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공통 이미터 증폭기의 주파수 응답 실험2025.11.171. 저주파 응답 특성 저주파 영역에서 증폭기의 응답은 DC 차단을 위한 AC 결합 커패시터와 바이패스 커패시터에 의해 결정된다. 입력 결합 커패시터, 출력 결합 커패시터, 이미터 바이패스 커패시터 각각이 하위 차단 주파수를 발생시키며, 이 중 가장 큰 값이 회로의 차단 주파수가 된다. 실험에서 측정된 저역 차단 주파수는 456.61 Hz로 계산값 470.455 Hz와 유사한 결과를 보였다. 2. 고주파 응답 특성 고주파 영역에서 증폭기의 이득은 트랜지스터의 기생 커패시턴스에 의해 영향을 받는다. 입력 접속부에서는 베이스-이미터 단...2025.11.17
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A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정2025.05.011. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...2025.05.01
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RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 실험2025.11.151. RLC 직렬회로의 과도응답 RLC 직렬회로에서 저항, 인덕터, 커패시터의 값에 따라 부족감쇠, 과감쇠, 임계감쇠 응답이 발생한다. 공진주파수 ω₀ = 1/√(LC), 감쇠상수 α = R/2L, 진동주파수 ωd = √(ω₀² - α²)의 공식을 사용하여 회로의 특성을 분석한다. R=500Ω, L=10mH, C=0.01㎌인 경우 부족감쇠 응답이 발생하며, R=4kΩ인 경우 과감쇠 응답이 발생한다. 2. 임계감쇠 조건 및 측정 임계감쇠는 α = ω₀인 상황으로, R/2L = 1/√(LC)일 때 발생한다. L=10mH, C=0.01㎌...2025.11.15
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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BJT의 특성 및 바이어스 실험 결과보고서2025.11.181. BJT(쌍극성 트랜지스터) 특성 측정 본 실험에서는 2SC3198GR, 2SC3198Y, 2N2222 등 3개의 BJT 트랜지스터를 대상으로 단자 번호, 형태, 반도체 재료를 파악하고 DMM을 이용하여 다이오드 스케일과 저항 스케일로 측정했습니다. 각 트랜지스터의 베이스, 이미터, 컬렉터 단자를 식별하고 실리콘 재료의 npn형 트랜지스터임을 확인했습니다. 측정 결과 트랜지스터마다 내부 저항이 다르게 나타났으며, 이는 실험에서 요구하는 측정값 획득에 영향을 미쳤습니다. 2. BJT 바이어스 특성 분석 실험 결과 VBE가 증가할수...2025.11.18
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계 예비보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. DMM의 내부 저항 측정 DMM의 내부 저항을 측정하는 방법을 설계하여 제출하라. 출력 전압이 5V가 되도록 DC Power Supply를 정확히 조정한 후 (+) 단자에만 22MΩ 저항을 연결하고 DMM으로 22MΩ 나머지 단자와 DC Power Supply의 (-) 단자 사이의 전압을 측정한다. 측정값을 V1이라고 하면, DMM의 내부 저항은 전압 분배 법칙에 의해 R_DMM = (22 * V1) / (5 - V1)Ω 이므로 이 수식을 풀어 R_DMM의 값을 구할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의...2025.04.25
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물리전자2 과제5: 트랜지스터 Load Line 및 FET 특성2025.11.181. Load Line과 트랜지스터 동작점 Load line은 외부 인가 전압에 따른 출력 전류를 예측하기 위해 필요하다. E = iDR+vD 식의 그래프와 트랜지스터의 I-V 특성곡선을 같은 그래프에 그려 교점을 찾으면 정상상태의 전류와 전압값을 얻을 수 있다. VG 값의 변화에 따라 iD와 vD가 달라지며, VG 증가 시 전류는 증가하고 전압은 감소하여 트랜지스터가 ON되고, VG 감소 시 전류는 감소하여 OFF된다. 2. JFET의 동작 원리 및 Pinch-off JFET는 G 터미널의 바이어스로 제어된다. G에 양의 바이어스...2025.11.18
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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Slot die 공정을 통한 페로브스카이트 태양전지 제작 실험2025.04.301. 페로브스카이트 태양전지 이 보고서는 slot-die coater를 사용하여 정구조 페로브스카이트 태양전지를 제작하고 그 효율을 측정한 내용을 다루고 있습니다. ETL 층 형성 시 slot-die coater와 spin-coating 방식을 비교하였으며, 가장 높은 효율을 보인 전지는 spin-coating으로 제작한 N9-4-1 전지로 14.169043%의 효율을 나타냈습니다. 이러한 결과를 바탕으로 대면적 페로브스카이트 태양전지 제작을 위한 공정 개선 방향을 제시하고 있습니다. 2. 태양전지 효율 측정 이 보고서에서는 페로브...2025.04.30
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