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Thevenin 등가회로 설계 및 실습2025.11.121. Thevenin 등가회로 Thevenin 등가회로는 복잡한 선형 회로를 간단한 등가 회로로 변환하는 기법입니다. 임의의 선형 회로는 Thevenin 전압원과 Thevenin 임피던스로 구성된 간단한 회로로 표현될 수 있습니다. 이는 회로 분석을 단순화하고 부하 임피던스 변화에 따른 영향을 쉽게 파악할 수 있게 해줍니다. 전자공학 및 전기회로 설계에서 매우 중요한 기본 개념입니다. 2. 전기회로 설계 실습 전기회로 설계 실습은 이론적 지식을 실제 회로 구성을 통해 검증하는 과정입니다. 중앙대학교의 전기회로설계실습 과목에서는 학생...2025.11.12
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전기및디지털회로실험 실험10 결과보고서2025.01.131. 브릿지 회로 브릿지 회로를 이용하여 미지의 저항값을 측정하는 실험을 수행했다. 가변저항을 조절하여 평형상태에 도달하도록 하고, 이때의 가변저항값을 이용해 미지의 저항값을 계산했다. 예상값과 실제 측정값 간에 오차가 크지 않았다. 2. Y-Δ 회로변환 Y-Δ 회로변환을 이용하여 회로의 합성저항을 구하는 실험을 수행했다. 그러나 실제 측정한 합성저항 값이 예상값과 크게 차이가 났는데, 이는 잘못된 결선이나 측정 지점 선택의 문제로 추정된다. 3. 중첩의 원리 중첩의 원리를 이용하여 두 독립전원이 각각 단독으로 있을 때의 각 저항의...2025.01.13
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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트랜지스터의 직류 특성2025.05.151. 트랜지스터의 구조 트랜지스터는 이미터, 베이스, 콜렉터라고 불리는 3개의 서로 다른 단자로 구성되어 있으며 2개의 접합면을 형성하고 있다. 이들 두 접합면의 상호작용으로 트랜지스터 작용이 이루어진다. 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 구분된다. 2. 트랜지스터의 동작 모드 트랜지스터는 선형(활성) 모드, 차단 모드, 포화 모드, 불활성 모드 등 4개의 서로 다른 모드로 동작한다. 트랜지스터의 선형 모드는 베이스-이미터 접합은 순방향으로, 콜렉터-베이스 접합은 역방향으로 바이어스 된 상태에서 동작된다. 3. 트랜지스터의 전...2025.05.15
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아주대학교 물리학실험2 옴의 법칙 결과보고서A+2025.05.011. 옴의 법칙 실험을 통해 옴의 법칙을 만족하는 탄소저항과 만족하지 않는 다이오드의 특성을 확인하였다. 탄소저항은 전압과 전류의 관계가 선형적인 옴의 법칙을 만족하지만, 다이오드는 전압이 양일 때만 전류가 흐르는 비선형적인 특성을 보였다. 다이오드의 경우 문턱전압 이상에서 전류가 급격히 증가하는 지수함수 형태의 전압-전류 특성을 확인할 수 있었다. 2. 탄소저항 측정 실험 1에서 탄소저항의 표시 저항값과 측정값을 비교하였다. 33Ω 저항의 경우 측정값이 31Ω으로 약 6.06%의 오차가 있었고, 100Ω 저항의 경우 측정값이 83...2025.05.01
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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회로이론및실험1 8장 Thevenin/Norton 등가회로 A+ 예비보고서2025.01.131. Thevenin 등가 회로 Thevenin 등가 회로는 전원들과 저항들의 상호 연결을 대체하는 독립 전압원과 직렬 연결된 저항이다. 이 등가는 부하 저항의 모든 가능한 값에 대해 유지된다. 2. Norton 등가 회로 Norton 등가 회로는 Thevenin 등가 회로와 유사하게 회로를 단순화하는 기법이다. 이를 통해 회로 해석에 도움을 줄 수 있다. 3. 회로 분석 실험 1에서는 단자 전압 Vac를 구하고, 단락 전류 isc를 계산하여 Thevenin 등가 회로의 파라미터인 VTh와 RTh를 도출하였다. 실험 2에서는 부하 ...2025.01.13
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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전기및디지털회로실험 실험 10. 직류회로에서의 계산 예비보고서2025.05.101. 브릿지 회로 브릿지 회로는 전류와 전압을 동시에 측정하여 간접적으로 저항값을 확인할 수 있는 회로이다. 브릿지 회로는 병렬 결선된 2개의 분압기로 구성되며, 그중 하나는 측정해야 할 저항 RX와 비교저항 RV가 직렬로 결선되어 있다. 브릿지 회로의 중앙에는 정밀도가 높은 전압계가 설치되어 있으며, 전압계의 지침이 중앙(0점)에 위치하게 하면 브릿지는 평형 된다. 브릿지의 평형은 전위차계 또는 슬라이더의 탭을 돌려서 달성한다. 측정결과는 전원전압(U)과는 무관하다. 2. Y-Δ 회로 변환 Y-Δ 변환은 전기 회로 분석을 간단하게...2025.05.10
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Emitter Follower와 Class A Amplifier 실험 보고서2025.11.161. Emitter Follower (CC 증폭기) Emitter Follower는 CC 증폭기로 불리며 이득이 1에 가깝고 출력 저항이 매우 작은 회로다. 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 특징으로 하여 부하에 충분한 전압을 전달할 수 있다. 실험에서 입력 임피던스는 매우 높지만 출력 임피던스는 27.78Ω으로 매우 작음을 확인했다. 2N3904 트랜지스터를 사용하여 DC 및 AC 특성을 측정하고 부하 저항 연결 시 출력 임피던스 변화를 관찰했다. 2. Class A Amplifier (공통 이미터 회로) Class A ...2025.11.16
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