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"다결정 코팅" 검색결과 21-40 / 2,174건

반도체공정 photo lithography 발표자료

oating 구성 - solvent( 용제 ) : 감광제가 기판에 도포되어 사용될 때까지 액체 상태 유지 - polymer( 다중체 ) : 결합체로 사용되어 막의 기계적 성질 결정 ... . Lithography 공정 step1.PR coatingstep1.PR coating #2. Lithography 공정 Wafer(substrate)( 친수성 ) HMDS 막step1.PR ... coating #2. Lithography 공정 Wafer(substrate)( 친수성 ) HMDS 막Photo Resist? 특정 파장대의 빛을 받으면 노광 (photo

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| 리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.06.03

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8대공정 요약

8대공정은 웨이퍼제조,산화,포토,식각,증착및이온주입,금속배선,EDS,패키징공정으로 나눌수있습니다.1) 웨이퍼 제조반도체 집적회로는 웨이퍼라는 얇은 기판 위에 다수의 회로가 만들어집니다. 웨이퍼는 모래에서 추출한 실리콘 원료를 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들고 결정성장시켜 잉곳을 만듭니다. 다이아몬드 톱으로 잉곳을 균일한 두께로 썰어냅니다. 이때 웨이퍼의 두께가 얇을수록 제조원가가 줄어들며, 지름이 클수록 한번에 생산할 수 있는 반도체 칩 수가 증가합니다. 다음으로 연마액과 연마장비를 통해 웨이퍼 표면을 매끄럽게 갈아내어 정밀도를 높여줍니다.2) 산화공정다음으로 산화공정으로 산화막을 형성합니다. 산화막은 회로간 누설전류를 차단하며, diffusion barrier와 식각방지막 역할을 합니다. 주로 실리콘을 고온에서 산소나 수증기에 노출시키는 thermal oxidation을 이용하며 사용되는 기체에 따라 Dry Oxidation과 Wet Oxidation로 나뉩니다. Dry oxidation은 순수한 산소를 이용하여 산화막 성장속도가 느려 주로 MOSFET의 게이트 절연막이나 플래시 메모리의 터널링 산화막 등 얇은 막을 형성할 때 쓰이며 전기적 특성이 좋은 산화물을 만들 수 있습니다. Wet oxidation은 산소와 함께 용해도가 큰 수증기를 함께 사용하여 성장속도가 빠르고 두꺼운 막을 형성할 수 있지만, 산화층의 밀도가 낮습니다. 주로 소자 간 분리, 불순물 확산 방지 등의 목적으로 사용됩니다.3) 포토공정다음으로 포토공정은 포토리소그래피를 줄인 말로 웨이퍼 위에 회로 패턴이 담긴 마스크 상을 빛을 이용해 비춰 회로를 그립니다. 반도체는 집적도에 따른 미세회로 패턴구현 역시 포토 공정에 의해 결정되기 때문에 집적도가 높아질수록 포토 공정 기술 또한 세심하고 높은 수준의 기술을 요하게 됩니다. 먼저 포토레지스트를 웨이퍼에 도포합니다. 하지만 PR은 소수성이라 웨이퍼 표면에 잘 달라붙지 않으므로 접착제 Hexa-Methyl-Di-Silazane를 미리 도포한 후 PR을 spin coating하여 균일한 두께로 코팅합니다. 다음 prebake하여 PR의 solvent성분을 제거합니다. 노광장비로 들어가서 CAD로 설계한 포토마스크로 빛을 투사시켜 미세패턴을 웨이퍼 상에 새겨줍니다. 빛을 받은 PR은 화학반응을 일으켜 특성이 변하게 됩니다. 다시한번 웨이퍼를 베이킹해준 후 develop하여 PR의 일부를 제거해줍니다. 이때 빛을 받은 부분이 제거되면 positive tone, 빛을 받지 않은 부분이 제거되면 negative tone입니다. Develop후 PR을 기판에 잘 접합시키기 위해 하드베이킹을 진행하고, 마지막으로 광학 현미경 등의 장비로 패턴을 꼼꼼하게 검사한 후, 이를 통과한 웨이퍼는 다음 식각 공정 단계로 이동합니다.4) 식각공정식각은 웨이퍼 위에 형성된 박막을 일부 혹은 전부를 깎아 내려가는 공정입니다. 포토공정에서 형성된 PR부분을 남겨둔 채 나머지 부분을 부식액을 이용해 벗겨냄으로써 회로를 형성하는 용도로 많이 사용되며, 용액을 이용하는 wet etching과 플라즈마 가스를 이용하는 dry etching이 있습니다. Wet etching은 etchant를 이용하여 물질을 제거하는 방식으로 공정이 용이하고 selectivity가 우수하지만, 등방성 식각을 하여 미세 패턴에는 적합하지 않습니다. Dry etching은 wet etching에 비해 비용이 비싸고 까다로운 단점이 있으나, 최근에는 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 wet etch보다는 dry etch가 확대되고 있습니다. dry etch시 균일도 유지와 etch rate, selectivity 등의 인자 요인을 조절하여 칩의 불량률을 낮추고, 수율을 높이는 것이 중요합니다.5) 증착 및 이온주입 공정반도체 칩의 미세하고 수많은 층 중에서 회로간의 구분과 연결, 보호 역할을 하는 얇은 막을 박막이라고 합니다. 박막을 입히는 공정을 Deposition이라고 합니다. 크게Physical Vapor Deposition과 Chemical Vapor Deposition 두 가지로 나뉩니다. PVD는 증착할 물질에 직접 에너지를 인가하여 증착하는 방식으로 evaporation과, sputtering기법이 있습니다. 공정이 용이하고 증착이 빠르나 미세한 두께 제어가 어렵습니다. 금속 박막의 증착에 주로 사용되며 화학반응이 수반되지 않습니다. CVD는 가스의 화학 반응으로 형성된 입자들을 수증기 형태로 쏘아 증착 시키는 방법으로 현재 반도체공정에서는 CVD를 주로 사용하고 있습니다. 압력에 따라 APCVD와 LPCVD가 있으며 플라즈마로 만들어 반응시키는 PECVD도 널리 사용되고 있습니다.이때 순수한 반도체는 전도성을 갖지 않아 Ion Implantation으로 불순물인 이온을 넣어 전도성을 갖게 합니다. 불순물로는 15족 원소, 13족 원소를 사용합니다. 15족 원소를 주입하면 n형, 13족 원소를 주입하면 p형 반도체가 됩니다. 이온주입 공정은 높은 방향성을 가지고 있어 정확성이 높으나 강한 에너지로 인해 실리콘의 격자 구조가 파괴되는 현상이 발생한다. 이를 해결하기 위해 실리콘의 격자 구조를 복구 시키고 불순물을 실리콘의 위치에 잘 치환되도록 하는 어닐링 공정이 이어져야 합니다.6) 금속배선위 공정들을 반복하면 웨이퍼 위에 수많은 반도체 회로가 만들어집니다. 이 회로가 동작하기 위해 반도체 회로 패턴에 따라 금속선을 연결하는 작업을 금속 배선 공정이라고 합니다. 전기가 잘 통하는 금속을 사용하며 높은 부착성, 낮은 전기저항, 높은 열적 화학적 안정성과 신뢰성 등의 필요조건을 가집니다. 대표적으로 알루미늄이 이런 조건들을 만족하며 금속배선재료로 사용되었습니다. 하지만 알루미늄은 실리콘과 만나면 서로 섞이려는 성질로 신뢰성 문제가 발생할 수 있습니다. 이를 해결하기 위해 이후 RC delay가 작으면서 신뢰성 문제를 개선할 수 있는 구리 다마신 공정이 사용되고 있습니다.7) EDS 공정수많은 제조공정을 거친 반도체 칩은 테스트를 통해 양품, 불량품을 선별하게 됩니다. EDS공정은 FAB 공정과 패키지 공정 사이에 진행됩니다. 먼저 전기적 특성검사를 통해 각각의 칩들이 원하는 품질 수준에 도달하는지 체크한 후 양품 가능 여부를 판단해 Repair가 가능한 칩은 다시 양품으로 만들고, 불가능한 칩은 Inking을 통해 불량으로 판정합니다. 불량으로 판정된 칩은 이후 공정에서 제외되어 효율을 높일 수 있습니다. 마지막으로 통과한 제품은 marking 과정을 거쳐 패키징으로 향합니다.8) 패키징 공정완성된 웨이퍼의 반도체 칩은 낱개로 잘라내는데, 이렇게 잘린 칩이 외부와 신호를 주고 받고, 외부환경으로 보호받을 수 있게 패키징공정을 진행합니다. 먼저, 웨이퍼의 Scribe Line을 따라 다이아몬드 톱이나 레이저 광선을 이용해 절단하고, Lead Frame 또는 Printed Circuit Board 위에 옮겨집니다. 반도체의 전기적 특성을 위해 기판 위에 올려진 반도체 칩과 기판을 가는 금선으로 연결하는 공정까지 끝나면 물리적인 환경으로부터 반도체 집적회로를 보호하고, 원하는 형태로 만들기 위한 성형공정을 거칩니다. 패키징 공정이 완료되면 반도체 제품의 최종 불량유무를 선별하는’Package Test’를 시행합니다.

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| 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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신소재공학실험_ Scratch 방향과 Epoxy Molding Compound 강화제 종류에 따른 Si chip 휨 강도 분석

Scratch 방향과 Epoxy Molding Compound 강화제 종류에 따른 Si chip 휨 강도 분석성명영어 성명11Department of Materials Science & Engineering, OOOO University119 Songdo-Dong, Yeonsu-Ku, Incheon, 406-4772, South KoreaABSTRACT반도체 chip의 Scale은 점점 줄어들어 9nm를 넘어서 7nm를 거론하고 있다. 이러한 과정에서 반도체 chip 생산에 필수불가결한 Si 기판에 두께 또한 Grinding 공정을 통해서 최대한 얇게 만들기 위해서 노력을 기울이고 있다. 하지만 Grinding 공정을 통해서 발생하는 Scratch Directions을 통해서 예상치 못한 반도체 chip 파손이 발생하고 있다. 그와 더불어 지나치게 얇은 두께로 인한 반도체 chip 강도 향상을 위한 EMC(Epoxy Molding Compound) 공정 시 chip과 EMC 사이의 서로 다른 열팽창 계수로 인해서 열 응력은 제품에 reliability issue을 발생시키고 있다. 따라서 우리는 이러한 문제점을 극복하기 위한 실험으로써 3-point bending test을 이용하여 Scratch Directions에 따른 Si chip 강도 측정 실험과 reliability issue 현상을 방지하기 위한 EMC에 강화제인 SiO2, Al2O3, ZrSiO4 첨가하여 강화제 종류에 따른 휨 강도 양상에 대해서 실험을 하였고, 휨 강도가 가장 좋은 최적의 공정을 찾아내었다.Key Words : Silicon chip, Reinforced materials, Flexural Strength, Scratch Directions, Epoxy Molding Compound, 3-point bending testAnalysis of Flexural Strength between Si chips depending on scratch depths and reinforced징 기술에 의해 결정되는 것이 현실이다.[1]패키징 기술은 자연적, 화학적 열적 환경 변화에 따른 전력 공급, 신호 연결, 열 방출, 외부로부터의 디바이스 보호에 초점이 있다. 이러한 패키징 기술은 미세화하는 반도체 소자의 기술에 발맞춰 보다 좁은 공간에 여러 기능을 갖는 소자가 집적된 하나의 module로서 설계할 수 있게 패키징 되어야 한다. 문제는 반도체 집적 용량 증가가 IC chip 면적의 확대를 필요로 하기 때문에, 반도체 조립기술이 패키징의 면적보다는 두께를 줄여 다층으로 형성하는 방향으로 발전되어 왔다는 것이다.[2]그로 인한 반도체 chip의 지나친 슬림화로 인해서 결함이 발생하여 치명적인 reliability issue 현상을 초래할 수 있으며 이는 소자의 성능과 수명의 영향을 미칠 수 있다. 따라서 이러한 문제를 극복하고 외부환경에 영향에 따른 디바이스 보호를 하기 위해서는 반도체 chip 자체의 기계적 강도를 높여야 한다.Si wafer는 회로 패턴을 구성하기 전 단계에서 일반적으로 wafer 두께 감소를 위한 thinning 단계를 진행한다. 이는 grinding 공정으로 wafer passive surface를 나선형으로 갈아주는 작업으로 이 과정에서 다양한 각도의 미세한 scratch가 자연적으로 발생한다. Si chip은 세라믹으로 취성이 높고 비교적 연성이 낮은 것이 특징이다. 때문에 패키징 과정에서 EMC인 폴리머와 접합될 때 물성의 차이가 발생하고, 이것은 소자의 동작 과정에서 자연적으로 발생하는 온도 변화에 의한 CTE(Coefficient of Thernal Expansion) 차에 의해 열 응력이 발생한다. 발생된 열응력은 chip 표면에 미세하게 형성된 scratch 부위에 매우 취약하게 되어 기계적 결함을 유발하기가 쉬운 조건이 되는 것이다. 때문에 본 연구에서 0°, 45°, 90° 각도의 scratch를 갖는 개별 Si chip의 휨 강도를 측정하여 Si chip에 미치는 기계적 물성의 차이를 이해하였다.또한, E의 서로 다른 scratch 방향을 확인하고, 각각 0°, 45°, 90°의 scratch 각도를 갖는 Si chip을 선별하였다.2.2 1차 Epoxy coating이렇게 scratch 방향이 각각 0°, 45°, 90°로 서로 다른 chip을 구분한 뒤 epoxy coating을 위한 epoxy resin에 Hardener를 30ml : 10ml로 혼합하였다. 추후 three-point bending point test를 위해서 각 강화재 별로 3개씩 총 9개의 OHP 필름 위 딱풀로 약하게 고정시킨 si chip에 강화제가 첨가된 expoxy 수지를 도포하였다.위의 과정이 완료된 각각의 chip들은 상온에서 충분한 시간을 갖고 건조를 시켜준다. 완벽히 건조된 개별의 chip을 OHP 필름으로부터 떼어내는 작업에서 chip과 chip 위에 coating된 epoxy가 손상되지 않도록 조심히 작업을 진행하였다.2.3 1차 Mechanical test각각 0°, 45°, 90°의 scratch 각도를 갖는 epoxy coating Si chip을 우선 1차적으로 three-point bending point 방법을 이용하여 Scratch 방향에 따른 휨 강도를 측정하였다. 측정 시 epoxy coating된 면을 아래로 두어 UTM(Universe test machine)을 이용하여 측정하였고, Chip의 epoxy 처리가 된 부분을 아래로 두어 UTM(Universe test machine)을 이용하여 휨 강도를 측정하였다. chip의 기계적 강도에 대한 평가를 위한 실험 방법으로는 three-point bending point가 이용되었다.그림 3 Universe test machine 모습 및 three-point bending point 모식도그림 3에서 제시된 것처럼 TPBT는 시편 밑면을 두 개의 작은 봉에 의해 지지시키고, 다른 작은 봉을 시편의 윗면 중앙에서 하중을 가하여 해당 시편의 휨 강도를 평가할 수 있도록 만든 장치이다.표 1 결함 방향에 SiO2, ZrSiO4 에 resin, hardener가 3g:10㎖:3㎖ 비율로 섞인 epoxy 수지를 만들고, 위에 1차 Epoxy coating 시 동일한 방법으로 epoxy coating을 진행하였다.3. 실험 결과3.1 Flexural strength by scratch directionSi chip 고유의 scratch 각도에 따른 chip strength 변화를 이해하기 위하여 강화제가 첨가되지 않은 기본 epoxy resin만 coating된 Si chip에 휨 강도를 측정하였다. 표 1은 각각 0°, 45°, 90°의 scratch 각도를 갖는 Si chip의 3-point bending test 강도 값을 나타낸 것이다. 0°, 45°, 90°의 scratch를 갖는 chip에 하중을 가하는 방향과 각도가 크게 차이 나는 90° scratch Si chip에 경우, chip에 crack을 유발하여 깨짐을 일으키는데 더 큰 에너지가 필요하다는 것을 알 수 있다. 그러나, 0° scratch를 갖는 Si chip에 경우에는 하중의 방향과 동일하여 notch effect를 크게 받게 된다. 즉, 비교적 적은 에너지만 받아도 쉽게 파괴가 일어난다는 것을 알 수 있다.3.2 Flexural strength by reinforcement앞서 진행하였던 scratch direction에 따른 휨 강도 측정 결과를 바탕으로 하여서, scratch direction 90°인 Si chip에 Al2O3, SiO2, ZrSiO4 강화재를 첨가한 Epoxy coating을 한 시편을 각 강화제 별로 3개씩 준비하였고, 3-point bending test을 이용한 휨 강도 측정을 측정하였다.아래의 그림 4 와 표 2는 각각의 결과들을 그래프와 표를 이용하여서 간략하게 종합하여 나타낸 것이다. 각 강화제 별로 3개의 Si chip 시편을 측정하였고, 3개의 시편의 휨 강도 평균값을 기준으로 하여서 판단하였을 때 강화제 Al2O3, SiO2, ZrSiO4 순으로 휨pa)SiO2 (90°)349.69232.25237.12273.02ZrSiO4 (90°)252.35304.23267.75274.77Al2O3 (90°)166.24241.15210.43205.944. 결론 및 고찰4.1 Analysis of scratch direction밑에 그림 5는 3-point bending test를 진(c)행할 경우, chip에 가해지는 응력에 따라 bending되는 모식도를 표현한 것이다.이때 W는 Si chip의 길이, T는 칩의 두께, F는 가해지는 힘, L은 시편 지지대 사이의 길이, Δl은 chip의 변형률을 나타낸다. 이를 통그림 5 3-point bending test Si chip의 모식도해서 Si chip에 가해지는 응력 및 변형률을 구하는 공식으로 나타내면위와 같은 형태의 식을 구할 수 있게 된다.식 (1)과 (2)를 통해서 재료의 인성을 구하는 공식으로 나타내면, 모든 chip에서 Fig 5와 같이 휨 강도 테스트의 결과 그래프가 1차 함수 형태의 그래프로 얻을 수 있다. 때문에 인성을 구하는 공식은 삼각형의 넓이를 구하는 공식을 이용하여 식 (1)과 식 (2)를 곱하여 반으로 나누어 주 ... 응력을 견뎌낼 수 있었다는 것인데 이는 scratch 각도가 재료에 가해지는 응력을 얼마나 분산 시키는지에 대한 여부에 따른 것으로 볼 수 있다. 90도의 경우 Si 칩에 가해지는 응다.

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| 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.04.29

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밀의 2차 가공품-스낵

를 한다.⑦ 제품에 따라 아이싱(icing), 코팅(coating) 및 장식(decoration)을 한다.⑧ 제품 특성에 맞는 포장지로 포장한다.6. 스낵가. 스낵의 정의스낵식품은 소비자있다. ... 팽창시키는 방법이다. 스폰지 케이크, 시폰 케이크, 거품형 반죽 쿠키가 그 예이다.다) 油脂에 의한 팽창 방법 : 밀가루 반죽에 유지를 펴서 넣어 접어서 밀어 펴기를 하여 층을 형성 ... 제 등이 있다.나) 향료 - 레몬향, 바닐라향, 멜론향 등.다) 향신료 - 계피, 넛메그, 생강, 마늘, 양파, 정향, 올스파이스, 카다몬, 박하 등라) 건과류 - 건포도, 살

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| 리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.26

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[보고서]배터리 제조_코팅_롤프레스 공정

질 용량비율을 엔피비율이라고 한다.- 코팅공정의 아주 중요한 설정요소로 해당 비율에 따라 성능과 안전성이 결정된다. 엔피비율이 낮으면 용량이 증가하지만 안전성이 악화되고, 높 ... ) 이슈사항- 과도한 압력을 가하게 되면 불량이 발생한다.- 다결정 구조의 극판(NCM, NCA, LFP)의 경우는 결정이 부서져 배터리 수명이 저하한다.- 흑연의 구명과 통로 유지 ... 배터리 제조 - 코팅과 압연서론배터리 제조는 믹싱으로 시작한다. 활물질, 도전재, 바인더를 믹싱장비에 투입한 후 골고루 섞이게 하여 슬러리 형태로 만드는 과정이 믹싱공정이

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.04.23

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에코프로그룹(EcoPro BM) 양극재 개발 자기소개서와 면접자료

제로는 ZrO₂와 Al₂O₃를 각각 적용했으며, 온도와 유지 시간을 달리하면서 결정구조 변화와 열 안정성을 비교했습니다. XRD와 SEM 분석을 통해 코팅층의 결정성 변화를 정량화했고, 그 ... 한 입자 크기와 결정 구조의 차이가 전지 성능에 얼마나 큰 영향을 미치는지를 직접 체험했습니다. 그때 느낀 과학적 호기심이 지금의 저를 에코프로비엠의 연구개발 직무로 이끌었습니다.저 ... 니켈 양극재의 수분 민감도 개선을 주제로 연구를 진행했습니다. 수분 노출에 따라 표면에 LiOH와 Li₂CO₃가 형성되어 전극의 성능이 저하된다는 점에 주목하고, 표면 코팅 기법

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| 자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2025.10.28

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보석감정사 기출문제 + 정답 및 해설 포함

률 ③ 비중 ④ 모두 동일77. 편광기 검사에서 단굴절(SR) 판단이 어려운 사례는?① 투어말린 ② 스피넬 ③ 다결정 집합체 ④ 토파즈78. 분광기로 확인하기 쉬운 것은?① 코팅 ... )’의 예로 보기 어려운 것은?① 루벨라이트(색 명칭) ② 탄자나이트(산지) ③ 모건나이트(인명) ④ 스피넬(결정계)3. 광물과 보석의 관계로 옳은 것은?① 모든 보석은 광물 ... ② 결정의 습성 ③ 보석의 투명도 ④ 굴절률의 범주5. 결정계 구분에 해당하지 않는 것은?① 입방정계 ② 육방정계 ③ 정방정계 ④ 준결정계6. 외형적으로 길게 뻗은 바늘, 판상

시험자료 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.10.02

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여성간호학, 조기진통, preterm labor, 케이스스터디, A+, 수정완료

및id firm coated tab 500mg함께 처방되고 있음. 이후 vea.exam 아직 시행하지 않음5. 치료 및 간호? 치료1) 양막 파수 시26주 이전· 주산기 예후 호전 ... 장애 환자 주의Klaricid film coated tab 500mg항생제 및 피부 및 피부조직 감염증에 사용불면증, 백혈구감소증, 저혈당증, 식욕부진 등중증 간장애 환자, 임부 ... 에 vag.3종 검사 시 candida albicans-#some, mycoplasma Ureaplasma wealyticum>10,000보여 Klaricid firm coated tab한다.

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.21

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발생학 - 중간고사 가답안

수정란의 반응으로 나뉜다. 융합전에 정자는운동성을 가지며 무작위전 편모운동을 하고 난자는 jelly coat가 활성되어 정자를 활성화 시킨다.난자에서 화학유도물질이 나오는데 정자 ... . 정자의 첨체반응은Ca2+에 대한 투과성 증가가 나타나서 원형질막의 구조적 변화가 나타난다. adenylcyclased와 acrosin이 활성화 되고, 난자의jelly coat ... 이 결정된다. 수정이 되기 위해서는 정자는 운동기관이 분화되야하고, 여분의세포질 분리가 일어나야하며, 난자표면에 부착하고 침투해서 핵주입을 할 수 있어야 한다. 난자는 세포질분화

리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.05.05

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LX하우시스 연구직 자기소개서 (서류합)

- 연구분야 제목을 입력해주십시오.다기능성 고분자 필름 제작을 위한 표면 처리 기술 개발 및 물성 분석- 자신의 주 연구 분야를 자유롭게 기술하세요 (어필할 수 있는 논문/특허 ... /프로젝트 등 포함)제 연구 분야는 고분자 필름 표면에 다기능성 적용을 위한 표면 처리 공정 개발과 표면 물성 분석입니다. 보호막으로 활용되는 고분자 필름에 주로 임프린팅 전사법 ... 또는 열 성형 몰딩 공정으로 마이크로 나노 크기의 미세 구조를 구현하거나 고분자 표면에 나노입자를 코팅하여 고온 다습한 환경과 자/적외선 노출로부터 안정성을 높이고, 저 반사와 방오

자기소개서 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.29

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고려대학교 일반대학원 기계공학부 연구계획서

치 못한 장애물에 직면한 도심 자율주행차 주행을 위한 의사결정 절차 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 할로이사이트 나노튜브/폴리머 복합재의 인장 강도 시뮬레이션 연구, 불소계 그리스 ... 사이클론의 볼텍스 파인더 형상이 사이클론 성능에 미치는 영향 연구, 공기 중 나노입자의 다지점 모니터링에 최적화된 Mems 기반 수분 수집 응축 입자 계수기(WCCPC) 연구 등 ... 변화에 따른 메탄올 전환율 및 물질 전달에 관한 연구, 양극판 기반 연료 전지에 적용하기 위한 내부식성 나노구조 탄소 기반 코팅 연구, 에어컨 실외기 축류팬의 윙렛과 슈라우드 형상

자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.29

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[A+레포트] Grignard Reaction of Benzophenone 레포트

되어 있기 때문이거나 2) halide의 반응성이 충분히 크지 않기 때문이거나 3) 마그네슘 표면에 oxide coating이 형성되어 halide와의 반응이 어렵기 때문이 ... 다. 이러한 문제는 일반적으로 iodine 결정을 약간 첨가해 줌으로써 해결할 수 있다. 그 이유는 반응성이 높은 iodide가 형성되어 반응이 진행 하고, 마그네슘 표면의 oxide c ... banion)의 성질을 지니고 있다. 따라서 Grignard reagent는 친핵체로 작용하여 여러 가지 카르보닐기와 쉽게 반응한 다 (Grignard reaction

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| 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.11.15 | 수정일 2021.11.18

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유무기 반도체 전구체 합성(Methylammonium iodide의 합성) pre-report

기술은 1세대(다결정 및 단결정 태양전지)를 거쳐 2세대(다양한 종류의 박막 사용 태양 전지), 3세대까지 연구되어왔다. 페로브스카이트를 이용한 태양전지는 2009년 약 3.8 ... %의 전력변환 효율을 시작으로 하여 2017년에는 22.7%에 달하는 효율을 달성했다.(1) 페로브스카이트페로브스카이트는 AMX3 조성을 갖는 Cubic 결정 구조 물질을 말 ... 시스템의 제조에 사용되는 일반적인 전구체로 사용되는 물질이다.(3) 공정페로브스카이트 합성은 스핀코팅, 스프레이 코팅 등 저렴하면서 간단한 용액 공법을 이용할 수 있는데, 이러

리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.21

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photolithography 및 etching 공정 레포트

. Wafer prepration웨이퍼 제조공정은 간단하게 잉곳 제조, 절단, 연마, 클리닝으로 4단계로 분류할 수 있다.a) Creat Ingot약 1450℃의 온도에서 다결정 ... 실리콘을 녹인후, 단결정 잉곳으로 성장한다.- 단결정 성장방법 - 쵸크랄스키법, 플로팅 존법- 다결정 성장방법 - . Bridgman, Casting, EMCb) Slicing ... 를 0으로 맞춰 아르곤기체가 없게 만들어서 초기상태로 돌려놓는다.-3.2 purpose반도체 소자가 전기적 특성을 가지기 위해 Sputter를 사용해 막성장을 통한 코팅을 해준다

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.10.27 | 수정일 2024.11.08

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단일층 반사방지막 설계

방지 코팅은 하나 또는 여러 파장의 반사를 최소화하며 일반적으로 렌즈 표면에 사용되어 손실되는 빛을 줄인다. 간단한 코팅은 빛이 상호 작용할 수 있는 추가 재료를 제공하여 두 ... 계수를 줄일 수 있다. 이 유형의 코팅은 반사 방지 코팅이며 전체 반사 계수를 최소화하기 위한 코팅의 최적 굴절률(nc)은 원래 인터페이스를 구성하는 두 가지 재료의 기하 평균 ... 으로 제공된다.공기와 유리의 경우 최적의 반사 방지 코팅은 굴절률이 약 1.2이다 실제 물질에는 이 이상적인 지수가 없지만 1.38의 굴절률이 이상적인 값에 가장 가깝기 때문에 불화

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| 리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.12.27

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화장품학 기출문제 + <정답 및 해설 포함>

lip, playtime) 설계에서 가장 직접적으로 영향을 주는 조합은?① 용제 휘발 프로파일 + 실리콘 점도 분포② 보존제 농도 + pH 중화제③ 난용성 색소 입도 + 라세다이징 ... 화로 개선될 수 있다④ 피지선은 수성 성분만을 분비한다9.계면화학에서 HLB 매칭을 통한 O/W 유화의 실패 원인으로 보기 어려운 것은?① 오일상 고형지방의 용융-결정 전이② 전해질 ... 으로 흡수, 유기는 전적으로 산란② 무기는 광산란/반사 중심, 코팅·분산이 광안정성 좌우③ 유기는 백탁 유발, 무기는 투명④ 무기는 광분해성 높아 사용 금지22.SPF 측정과 가장 직접

시험자료 | 16페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.10.16

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한양대학교 일반대학원 원자력공학과 학업계획서

Cr 코팅의 영향 분석 연구, 다목적 초소형 원자력 추진기술 개발과 극지 활용가능성 연구 등을 하고 싶습니다. ... 연구, 지르칼로이-4 클래딩에 형성된 수소화물 기포의 미세구조 및 기계적 특성 연구, 데이터 처리의 그룹 방법을 이용한 원자로 전력 형상 합성 연구, PWR 조립체에서 탄소 코팅 ... 입자 연료의 사용 연구, 제어봉 낙하시간 결정을 위한 다중해상도 분석 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 견고한 충돌 주파수 모델을 이용한 알루미늄의 고출력 레이저 조사를 위한

자기소개서 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.02

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2-3. AMOLED Full Device - Small molecule report (A+)

는데, 그것은 코팅을 할 때 기판에 이물질이 있어 uniformity가 좋지 않았거나 solvent가 다 날아가지 않아 defect가 생김으로 인해 발생한 현상 같다. #2소자의 특성 ... 를 transport하는 양극성을 가져야 한다.⒠ Ir(ppy)3Ir(ppy)3는 이번 공정에서 EML층의 Dopant로 사용되었다. dopant는 oled에서 color를 결정 ... 떨어뜨려 준 후에 코팅을 한다. (3500rpm으로 30초 동안 코팅을 해준다. 코팅을 하기 전에 500rpm으로 5초 동안 물질이 기판위에 잘 퍼지게 해준 후에 3500rpm으로 코팅

리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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가스터빈_조사_열차폐코팅

, TBC는 부식 및 내 산화성을 향상 시켰으며, 둘 다 온도가 상승함에 따라 성능이 좋아졌다.1. 구성열차폐코팅은 본드코팅과 탑코팅으로 이루어져 있다.1-1. 본드 코팅온도가 800 ... 가스터빈가스터빈의 원리, 블레이드 작동환경, 재료, 열차폐코팅_조사가스터빈 원리가스터빈의 열역학 사이클은 브레이튼 사이클(Brayton Cycle)로써 2개의 단열과정과 2개 ... 한 열차폐코팅 (TBC : Thermal Barrier Coating)이 개발시 신뢰성을 입증할 수 있는 수단으로 사용되고 있다.가스터빈 1단 블레이드의 경우 온도가 약 800℃ 이상

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| 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.16

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성균관대학교 일반대학원 화학과 학업계획서

1. 자신의 학문적 지향저는 벌크 산화물에 내장된 원자적으로 얇은 2D 물질을 합성하는 새로운 경로 연구, 수용액 내 다중벽 탄소 나노튜브의 Pd 코팅의 실온 형성을 위한 효과 ... 학교 대학원 화학과 연구실에 진학을 한 다음에 베릴륨 산화물을 이용한 다결정 저마늄 층의 저온 결정화 연구, 비동기 형광- 및 구조-색상- 광결정 전시 연구, 양성자빔 조사를 이용 ... 한 Pt 장식 MWCNT의 실온 준비 연구, 초고전도도를 갖는 단결정 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 나노와이어 연구, 공동 스퍼터링 기반 Ni-PBMN 연료극 재료 비율 최적화

자기소개서 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.09.04

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