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실험3광전 소자의 특성 실험2025.05.111. LED의 특성 LED는 자신의 단자에 전류나 전압이 인가 될 때 빛을 발생 시키는 반도체 소자로, 광전자 소자로 구분되기도 한다. LED는 백열전구에 비해서 긴 수명과 낮은 소비 전력을 갖기 때문에 전자 장비에서 가장 널리 사용되는 광원이다. LED는 다른 반도체 다이오드와 유사하게 기본적으로는 PN 접합형 다이오드와 같이 순 방향으로 바이어스 되거나 역방향으로 바이어스 된다. 순방향으로 바이어스 되면 순방향 전류에 대한 응답으로 빛을 발광 한다. 2. 7 세그먼트 LED 디스플레이 LED가 가장 널리 사용되는 응용 분야 중 ...2025.05.11
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전자회로실험_A+레포트_Diode Rectifier2025.01.131. 반파정류회로 반파정류회로는 다이오드와 저항을 직렬 연결한 회로에 교류전원을 연결한 회로이다. 다이오드가 있을 경우에는 양의 주기에서는 순방향 바이어스가 되고 음의 주기에서는 역방향 바이어스가 된다. 이러한 이유로 입력전원의 양의 값을 정류해서 직류로 변환시킨다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 중간탭이 있는 변압기를 이용하여 180° 위상차가 나는 두 교류신호를 생성한다. 다이오드의 정류 작용으로 (+), (-) 파형 모두 통과하여 한쪽 방향으로 흐르도록 구성한 회로이다. 변압기를 사용한 이유는 실험실 220V의 전원을 적절한...2025.01.13
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응용물리회로실험- Diode Circuits2025.05.071. 반파 정류회로 1번째 실험에서는 다이오드와 저항을 이용해 반파 정류회로를 구성하였다. 양의 반주기 동안 다이오드가 순방향 바이어스가 되어 전류가 흐를 수 있었지만, 음의 반주기 동안 다이오드가 역방향 바이어스가 되어 전류가 흐르지 않았다. 이를 통해 반파 정류 회로의 동작을 확인할 수 있었다. 2. 축전기를 이용한 정류회로 2번째 실험에서는 1번째 실험에 축전기를 추가하였다. 양의 1/4주기 동안 입력전압의 피크 값보다 조금 작게 축전기가 충전되고, 이후 입력전압이 피크 값보다 작아지면 축전기가 부하저항에 방전되는 과정을 반복...2025.05.07
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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전자회로 실험 12. JFET의 특성 실험2025.05.111. JFET의 동작 원리 JFET 소자는 게이트와 소스 사이의 역방향 바이어스 전압의 크기에 의해 드레인 전류를 제어함으로써 드레인단에 증폭된 전압을 얻는 전압제어형 소자이다. 이 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. JFET의 드레인 특성곡선 실험 결과 V_DS가 3.0V~6.0V사이에서는 I_D가 거의 변하지 않는 것으로 보아, 일정 전류원을 가지는 영역이라고 볼 수 있고, 이러한 점의 전압을 핀치오프 전압이라고 한다. 따라서 핀치오프 전압은 약 3.0V라고 할 수 있다. 3...2025.05.11
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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