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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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다이오드 직렬 및 병렬연결 실험결과2025.11.161. 다이오드 순방향 특성 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 순방향 특성을 비교 분석한 결과, Si 다이오드는 약 0.7V의 순방향 전압강하를 가지며 Ge 다이오드는 약 0.3V의 순방향 전압강하를 갖는다. 직렬 연결 시 다이오드의 위치가 반대로 바뀌면 VD(V)과 VO(V)의 값도 반대로 나타나며, VD의 변화에 따라 ID값도 달라진다. 0.7V 이상의 전압이 인가될 때 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge 다이오드이다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 회로 다이오드를 직렬로 연결하면 각 다이오드의 순방향 전압강하가...2025.11.16
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전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
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응용물리회로실험- Diode Circuits2025.05.071. 반파 정류회로 1번째 실험에서는 다이오드와 저항을 이용해 반파 정류회로를 구성하였다. 양의 반주기 동안 다이오드가 순방향 바이어스가 되어 전류가 흐를 수 있었지만, 음의 반주기 동안 다이오드가 역방향 바이어스가 되어 전류가 흐르지 않았다. 이를 통해 반파 정류 회로의 동작을 확인할 수 있었다. 2. 축전기를 이용한 정류회로 2번째 실험에서는 1번째 실험에 축전기를 추가하였다. 양의 1/4주기 동안 입력전압의 피크 값보다 조금 작게 축전기가 충전되고, 이후 입력전압이 피크 값보다 작아지면 축전기가 부하저항에 방전되는 과정을 반복...2025.05.07
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반도체 다이오드 특성 보고서2025.05.101. p-n 접합 다이오드 p-n 접합 다이오드는 순방향 전압이 문턱전압을 넘어서면 전류가 흐르고, 역방향 전압이 항복전압을 넘어서면 역방향 전류가 급격히 흐르는 특성을 가지고 있다. 이번 실험에서는 p-n 접합 다이오드의 정류 작용을 관찰하였다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 연결에서 문턱전압이 약 0.6V이며, 역방향 연결에서 항복전압이 약 4.3V인 것을 확인하였다. 제너 다이오드는 역방향 연결에서 항복전압을 넘어서면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있다. 3. 다이오드의 정류 작용 일반 다이오드의 경우 순방...2025.05.10
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다이오드의 특성 및 정류회로2025.05.161. 다이오드 다이오드는 반도체 소자의 일종으로, 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드에는 게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드가 있으며, 이들은 P-N 접합 구조로 이루어져 있습니다. 다이오드의 양극(양극성)과 음극(음극성)은 각각 P 영역과 N 영역으로 구분됩니다. 다이오드가 순방향 바이어스 상태일 때 전류가 흐르며, 역방향 바이어스 상태일 때는 전류가 흐르지 않습니다. 2. LED LED(Light Emitting Diode)는 다이오드의 일종으로, P-N 접합 구조를 가지고 있습니다. 전류가 흐르...2025.05.16
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A+받은 B급 푸시풀 전력증폭기 예비레포트2025.05.101. B급 전력 증폭기 B급 상보 대칭형 전력 증폭기를 구성하여 그 동작을 이해하는 것이 실험의 목적입니다. B급 증폭기는 트랜지스터의 베이스-에미터 부분이 입력신호의 반주기 동안 순방향 바이어스되고 나머지 반주기 동안 역방향 바이어스되는 특징이 있습니다. 이로 인해 전류가 반주기 동안만 흐르게 됩니다. B급 전력 증폭기는 변압기 없이 동일한 특성의 PNP 및 NPN 트랜지스터 각 1개를 사용하여 구성할 수 있습니다. 이때 두 트랜지스터의 기능이 서로 보완되어 상보 대칭형 증폭기가 됩니다. 하지만 실제 회로에서는 트랜지스터 베이스-...2025.05.10
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서강대학교 22년도 전자회로실험 7주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기 이번 실험에서는 BJT를 이용한 A급 음성 전력 증폭기의 동작을 확인하였습니다. A급 증폭기는 트랜지스터가 360도 동안 순방향 바이어스되어 전류가 흐르는 증폭기 방식입니다. 실험을 통해 A급 증폭기의 입출력 특성을 확인할 수 있었습니다. 2. 푸시풀 전력 증폭기 푸시풀 증폭기는 npn과 pnp BJT를 이용한 두 개의 에미터 팔로어가 결합된 증폭기입니다. 입력 신호의 범위에 따라 npn 또는 pnp가 턴온되어 gain이 1에 가까운 팔로잉 동작을 하게 됩니다. 실험을 통해 푸시풀 증폭기...2025.01.12
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트랜지스터 특성 실험2025.01.021. 트랜지스터의 동작 원리 트랜지스터는 npn 또는 pnp 구조로 이루어진 3단자 소자로, 베이스-이미터 접합은 순방향, 베이스-컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 되어 있다. 트랜지스터는 전류 증폭기로 동작하며, 베이스 전류에 따라 컬렉터 전류가 변화한다. 트랜지스터는 스위칭 동작과 증폭 동작을 할 수 있다. 2. 트랜지스터의 3가지 동작 모드 트랜지스터는 차단 동작 모드, 선형 동작 모드, 포화 동작 모드의 3가지 동작 모드를 가진다. 차단 모드에서는 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않고, 선형 모드에서는 베이스 전류에 비례하여 컬렉...2025.01.02
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서강대학교 22년도 전자회로실험 5주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 바이폴라 트랜지스터 BJT 바이폴라 트랜지스터는 두개의 pn 접합이 연결된 구조로, 세개의 단자 베이스, 이미터, 콜렉터가 있다. 바이폴라 트랜지스터의 전압-전류 특성은 IC와 IB의 비를 β라고 하며, 보통 100~200의 큰 값을 가진다. 하지만 IE와 IC의 비인 α는 1에 매우 가까운 수치가 된다. BJT는 VCE, VBE에 따라 동작 영역이 바뀌게 되는데, 일반적으로 가장 많이 BJT를 활용할 수 있는 영역은 능동영역으로, VCE가 VCEsat (=0.4V) 이상이고, VBE는 다이오드의 턴온전압과 비슷한 0.7V 이...2025.01.12
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