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"포토레지스트" 검색결과 181-200 / 264건

  • 유기전자학(Organic Electronics)이란 무엇인가
    저장의 일정한 수축을 가능하게 한다. 지난 1960년대에 포토레지스트 물질들은 광학 도구들의 획득가능 해상도를 ~5.0 μm (~500 transistors/cm2)까지 제한 ... 폴리머를 창조해서 해상도와 감광도(sensitivity), 그리고 각기 연속적인 칩 생성의 처리 필요성을 만족시켰다. 현재로서는 포토레지스트 물질들이 광학 노출도구에서 정상 ... 적으로 제공할 수 있는 해상도를 개선시킨다. 광학 도구 개선과 결합된 포토레지스트들의 증가된 해상도 능력은 180 nm의 실행가능 사이즈로 1.2 백만 트랜지스터/cm2의 조립제작을 가능
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.12.11
  • DRY ETCHING
    시는 식각과 C2F4 와 같은 식각 가스로 결합되고 식각이 진행되는 동안 포토레지스트 카본이 폴리머로 변환된 결과이다 . 측벽 폴리머의 필요성은 사용되는 식각 가스의 형태에 의존
    리포트 | 26페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.21
  • 반도체 제조공정
    한화실리콘 , SiCl4 금속과 규소화합물 등의 약 50 개의 개별층으로 구성 된다 . 패턴을 그린 후에 노출된 산성의 노출된 산성의 포토레지스트는 기본 용액으로 제거 ... 됩니다 . 단지 노출되었던 크롬충의 원하지않는 부분만을 남겨둔다 . 이후에 크롬은 암모니아 질산염의 사놔용액으로 에칭된다 . 남아있는 포토레지스트는 사가의 표면과 깨끗한 크롬을 남겨놓
    리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02
  • Photo- resist Patterning 기술의 공정과 분해능
    1. Photo-resist (Photo)lithography 정의 2. Photolithography 공정 (용어) 3. Photolithography (순서) 4. Positive Resist Negative Resist 5. 반도체 공정(사진)빛이나 방사선을 쏘면..
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.31
  • SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 [예비]
    Electron Beam Lithography, X선에 의한 X-ray lithography등이 있다.리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭 ... , 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리 공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.07
  • TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허
    적 특성을 가지도록 하는 공정으로서, 이러한 불순물 이온주입 공정은 통상적으로 임플란트 원리를 이용한 이온주입장치를 사용하여 실시하게 된다. 종래의 기술은 포토레지스트를 도포하고 패턴 ... 을 형성한 후에 이온 주입 공정을 수행한다. 하지만 포토리소그래피 공정에서 형성한 포토레지스트 패턴은 이온이 원하지 않는 곳에 주입되지 않도록 블러킹 역할만 하는 것으로 상기 포토 ... 이 특징이다. 그로인해 포토레지스트의 도포가 필요 없게 된다. 그로인해 공정시간을 단축하고 공정비용을 절감할 수 있다.기존 이온주입 공정마스크를 이용한 이온주입 방식원하는 곳에 Ion
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.08
  • 대화면 터치스크린
    있 같다.① 포토리소그래피(Photo-lithography) 방식- 반도체 웨이퍼 위에 감광 성질이 있는 포토레지스트(Photoresist)를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴
    리포트 | 25페이지 | 6,000원 | 등록일 2013.07.14
  • 유전자조작기법발표자료
    ) 포토레지스트 코팅 3) 노광 및 현상 4) 에칭 5) 접합(bonding) 6) Buffer reservoir 제작■ Lab-on-a-chip – PDMS chip 제작방법1
    리포트 | 56페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.10.13
  • 포토리소그라피,phothlithography
    다음 110도로 굽는 것으로서 목적은 g선이나 i선 포토레지스트를 노광할 때, 정재파의 영 향으로 포토 레지스트 패턴의 가장자리가 매끄럽지 못한 것을 제거하기 위한 것이
    리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.29
  • ETCHING
    – 염소계열 화학물질 사용 ( 등방성으로 식각됨 ) 해결 - 이방성 식각을 위해 포토레지스트 (CHF3) 이나 탄소 같은 식각 가스에 폴리머를 추가 plasma Cl 2  Cl
    리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • ITRS
    화 생산성과 성능을 역사적으로 전례 없는 이익을 달성하는 주요 수단이다. 이러한 이득은 전통적으로 새로운 리소그래피 도구, 마스크, 포토레지스트 재료 및 중요한 차원 식각 공정
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30
  • [공업화학] 공업화학 필수이론 및 기출이론 정리
    포토레지스트로 보호되지 않는 부분을 선택적으로 제거하는 공정7. Nylon-6 제조의 주된 원료 : 카프로락탐* 아디프산 + 헥사메틸렌디아민 → Nylon-668. Nylon-66- 용융
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.07.13
  • 21C 를 선도하는 미래기술
    함 (반도체 포토레지스트, 디스플레이용 필름, 전자잉크, 영상의료기기용 조영제, 약물전달시스템)인지과학 - 인간이나 동물의 인지 과정(지각, 기억, 학습 및 감정 등)을 규명
    리포트 | 36페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.11 | 수정일 2014.08.19
  • 나노제작기술에 대한 레포트
    에 직사하면 빛은 크롬 내의 틈을 통과한다. 렌즈는 실리콘 웨이퍼 위의 포토레지스트에 빛의 초첨을 모아 패턴을 축소시킨다.- 포토레지스터의 노출된 부분이 제거되면서, 실리콘 칩 위
    리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.06.06
  • 삼성그룹(삼성)의 인재상, 삼성그룹(삼성)의 경영철학, 삼성그룹(삼성)의 의료산업화, 삼성그룹(삼성) 인사관리, 삼성그룹(삼성) 기술개량, 삼성그룹(삼성) 재벌정책, 전환사채발행
    의공급부의 포토레지스트 bottle과 Spin부를 연결하는 라인인 Teflon 호스부분이 자주 꺽여 미스코팅현상이 계속적으로 발생하는 문제점이 나타났다. 이는 결국 수율을 저하시켜
    리포트 | 15페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.09.02
  • 신소재 용어 정리 광학적 기능 화학적 기능
    의 수지에 영향을 미친다.* 포토레지스트(PR, photoresist)는 IC, LSI 생산이나, PCB의 구리 에칭에도 사용되는 감광성 수지이며, 자외선에서 가시광선 파장까지의 빛 ... 만 고분자가 불용화하여 레지스트가 남는 음성 포토레지스트(negative PR), 2) 빛이 닿는 부분만 고분자가 가용화하여 레지스트가 사라지는 양성 포토레지스트(positive PR
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.21
  • 6T 산업이 우리 사회에 끼치는 영향과 나아가야할 방안
    시장을 진출하여 시장을 점유.2. 지능형 나노소재- 구현이 어려운 성질을 이론적으로 설계하여 구현 가능하고 소재분야에 있어 변혁을 가져올 것으로 예상.- 반도체 포토레지스트
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.10
  • LG디스플레이 기업조사 및 분석 ppt
    을 가지는 다양한 내용..PAGE:11(단위 : 억원)원자재 구매뉴옵틱스희성전자BLUNEG삼성코닝파추전기초자유리기판동진쎄미켐포토레지스트치소코리아배향막티엘아이구동칩씨엔전자ITO판원자재
    리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.22 | 수정일 2014.11.16
  • PR코팅 리포트
    공정포토레지스트가 코팅된 glass위에 디자인 된 photomask를 놓고 365nm의 자외선(UV)으로 90초간 노광한다. mask 공정은 핵심이 되는 단계로서 빛을 원하는 세기
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.07.25
  • 증착기를 이용한 반도체 공정
    한다.5. 리소그래피 (Lithography)리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 이 공정은 모든 ... 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.21
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2025년 07월 06일 일요일
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