퍼터링할 수 ... 전압 싸이클 동안 흐르는 이온의 총흐름은 짧은 정싸이클 동안 흐르는 전자흐름과 같기 위해서 전극은 음으로 바이어스 되어야 한다. 그래서 충분한 스퍼터링을 일으키기 위해서는 싸이클
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    | 리포트 | 53페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.11.24
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  • 자료 표지
    Working Pressure에 따른 Ti의 증착율과 비저항의 변화
    가스를 이용해 RF & DC 스퍼터링 방법으로 증착을 한다.스퍼터링 시스템은 크게 substrate susceptor를 포함하는 주 공정 체임버와 개별적으로 진공이 형성되며 주
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.10.02
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  • 자료 표지
    [예비보고서] RF-Magnetron Sputter를 이용한 박막 증착 원리 이해
    (direct current, DC)일 경우를 직류스퍼터링법(DC sputtering methode)라 하며 일반적으로 전도체의 sputtering에 사용된다. 절연체와 같은 부도체 ... 하는 스퍼터링법을 교류스퍼터링(RF sputtering)법이라 한다. RF sputtering법은 다른 디지털 회로의 noise 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise ... filter나 절연체에 의한 차폐와 접지가 중요하다.마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)이란 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 집진
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.21
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  • 판매자 표지 자료 표지
    플라즈마를 이용한 Sputtering과 식각 (GZO증착)
    기 때문에 산란에 의한 영향이 적은 것으로 보인다.증착시간이 증가함에 따라 면저항은 크게 감소하였다. 스퍼터링 하게 되면 기판에 결정이 성장하는데 이 때 결정성이 높아지면 캐리어 ... 의 이동이 용이해져 저항이 감소하고 전도도가 증가한다. 따라서 스퍼터링 시간을 길게 해 박막의 두께를 높일수록 저항이 감소하게 되는 것이다.
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.07.01 | 수정일 2019.06.07
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    생명화학공학실습 - 은 잉크 영어 논문 번역 및 요약 과제 레포트
    는 전도성 통로 비 전도성 기판을 제조하는데 사용되었다. 또한, 전자 산업에서, 스퍼터링과 에어 브러시 스프레이는 현재 전도성 전극을 증착하는 기술로 사용 되고있다. 복잡 할뿐
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.12.21 | 수정일 2022.01.02
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    반도체 제조 공정의 종류와 기법 서술
    화의 경우 디씨 방식을 주로 사용하며, 알에프 방식은 주로 유전체 박막의 증착에 이용 된다.㉢ 스퍼터링(Sputtering) 방법의 특징열에너지를 이용하는 이베퍼레이션 방식 ... 과는 달리 물리적인 운동에너지를 이용스퍼터링 방식은 많은 플럭스 라인으로 인해 그림 (a)와 같이 웨이퍼 표면에 여러 방향으로 증착이 가능하여 웨이퍼 전면의 두께가 이베퍼레이션 방식
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    | 리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2015.06.09
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2025년 10월 21일 화요일
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