트랜지스터 실험 보고서_반도체 Diode, 역방향 bias, 순방향 bias, base, collector, emitter, ohm's law

소개

트랜지스터 회로를 구성하고 다양한 조건에서 I-V 그래프 (입력특성곡선)에 대한 실험 보고서

목차

1. BE 양단의 Vbe를 0~0.8V 사이에서 변화시켜가며 Ib를 측정하라. 그 결과를 가지고 I-V 그래프를 그려보라. 이를 트랜지스터의 입력특성곡선이라고 부른다. 지난 시간에 했던 실험과 비교했을 때 어떤 실험결과와 유사한가?
2. Vbe = 0(Ig =0)으로 두고, Vce를 0~10V 사이에서 변화시켜가며 Ic를 측정하라. 그 결과를 가지고 I-V 그래프를 그려보라. 지난 시간에 했던 실험과 비교했을 때 어떤 실험결과와 유사한가?
3. 앞에서는 를 5V로 사용했는데, 만일 다른 전압을 가하면 어떻게 되는지 시험해보라. Vce가 1V 이하일 때, 2V 일 때, 10V 일 때 등등 몇가지 값에 대해 위의 실험을 반복하고 Ic와 Ib사이의 관계를 그래프로 나타내보라. 어떤 경향이 발견되는가? 안정한 전류 증폭률을 얻기 위해서는 Vce에 어느 정도의 전압을 가해야 하는가?
4. Discussion

본문내용

회로를 구성하고 VBE를 조절하면서 회로에 흐르는 전류 IB의 크기를 측정하여 이를 graph로 나타내었다. 전류가 너무 작아 검류계로 측정이 힘들어서 지난번 실험과 같이 저항을 두고 전압을 측정하여 Ohm's law를 이용하여 전류를 구하였다. 그 결과 0에 가까운 값을 보이다가 어느 순간부터 기하급수적으로 증가하는 형태의 graph를 나타내어야 한다. 하지만 실험에선 위의 그래프처럼 선형적으로 나왔다. 이 실험의 목적은 지난번 반도체 diode 실험에서 순방향 bias를 걸었을 때 나타나는 graph와 비슷하게 나와야하지만, 트랜지스터의 C, E, B의 위치를 잘못 연결한 것으로 추측된다.

참고자료

· 없음