"갈륨비소반도체"의 검색결과 입니다.

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"갈륨비소반도체" 검색결과 381-400 / 526건

실험6. 스위칭 레귤레이터 회로(예비)

)나 게르마늄(Ge)에 3가의 불순물 알루미늄(Al), 붕소(B),갈륨 (Ga) 등을 이용하여 만든 반도체다. 이때 다수케리어는 정공이 되고 소수케리어는 전자이다. 또, 3가원자를 억셉터 ... (acceptor)원자라 한다. N형반도체는 순수한 4가의 반도체 실리콘(Si)나 게르마늄(Ge)에 5가의 불순물 인(P),비소(As),안티몬(Sb) 등을 이용하여 만든 반도체다 ... 형 반도체를 접합하여 PN접합다이오드를 만들어 정류작용과 검파작용을 한다. P형반도체= (+)에노드, N형반도체= (-)케소드이다. P형반도체는 순수한 4가의 반도체 실리콘(Si

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.07

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전계효과 트랜지스터

고 있으며, 논리 회로소자의 집적 회로외에 아날로그 스위치/전자 볼륨에도 응용된다. 극초단파이상에서는 실리콘보다 캐리어의 이동도가 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용 ... 부분이 반도체의 산화 피막상의 금속 전극이 되어 있는 것이다. 현재의 집적 회로의 주류가 되고 있는 소자이며 p/n 모두 같은 형태를 가지는 회로의 경우에는 양형을 모아서 ... CMOS형 (상보형 MOS, Complemetary MOS)이라고 부른다.? 접합형 (Junction FET, JFET)?: 게이트 부분이 보통 트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.01

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[공학]반도체 다이오드의 특성

에 의해서 결정된다.불순물로서는 인 ·비소 ·알루미늄 ·붕소가 일반적이며, 5족원소는 n형 반도체, 3족원소는 p형 반도체로 된다. 결정 속에 불순물 및 결함을 포함하지 않은 반도체 ... 를 진성반도체라고 한다.?- 반도체의 전기 전도율은 불순물의 존재에 의해 크게 좌우된다. 4가인 게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si)의 결정에 극소량의 5가인 인(P), 비소(As ... 실험 1 반도체 다이오드의 특성1. 목적1) 반도체 다이오드의 동작 특성을 이해하고, 순방향 및 역방향 바이어스 효과를 고찰한다.2) 반도체 다이오드의 전압 - 전류 특성을 측정

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.19

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[공학]트랜지스터에 대하여

(單體)인 n이나 p이며, 유니폴러디바이스에 속한다. 한편 최근의 트랜지스터로는 마이크로파 트랜지스터로 갈륨-비소반도체를 소재로 한 트랜지스터가 개발되어 있다. 또 파워 트랜지스터 이외에는 단체로서 쓰이지 않으며, 집적회로에 회로로 짜서 넣는 경우가 많다. ... ?트랜지스터의 정의와 특성트랜지스터는 반도체를 이용하여 만든 전자 부품의 하나이다(능동소자(能動素子)). 게르마늄이란 금속에 붕소를 조금 넣으면 양전기(+)가 잘 통하는 반도체 ... 가 되고, 규소를 조금 섞으면 음전기(-)가 잘 통하는 반도체가 된다. 이들은 진공관처럼 전기를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용과 약한 전류를 센 전류로 만드는 증폭작용을 한다

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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[LED]형광등 및 LED의 발광원리

)LED의 발광원리(3)LED의 다양한 빛깔LED 발광 물질3족 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In) 5족 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 비소화갈륨 ... (GaAs), 인화갈륨(GaP), 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN), 비소화인듐(InAs), 인화인듐(InP) 적색LED 인듐-갈륨-인 (InGaP) 청색LED 인듐-갈륨-질소 ... LED(Light Emitting Diode)란?발광다이오드의 약자로 화합물반도체의 특성을 이용해 전기신호를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는데 사용되는 반도체

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.23 | 수정일 2025.01.21

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[의공학]의료에서 레이저의 이용

영역까지이며 기체레이저의 종류는 많다.3 반도체 레이저 : 갈륨과 비소 등의 고체 재료를 사용하는데 레이저의 발생메커니즘이 조금 다르기 때문에 고체레이저와 구별한다. 반도체레이저 ... 는 갈륨과 비소의 p형 반도체와 n형 반도체를 접합한 반도체 p-n접합다이오드에 전류를 흘려서 들뜨게 하여 레이저를 발진시키는 것이다. 갈륨과 비소의 p-n접합다이오드에 p형

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.05.14

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Report♪나노기술의 개발사례

의 물체를 집을 수 있다. 연구팀은 이 핀셋으로 500㎚이하의 플라스틱 분자를 집어서 움직이는 것을 실험을 통해 입증했으며 리버교수는 “지름이 20㎚ 정도인 갈륨-비소 물체를 집는 것 ... 1. 현재까지의 나노물질 개발 사례테라급 반도체 개발원자 핀셑의 개발인체 어디든 약 전달이 가능한 '나노헬기2. 탄소나노튜브탄소나노튜브의 구조탄소나노튜브의 합성탄소나노튜브의 응용 ... 3. 최근개발기술동향-----------------------------------1. 현재까지의 나노물질 개발 사례테라급 반도체 개발한국 과학기술원(KAIST) 전자전산학

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.08

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[회로이론]회로이론 용어 정리

?게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소화갈륨:GaAs)와 같은 전자이동도(電子移動度)가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리(mm)파의 영역까지 사용할 수 있 ... 이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침(針)의 첨단을 접촉시킨 구조로 되어 있다. 구조가 간단하고 값이 싸며 고주파 특성이 좋기 때문에 광 ... (Gunn)효과의 발견이다.갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동도(移動度)는 전자속도가 어느 한계를 넘으면 전기장의 세기에 반비례하여 감소되며, 이로 인하여 이 단결정의 전압─전류 특성에

리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2005.12.19

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레이저와 펨토과학

나 아르곤, 크립톤, 이산화 탄소, 헬륨과 질소와의 혼합기체 등이 사용된다 반도체레이저:갈륨과 비소 등의 고체 재료를 사용하는데 레이저의 발생메커니즘이 조금 다르기 때문에 고체레이저 ... 까지 마음대로 조절할수있었습니다 이 방사광이 레이저광 입니다 레이저광은 규칙적인 위상과 파장, 방향성을 갖습니다레이저 종류레이저는 매질에 따라 고체레이저, 액체레이저, 기체레이저, 반도체

리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.15

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레이저의 원리 및 응용

형의 서로 다른 불순물이 첨가된 두 반도체물질의 평평한 접합으로 이루어져 있다. 비소화갈륨(GaAs)과 비소화알루미늄갈륨(AlxGal 1-xAs)의 쌍이 이런 종류의 레이저에 전형 ... 적으로 사용되며 인화인듐(InP)과 비소인화인듐갈륨(AlxGal 1-xAsyP1-y) 같은 다른 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체의 쌍도 사용된다. 이 소자를 통해서 큰 전류가 흐를 때 레이저 광 ... 적인 도구로 실용화가 이루어졌다.오늘날에는 고체, 기체, 반도체 등을 매체로 한 각종 레이저가 개발되고, 파장이나 에너지 준위의 선택 자유도 또한 높아져, 다양한 특성을 가진 레이저

리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.05.06

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AAS, ICP/MS시료전처리를 위한 시약

)의 과산화물을 잘 용해시킨다. 그러나 염산은 이와 같이 유용하게 시료 전처리에 이용되는 반면 비소(Ⅲ), 수은(Ⅰ,Ⅱ), 갈륨, 게르마늄(Ⅳ), 오스뮴, 셀렌 및 텔레륨 등과 반응 ... 는 전자급 시약(electronic grade)이 가장 좋다. 외국산 시약이라 해도 값만 비싸지 극미량 금속 성분의 분석에는 부적합하다. 국내에서도 반도체 가공용 전자급 시약 ... 다. 황산은 산화물, 수산화물, 탄산염, 황화물의 분해에 적합하고, 비소 광석의 분해에 적합하다. 특히 뜨거운 농황산은 Al, Be, Mn, Pb, Th, Ti, U과 희토류의 산화물

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.02.02

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다이오드 기본 소자 실험(예비)

-off 스위칭 때문에 여러 응용분야에서 사용된다. 보통의 실리콘 다이오드는 불투명한 재료를 사용하여 빛의 통과를 막으나 발광 다이오드의 경우는 다르다. LED에서는 갈륨, 비소 ... 의 기본 원리 및 구조o 접합 다이오드는 하나로 이루어진 pn접합 소자로 각 영역에 도선을 연결한 것이며, 이 다이오드의 반은 n형 반도체, 반은 p형 반도체로 이루어져 있다. 이 때

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.08

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[반도체] 반도체

시키고 순간적으로 큰 전류를 통하게 하여 금속침과 반도체가 융착되어 p-n접합을 이루게 한 것이다. 반도체로서는 실리콘, 게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소화 ... 면 전기가 통하고, 조절도 할 수 있는 물질로 전기를 잘 통하는 전도체와 전기를 통하지 않는 절연체의 양방향적 성격을 지닌 실리콘이나 갈륨비소 등을 의미하나 통상적으로는 이러 ... 갈륨:GaAs)와 같은 전자이동도(電子移動度)가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리(mm)파의 영역까지 사용할 수 이Tss 소자가 실용화되고 있다.접합 다이오드는 미국 벨(Bell

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.29

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신재생에너지에 대한 모든것

로서 그의 전기저항률 즉 비저항(比抵抗:resistivity)이 도체와 절연체 비저항값의 중간값을 취하는 것. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 황화카드뮴이 또는 이것들을 복합 ... 을 회 태양에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로서 금속과 반도체의 접촉면 또는 반도체의 pn접합에 빛을 조사(照射)하면 광전효과에 의해 광기전력이 일어나는 것을 이용 ... 한 것: 금속과 반도체의 접촉을 이용한 것으로는 셀렌광전지, 아황산구리 광전지가 있고, 반도체 pn접합을 사용한 것으로는 태양전지로 이용되고 있는 실리콘광전지가 있음주) 광전지(光

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.16

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레이져 다이오드(Laser Diode) - 정리 잘 되 있어요.

이 첨가된 두 반 도체물질의 평평한 접합으로 이루어져 있다. 비소화갈륨(GaAs)과 비소화알루미늄갈륨(AlxGal 1-xAs)의 쌍이 이런 종류의 레이저에 전형적으로 사용되며 인화 ... 방출이다1. 레이저 다이오드의 기본구조※ 레이저 다이오드. 화합물 반도체의 PN접합에 순방향 전류를 흘리면 주입된 전자와 정공이 재결합하고 반도체의 구성으로 결정되는 밴드캡 에너지 ... 에 대응한 파장의 빛이 발생 레이저 다이오드(LD)는 주입형 레이저 또는 반도체 레이저 라고 도 한다.1. 레이저 다이오드의 기본구조레이저다이오드는 p형과 n형의 서로 다른 불순물

리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.10.24

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[광통신] 광원과 광검출기

되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있다.광전도체형 광검출기는 단순히 박막(薄膜)이나 후박(厚薄) 반도체의 양쪽에 금속접합을 한 형태를 하고 있는데, 이 저항성 반도체 면에 입사 ... 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐 ... -갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용되고 있는데, 2 B, 6 B족이나 4 A, 4 B족인 것에 대하여도 연구가 진행되고 있다.

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.02

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LED

에는 약 900nm인 근적외광이 된다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물 ... , 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합 ... ◆ LED (Light Emitting Diode) ◆1. LED 의 정의LED란 발광다이오드의 영어명(Light Emitting Diode)을 줄인 것으로 빛을 발하는 반도체

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.03

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다이오드 특성과 종류

절연체도 아니다.가장 대표적인 단일 원소로 구성된 반도체로는 실리콘(Si),게르마늄(Ge),탄소(C)등이 있고,갈륨비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체도 있다.2.에너지대(a)절연 ... 1.반도체-도체쉽게 전류가 흐르는 물질이며, 동,은,금 알루미늄(단일 원소)물질이 있다.원자에 매우 약하게 속박된 1개의 가전자만을 가지는 원자 구조를 가진다.가전자들은 원자 ... 다.가전자들이 원자에 강하게 속박되어 있으므로 절연체 내에 자유전자가 거의 없는 구조를 가진다.-반도체도체외 절연체 사이의 전도율을 가진다.진성 상태의 반도체는 원전 도체도, 완전

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.13

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[R&D이론]차세대 조명기술

다. ①에서 발광파장은 대략 ch/Eg(c 는 광속, h 는 플랑크 상수, Eg 는금지띠의 에너지폭)와 같으며, 비소화갈륨의 경우에는 약 900nm인 근적외광이 된다.갈륨-비소-인에서는 인 ... 의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. 인화갈륨인경우, 아연 및 산소 원자 ... (탄소나노튜브) 등이 주도권 확보를 놓고 경쟁할 것으로 예상된다.(1) LED (Light Emitting Diode, 발광 다이오드)반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.27

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pn다이오드 접합과 반도체 그리고 lithograpy기술과 종류

한 실리콘으로 만들고 있다.고순도로 정제된 진성반도체는 비저항이 크므로 전기 전도도를 높이기 위하여 불순물을 첨가하여 전하 캐리어를 제공하는데 이를 도핑이라 한다.비소나 안티몬 등 ... 표 3가인 인 또는 갈륨을 도핑하면 정공이 다수 캐리어, 전자가 소수 캐리어인 P형 반도체가 만들어진다.순방향 바이어스의 조건은 P형측(anode)에 +전압, N형측(cathode ... 개요 1.PN접합다이오드개요2.반도체3.N형 반도체와 P형 반도체4.다이오드의 특성 곡선5.제너다이오드에 의한 전압안정화6.lithography기술1.PN접합다이오드개요PN접합

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.09

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