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테브난 노턴 등가회로 실험 결과 분석2025.11.161. 테브난 등가회로(Thevenin Equivalent Circuit) 복잡한 회로를 간단히 해석할 수 있는 테브난 등가회로를 구성하는 실험이다. PSpice로 설계한 등가회로를 실험실에서 직접 구성하여 원래의 회로와 등가회로가 동일하게 동작하는지 검증하는 과정을 거쳤다. 실험 결과 예상과 일치하게 등가회로가 원래의 회로와 동일하게 작동함을 확인했다. 2. 테브난 전압 및 저항 측정(Vth, Rth) 예비보고서에서 계산한 테브난 전압(Vth)은 6.875V, 테브난 저항(Rth)은 398.75Ω이었다. 실제 실험에서는 전원공급기의...2025.11.16
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로는 일반적인 공통 소오스 증폭기에서 저항 대신 MOSFET 소자를 부하로 사용하는 회로이다. 이를 통해 높은 출력 임피던스와 큰 전압 이득을 얻을 수 있다. 이 회로는 고성능 증폭기를 구현할 때 많이 사용된다. 능동 부하는 일반 저항보다 높은 임피던스를 제공하므로, 전압 이득이 극대화된다. 이로 인해 능동 부하 공통 소오스 증폭기는 작은 신호 입력에서도 큰 증폭이 가능하다. 2. 능동 부하의 역할 회로에서 M_2와 M_3는 능동 부하로 작동하여 출력...2025.01.29
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RLC 직렬회로 결과보고서2025.01.121. RLC 직렬회로 이번 실험은 RLC 직렬회로를 이용하여 공진주파수를 측정해보고, 차단주파수, 대역폭, 양호도 등을 측정해보는 실험이었습니다. 주파수를 바꾸어가며 전압이 최대가 되는 지점을 찾고 공진주파수를 측정하였습니다. 공진주파수란 임피던스 Z가 최소가 되며 전류 I가 최대로 증가하는 지점을 의미합니다. 커패시터와 인덕터의 리액턴스 특성으로 인해 어느 한 지점에서 교차하게 되며, 이때 공진주파수가 발생합니다. 또한 공진주파수일 때 파형은 동상형태의 파형이 나오며, 공진주파수보다 낮으면 출력파형이 앞서고 공진주파수보다 크면 출...2025.01.12
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옴의 법칙 실험 결과 레포트2025.11.171. 옴의 법칙 옴의 법칙(Ohm's law)은 도체의 두 지점 사이에 나타나는 전위차(전압)에 의해 흐르는 전류가 일정한 법칙을 따르는 것을 말한다. 도체에 일정한 전위차가 존재할 때, 저항의 크기와 전류의 크기는 반비례한다. 전류 I(암페어), 전압 V(볼트), 저항 R(옴)의 관계식으로 표현되며, 옴의 법칙에서 저항 R은 상수이고 전류와 독립적이다. 2. 전압과 전류의 관계 주어진 저항의 양단에 걸리는 전위차의 변화에 따른 전류의 변화를 실험을 통해 관찰한다. 전류가 일정할 때 저항을 1kΩ에서 5kΩ으로 변화시키며 전압을 측...2025.11.17
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02
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트랜지스터 실습22025.01.041. 트랜지스터의 동작 영역 이번 실습에서는 양극성 접합 트랜지스터의 세 가지 동작 영역(컷오프 영역, 활성 영역, 포화 영역)에 대해 실습하였습니다. 컷오프 영역에서는 베이스-에미터 전압이 낮아 콜렉터 전류가 흐르지 않으며, 활성 영역에서는 베이스 전류에 비례하여 콜렉터 전류가 흐르는 것을 확인하였습니다. 포화 영역에서는 베이스-에미터 전압이 높아져 콜렉터 전류가 더 이상 증가하지 않는 것을 관찰하였습니다. 2. 트랜지스터의 정전류원 회로 활성 영역에서 트랜지스터의 콜렉터 전류는 베이스 전류에만 비례하므로, 베이스-에미터 전압을 ...2025.01.04
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Thevenin & Norton 정리 / 중첩의 원리 & 가역 정리 예비 보고서2025.04.271. Thevenin 정리 Thevenin 정리는 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Thevenin 등가회로의 전압과 전류가 원래 회로의 전압과 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통해 Thevenin 정리가 성립함을 알 수 있다. 2. Norton 정리 Norton 정리는 Thevenin 정리와 유사하게 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 변환할 수 있는 방법이다. 실험 결과에 따르면, Norton 등가회로의 전류가 원래 회로의 전류와 거의 일치하는 것을 확인할 수 있었다...2025.04.27
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MOSFET 바이어스 회로 실험 예비보고서2025.01.021. MOSFET 바이어스 회로 이 실험은 MOSFET 바이어스 회로를 구현하고 분석하는 것을 목적으로 합니다. 게이트 바이어스 회로와 베이스 바이어스 회로를 구성하고 각각의 회로에서 필요한 전압과 전류 값을 구하는 실험을 수행합니다. Pspice 시뮬레이션을 통해 회로를 분석하고 실험 결과를 예측합니다. 1. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 전자 기기에서 널리 사용되는 중요한 반도체 소자입니다. MOSFET 바이어스 회로는 MOSF...2025.01.02
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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옴의 법칙 실험하기2025.05.091. 옴의 법칙 옴의 법칙(Ohm's law)은 전기회로 내의 전류(I), 전압(V), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 법칙으로, 전압의 크기를 V, 전류의 세기를 I, 전기저항을 R이라 할 때, V = IR의 관계가 성립한다는 법칙이다. 이번 실험에서는 옴의 법칙을 여러 방면으로 측정하고 검증해 보았으며, 옴의 법칙이 실제로 거의 정확하게 들어맞는 경향이 있으나 정확한 선형을 따르지는 않았다. 이를 통해 옴의 법칙에 대해 조금 더 이해할 수 있었다. 2. 전압, 전류, 저항의 관계 옴의 법칙에 따르면 전압(V), 전류(I), 저...2025.05.09
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