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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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Common Source Amplifier의 저주파 효과 분석2025.11.181. Common Source Amplifier 회로 Common Source Amplifier는 Coupling Capacitor C1과 By-pass Capacitor C3를 포함하는 회로이다. 이 커패시터들은 리액턴스 성분으로서 주파수에 따라 임피던스가 변하는 특성을 가진다. 저주파와 고주파에서 회로의 동작이 달라지며, 이로 인해 주파수에 따른 이득 특성이 변한다. AC 등가 회로에서 ro 값을 무시할 수 있으며, 전압 이득은 주파수에 따라 변화한다. 2. Bode Plot과 주파수 응답 Bode Plot은 주파수에 따른 이득...2025.11.18
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교류및전자회로실험 실험5-1_다이오드 특성실험 결과보고서2025.01.201. 다이오드 특성 이번 실험에서는 다이오드의 전압-전류 특성을 실측을 통해 확인하였다. 다이오드가 정방향으로 연결되었을 때 일정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가 그 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가하는 것을 확인하였다. 역방향으로 연결되었을 때는 전류가 흐르지 않음을 확인하였다. LED의 경우에도 비슷한 특성을 보이지만, 전압-전류 특성 곡선에서 특정 전압 이하에서는 전류가 흐르지 않다가, 해당 전압을 넘어서면 급격히 전류가 증가함을 확인하였다. 2. 부하선 특성 실험을 통해 다이오드 회로에서 부하선을 얻는 방법을 확인하였...2025.01.20
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하도추적, 저수지홍수추적, Clark 단위도2025.11.181. Muskingum 방법 하도 추적 계산에 사용되는 Muskingum 방법은 K=3, X=0.2, dT=2의 매개변수를 이용하여 유입량과 유출량의 관계를 분석한다. C1=0.11765, C2=0.47059, C3=0.41177의 계수를 통해 시간별 유입량(m3/sec)에서 유출량(m3/sec)으로의 변환을 계산하며, 평균저류량과 누가저류량을 추적하여 하도의 홍수 추적 특성을 파악한다. 2. 저수지 홍수추적 저수지 홍수추적은 시간별 유입량(I)과 유출량(Q)의 관계를 분석하는 방법으로, 2Sj/dT-Qj와 2Sj+1/dT+Qj+1...2025.11.18
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건국대학교 전기전자기초실험2 다이오드1 예비레포트+결과레포트2025.01.221. 다이오드 종류 다이오드에는 정류 다이오드, 스위칭 다이오드, 정전압 다이오드, 가변 용량 다이오드, 발광 다이오드, MES(쇼트키) 다이오드, 수광 다이오드, 브릿지 다이오드 등 다양한 종류가 있다. 각 다이오드는 고유한 특성을 가지고 있어 다양한 용도로 사용된다. 2. 다이오드 극성 판별 다이오드는 양극으로부터 음극으로 전류가 흐르며 그 반대로는 전류가 흐르지 않는다. 이를 이용하여 순방향과 역방향의 저항을 측정하면 다이오드의 이상 유무나 극성을 알 수 있다. 아날로그 테스터기와 디지털 테스터기의 측정 방법이 다르므로 이를 ...2025.01.22
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.141. RC 시정수(Time Constant) 측정 RC회로의 시정수는 저항과 커패시턴스의 곱(τ=RC)으로 정의되며, 커패시터의 충방전 특성을 나타낸다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(약 10MΩ)과 2.2μF 커패시터를 이용하여 시정수를 측정한다. 전압이 초기값의 36.8%까지 떨어지는 데 걸리는 시간이 시정수이며, 스위치를 통해 충전과 방전을 제어하고 여러 번 측정하여 평균값을 구한다. 2. DMM 내부저항 측정 방법 DMM의 내부저항을 측정하기 위해 직류전원(5V)과 22kΩ 저항을 이용한다. DMM을 전압측정모드로 설정하고...2025.11.14
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MOSFET의 특성 분석 및 실험2025.11.181. MOSFET의 구조 및 동작 원리 MOSFET은 Source, Gate, Drain 세 개의 단자로 구성되며, Gate-Source 간 전압(V_GS)과 Drain-Source 간 전압(V_DS)에 의해 동작한다. V_GS가 임계전압(V_TN)보다 클 때 inversion layer가 생성되어 드레인 전류(i_D)가 흐른다. MOSFET은 BJT에 비해 면적이 작고 제조공정이 간단하며, majority carrier에 의해 동작하므로 on-off 전환이 빠르다. 2. MOSFET의 동작 영역 MOSFET은 세 가지 동작 영역으...2025.11.18
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JFET 바이어스 회로 실험2025.11.171. 고정 바이어스 회로 고정 바이어스 회로에서는 Vgs가 독립된 직류 전원에 의해 결정되며, Vgs가 상수임을 나타내는 수직선이 Shockley 방정식으로 표현되는 전달 특성곡선과 만난다. 실험에서 IDSS=9.4854mA, Vp=-2.9520V를 측정하였고, VGS=-1V일 때 IDQ(계산값)=4.147mA, IDQ(측정값)=4.4893mA로 나타났다. 2. 자기 바이어스 회로 자기 바이어스 회로에서는 Vgs의 크기가 드레인 전류 Id와 소스저항 Rs의 곱으로 정의되며, 회로의 바이어스 선은 원점에서 시작해 전달 특성곡선과 직류...2025.11.17
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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RLC 직렬회로 실험 결과보고서2025.11.181. RLC 직렬회로의 공진 특성 RLC 직렬회로에서 페이저 해석을 이용하여 전달함수를 구하고 진폭응답특성과 위상특성을 분석한다. 실험을 통해 공진주파수 17.2kHz를 측정했으며, 공진주파수에서 출력파형이 최대가 된다. 차단주파수는 공진주파수에 ±0.707배를 곱하여 구하며, 대역폭은 두 차단주파수 사이의 폭으로 약 4.8kHz였다. 이를 통해 RLC 회로의 주파수 선택 특성을 이해할 수 있다. 2. 주파수에 따른 위상차 변화 신호 발생기에서 ±3V 진폭, 1kHz 주파수의 정현파를 발생시켜 RLC 직렬회로에 인가했다. 주파수를 ...2025.11.18
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