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"갈륨비소반도체" 검색결과 361-380 / 526건

  • [전자전기]반도체,다이오드,트랜지스터,MOSFET,BJT,FET에관한 정리
    도 가능하다.소재로서는 갈륨인[燐化갈륨:GaP) ?갈륨비소 등의 3족~5족 간의 화합물 반도체가 쓰이며, 이것들에 알루미늄 등을 첨가한 4원합금(四元合金)들도 발광 다이오드의 소재 ... 다.점접촉 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침(針)의 첨단을 접촉시킨 구조로 되어 있다. 구조가 간단하고 값이 싸 ... 의 트랜지스터 대신 여러 개의 트랜지스터 및 다이오드와 저항기 같은 소자가 작은 반도체의 칩 위에 내장되어 있는 집적회로를 사용하게 되었다. 트랜지스터는 비소나 붕소 등 여러 가지 불순물
    리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.16
  • 엘지실트론 소개 및 취업자료
    도를 가짐Silicon wafer의 종류원재료에 따른 분류 : 실리콘(Silicon) Wafer,게르마늄(Ga) wafer, 갈륨 비소(GaAs) wafer 도판트 (Dopant ... )으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재 정제과정을 거쳐 고순도 다결정 실리콘으로 형성 반도체산업에 매우 안정적으로 공급가능 독성이 전혀 없는 환경적으로 우수한 재료반도체 소자 ... 반도체 시장 전망업 종 규소박판 등 전자산업용 반도체 기초재료 제조업체 설립일자 : 1983/04/25 LG 비상장 기업 자본금(백만) : 33,500 종업원수(명) : 1719명LG
    리포트 | 51페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.16
  • [공학기술]공명터널링 다이오드
    , 720GHz (MIT Lincoln Laboratory) 공명 터널링 다이오드의 각 층의 수직 방향으로 전류가 흐름.구조 수직 구조공명 터널링 다이오드수평 구조갈륨비소(GaAs ... 을 갖는 이종 접합 구조로 전자의 De Broglie 파장 (~100 Å) 정도 두께의 층 구조를 인위적으로 쌓아올린 다층 반도체 구조공명 터널링 다이오드구 성 7단 박막구조 좁 ... 은 밴드갭 에미터 (또는 애노드) 박막 Ⅰ,Ⅱ : GaAs, 불순물이 짙게 도핑된 반도체공명 터널링 다이오드이중장벽 양자우물 구조 (Double-Barrier Quantum Well
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02
  • 반도체소자의 이용분야
    들의 화합물을 이용한 반도체제품. - 대표적으로 갈륨비소(GaAs)반도체. - 전광판이나 전자제품의 전원램프에 사용되는 발광소 자와 정보전달속도가 매우 빠른 고속소자로 사용.{nameOfApplication=Show} ... 반도체소자의 이용분야반도체 제품반도체메모리마이크로특수사업메모리(Memory)제품의 정의*정보를 기억(저장)할 수 있도록 만든 반도체 IC. *읽고(Read) 쓸 수 (Write ... , SYNCRONOUS DRAM - ROM : MASKROM, EEPROM, FLASH, MEMORY - CCD메모리(Memory) 제품반도체메모리는 크게 램(RAM)과 롬(ROM
    리포트 | 22페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.17
  • 제 4장 다이오드 종류 및 특성 결과 보고서
    ~15며 견고하다. 그 때문에 표시용 램프 외에 전송로에 광섬유를 사용하는 광통신의 발광 소자로서 사용된다. 발광 다이오드의 구조는 갈륨(Ga)의 화합물인 갈륨비소(GaAs), 갈륨 ... 이상 전압을 제한하여 구동용 반도체 소자를 과전압으로부터 방지하는 용도로도 쓰이고(전원 라인등의 펄스성 노이즈를 제거하는 용도, 즉 서지 흡수용으로 쓰이는데 대표적인 서지흡수 소자 ... 용으로도 쓰인다.? 접합 다이오드와 제너 다이오드를 비교하라.→? 접합다이오드 : p형 반도체와 n형 반도체 접합부의 정류 작용을 이용한 다이오드. p-n 접합의 제조 방법
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.03.28
  • [전자기학] 발광 다이오드
    가 57년부터 개발한 것을 정리한 것이다. 발광다이오드에는 화합물반도체가 이용된다. 비소갈륨 GaAs는 적외선용 외에 희토류형광체와 조합시켜 파랑·녹색·빨강 등의 가시광선에도 이용 ... 된다. 비소갈륨알루미늄 GaAlAs는 적외선 또는 빨간색용, 인화갈륨비소 GaAsP는 빨간색·주황색 또는 노란색용, 인화갈륨 GaP는 빨간색·녹색 또는 노란색용에 이용된다. 비소화 ... 된다. 액상형은 발광효율이 5∼30%로 좋지만 응답시간은 1μs로 느리기 때문에 표시용으로 이용된다. 인화갈륨은 발광에 대한 흡수가 적기 때문에 빛의 이용률은 좋다. 인화갈륨비소
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.13
  • 반도체와 도핑된 반도체, 복사기의 원리, 트랜지스터 발표 자료
    에서 떨어져 도너 불순물을 넣은 반도체- 도너(donor) : 과잉 전자를 만드는 불순물.- 도너 불순물 : N(질소), P(인), As(비소), Sb(안티몬), Bi(비스므스)등 5 ... 억셉터 불순물을 넣은 반도체.- 억셉터(acceptor) : 정공을 만들기 위한 불순물- 억셉터 불순물 : B(붕소), Al(알루미늄), Ga(갈륨), In(인듐), Tl(탈륨 ... 은 저항으로 그림과 같다.도 체 : 전기가 잘 통하는 물질 (금속)절연체 : 전기가 잘 통하지 못하는 물질반도체 : 도체와 부도체의 중간자적 물질로 부성저항의 특성을 갖는다.(비금속
    리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.26
  • LED, 7-segment 회로 실험 결과보고서
    을 이해한다./⑵. 실험 준비물 ① LED(Light Emitting Diode) - 발광다이오드(LED)란 갈륨비소 등의 화합물에 전류를 흘려 빛 을 발산하는 반도체소자이
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.12.15
  • PDP, ELD, LED, FED 관련 내용정리
    형. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, 발광파장은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. 인화갈륨인 경우 ... 의 성능이 최대한 발휘되면서 연속적으로 동작시켜도 안정성이 보장되는 전류를 의미한다.LED의 역사LED는 전기에너지를 빛에너지로 변환시켜주는 발광반도체이며 기본적으로 p형 반도체와 n ... Display)란 무엇인가?FED는 PDP보다 나중에 등장했지만 현재 상용화 초기 단계까지 발전한 디스플레이 방식이다. 반도체 기술을 이용하여 제작되었으며 그 구조는 초소형이라는 것 이외
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.14
  • 전지의 역사에 대한 리포트입니다.
    태양 에너지를 전기에너지로 변환할 목적으로 제작된 광전지로 반도체의 재료로서는 실리콘 ·갈륨비소 ·카드뮴텔루르 ·황화카드뮴 ·인듐인(燐) 또는 이것들을 복합한 것이 있으나, 보통 ... , 즉 충전하면 작용물질이 재생되어 이를 되풀이할 수 있다. 축전지로 많이 사용된다. 물리전지에는 태양전지, 열전지 등이 있으며, 태양전지는 태양빛을 직접 전기에너지로 바꾸는 반도체
    리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.08.18 | 수정일 2015.09.19
  • [물리학]반도체 정류 회로 예비 보고서
    어야 하는데, 그 장치에는 셀렌이나 실리콘 등의 정류기가 있다.반도체n형 반도체순수한 실리콘이나 게르마늄의 결정에 원자가전자 5인 안티몬(Sb)이나 비소(As)를 미량 혼입했다고 하자 ... 하는데, 이것이 전류이다. 이와 같이 안티몬이나 비소 등 5가 불순물의 혼입으로 과잉 전자가 생겨, 그 이동으로 전류를 발생하는 반도체를 n형 반도체라 한다. 안티몬이나 비소와 같 ... . 이러한 정공을 가진 반도체를 p형 반도체라 한다. 인듐이나 갈륨과 같은 p형 반도체를 만들기 위해 혼입한 불순물을 acceptor라 하며, 전자를 받아들여서 정공을 남기는 것이란
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.15
  • [공학기술]터널다이오드
    ), 3~300GHz의 SHF (superhigh frequency:센티미터파라고도 한다)를 말한다.) 기 호터널 다이오드재 료 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 갈륨(Ga), 비소 ... 다이오드다이오드(Diode) 란 ? 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자이다. 용 도 전원장치 – 정류기 ( 교류전류→직류전류 ) 라디오 -고주파에서 신호를 꺼내는 검파 ... /~pht/7-10/18.html, 노삼규, 이정일, “ 저차원 반도체의 물리학과 응용 ”{nameOfApplication=Show}
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02
  • LED(발광다이오드)의 정의와 특성, LED(발광다이오드)의 전압과 전류, 미래의 조명기구로서 백색 LED(발광다이오드), LED(발광다이오드)의 에너지효율과 휘도 개선 문제, 국내 LED(발광다이오드) 개발 사례 분석
    에피택시(Cantilever Epitaxy)라는 방법으로 질화갈륨 칩을 만들 때 사용하는 사파이어 기판과 반도체와의 접촉률을 낮춰 결함률을 100분의 1로 줄이고, 밝기를 100배 ... Emitting Diode)란 발광다이오드의 약자로 화합물반도체의 성을 이용해 전기신호를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받데 사용되는 반도체소자를 말하며 전자제품 ... 었으나 최근 본에서 질화갤륨비소와 사파이어 등을 이용하여 기존의 세계 최고 휘도제의 7배 휘도제품을 개발했다고 한다. 최근 청색 LED의 국내 기술력이 높아져 본격적인 생산을 시작
    리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.03.17
  • [물리]접합다이오드
    과 불순물순수 Si 단결정 낮은 전기전도도 불순물 첨가 전기전도도 증가도 핑2.2 반도체물질과 불순물실리콘 결정 비소(As), 안티몬(Sb) 불순물 첨가+5최외곽 전자 5개 1개 ... (negative) 전기 N-type 반도체2.2 반도체물질과 불순물P-type 반도체 불순물 ; 인듐(In), 갈륨(Ga) 가전자 수 = 3개+3빈자리 전공(hole)2.2 반도체 ... 실험 2 접합 다이오드목적 반도체란 ? 접합 다이오드의 구조 접합 다이오드의 특성 다이오드 회로의 해석 및 응용2.1 반도체반도체 물질 전기전도도 절연체와 도체의 중간 온도 등
    리포트 | 24페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.26
  • [신소재]LED
    을 만족시키는 것으로서 주로 비소갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln ... 의 에너지폭)와 같으며, 비소갈륨의 경우에는 약 900nm인 근적외광이 된다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, 발광파장 ... 은 반도체에 첨가되는 불순물의 종류에 따라 다르다. 인화갈륨인 경우, 아연 및 산소 원자가 관여하는 발광은 적색(파장 700nm)이고, 질소 원자가 관여하는 발광은 녹색(파장 550
    리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.05.24
  • 다이오드의 특성(예비레포트)
    되었지만 현재는 실리콘에 3족의 붕소(B)나 5족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 3족과 5족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs;gallium arsenide) 나 ... 전자물리실험 II1. 다이오드의 특성(예비 레포트)학 과 :학 년 :학 번 :이 름 :1. 실험 목적a. 반도체의 전기적 특성을 이해한다.b. p-n 접합 다이오드의 동작특성 ... 을 이해한다.2. 관련 이론(1) 반도체[semiconductor]란?전기전도도에 따른 물질의 분류 중 하나로 도체와 부도체의 중간영역에 속한다. 순수한 상태에서는 부도체와 비슷하지
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.09
  • 터널링 효과
    다이오드재 료 게르마늄(Ge), 실리콘(Si), 갈륨(Ga), 비소(As), 인듐 안티모나이드(InSb)등 용 도 발진기, 증폭기, 스위치 등 기호터널 다이오드보통 다이오드 순방향 ... 다층 반도체 구조공명 터널링 다이오드란?공명 터널링 다이오드공명터널링 다이오드구 성 7단 박막 구조구 성공명 터널링 다이오드전자에너지 준위 관점에서 본 공명 터널링 다이오드 구조구
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
  • 웨이퍼 제조 공정(발표자료)
    하게 존재 용도 : DRAM, ASIC, Transistor, CMOS, ROM, EPROM 등웨이퍼의 종류 – 웨이퍼 재료에 따른 분류B. GaAs Wafer갈륨(Ga)과 비소(As ... 웨이퍼 제조공정 및 종류웨이퍼 제조 공정 - 반도체 제조 공정 개요 - 실리콘 단결정 제조 공정 - 실리콘 웨이퍼 가공 웨이퍼의 종류 - 물리적 구분에 따른 분류 - 웨이퍼 재료 ... 에 따른 분류 반도체의 종류 - 반도체 대분류 - Memory DetailAgenda반도체 제조 공정 개요실리콘 웨이퍼 제조 공정실리콘 단결정 제조 공정 - CZ 성장법A
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.20
  • 반도체 종류와 특징
    는 물질로 전기를 잘 통하는 전도체와 전기를 통하지 않는 절연체의 양방향적 성격을 지닌 실리콘이나 갈륨비소 등을 의미하나 통상적으로는 이러한 물질을 이용해서 만든 전자부품으로서 전기 ... 로 만들기 위해 내부에 분란을 일으킬 필요가 있다. 반도체 제조공정에서 불순물을 투입하는 과정이 있는데, 3족 원소(인듐, 갈륨)를 4족 원소에 투입하면 빈자리(정공)가 생기게 된다 ... . 이 빈자리가 캐리어로서 전류를 나르게 되는 데 이 같은 형태의 반도체를 P형 반도체라고 한다.또 순수반도체(4족 원소)에 5족 원소(안티몬, 비소, 인)를 넣으면 각각 자유전자
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.05
  • [재료공학]반도체
    하다. 그 구조도 p-n 접합형, 쇼트키 배리어형 및 이종반도체의 접합으로 이루어지는 것 등이 있으며, 소재로서는 실리콘 · 갈륨비소 등의 결정체, 기타 각종 반도체가 광범위 ... ing) 소자로서 컴퓨터 등에 많게 이용될 것으로 기대되고 있다. 벌크효과를 이용한 소자 개발에 전기를 이룬 것은 건(Gunn)효과의 발견이다. 갈륨비소 단결정 내에서의 전자의 이동 ... 전용(光起電用)으로서 실용화된 <태양전지>에 있어서는, 광-전기 변환효율이 12% 정도인 것은 실리콘반도체로, 15% 정도인 것은 비소갈륨반도체로 만들어진다. 이상의 예는 p-n
    리포트 | 40페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.05.27
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2025년 08월 31일 일요일
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- 작별인사 독후감