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[결과보고서]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET Current Mirror 설계2025.05.101. MOSFET Current Mirror 이번 실험에서는 Cascade Current Mirror를 구현 및 측정을 하였다. 크기가 같은 mosfet 이용하여 기존 전 류와 같은 출력전류를 얻을 수 있고, 단일 current mirror보다 출력 저항을 증가시킬 수 있 는 장점을 가지고 있다. Mosfet의 Drain, Source, Gate에 대한 전압, 전류 값을 통해 이들의 차이 값을 이용하여 저 항 값을 확인할 수 있다. 2. 전류 전원회로 설계 특정 전류(Reference current)가 흐를 수 있도록 하는 단일 c...2025.05.10
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[전자공학응용실험]3주차_2차실험_공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이번 실험을 통하여 공통 소오스 증폭기의 VTC와 소신호 등가회로 및 파라미터들을 알아보았으며 전압이득이 위상이 반대로 나와 (-) 부호가 붙게 된다는 것을 실험으로 알게 되었다. 실험회로 1에서 입력 전압(VGG)에 따른 출력 전압(VO)의 변화를 측정하여 공통 소오스 증폭기의 동작 영역을 확인하였고, 소신호 파라미터인 전압이득(AV), 트랜스컨덕턴스(gm), 출력 저항(ro) 등을 계산하였다. 실험회로 2에서는 입력-출력 전압 파형을 관찰하여 전압이득을 측정하였다. 실험 과정에서 전압 강하 문제로 인해 ...2025.01.29
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기초전자실험_5,6장_클리퍼, 클램퍼 회로_결과레포트2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼의 주된 기능은 인가되는 교류 신호의 한 부분을 잘라서 버리는 것이다. 이러한 과정은 보통 저항과 다이오드의 조합에 의해서 이루어진다. 구형파 입력에 대한 클리퍼 해석은 입력 전압에 두 가지 레벨만 있기 때문에 가장 쉽다. 정현파와 삼각파 입력에 대해서는 다양한 순간적인 값들을 직류값으로 취급하여 출력 레벨을 결정할 수 있다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼는 입력 파형의 피크 - 피크 값의 특성을 변경하지 않고 교류 입력 신호를 특정한 레벨로 클램프(고정)하도록 설계된 것이다. 클램퍼는 용량성 소자(커패시터)를 포...2025.04.30
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실험 06_공통 이미터 증폭기 예비 보고서2025.04.271. BJT 소신호 등가회로 BJT의 소신호 등가회로에 대해 설명하고, 트랜스컨덕턴스 g_m과 등가 이미터 저항 r_e가 컬렉터 전류와 어떤 관계가 있는지 유도하였습니다. 소신호 등가회로를 사용하면 선형적 소자가 되어 회로 분석과 설계가 쉬워집니다. 2. 공통 이미터 증폭기 특성 분석 공통 이미터 증폭기의 동작 원리와 입력-출력 전달 특성 곡선을 설명하였습니다. 차단, 능동, 포화 영역에서의 동작을 분석하고, 소신호 등가회로를 이용하여 입력 저항, 전압 이득 등을 구하는 방법을 제시하였습니다. 3. 공통 이미터 증폭기 실험 회로 및...2025.04.27
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서2_전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계(보고서 1등)2025.05.101. 건전지 내부 저항 측정 설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계요약 건전지의 내부 저항을 측정하기 위해 회로를 구성하고 직접 측정해 보았다. 실습 계획서에 0~1Ω으로 작은 저항 값이 나올 것이라고 예측했고, 실제 측정값은 약 1.05Ω으로, 실제 결과 값과 유사하게 예상했다고 할 수 있다. 2. DC Power Supply 사용법 익히기 DC Power Supply의 사용법을 익히고 각 단자 간의 관계를 알아보기 위해 크게 두 가지 실험을 진행했다. 첫째는 DC Power Supply의 최대 공급전류를...2025.05.10
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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전기및디지털회로실험 실험 M1-2. I/O 기초와 시리얼 통신 예비보고서2025.05.101. 디지털 I/O 디지털 신호는 High(1) 또는 Low(0)라는 두 가지 값으로 나뉜다. 또한 이 값은 입력 혹은 출력의 값으로 쓰인다. 아두이노의 디지털 입력과 출력은 센서, 엑츄에이터 및 기타 집적회로를 연결할 수 있게 해준다. 2. 아날로그 I/O 아날로그 신호는 디지털 신호와 달리 어떤 값도 가질 수 있는 신호다. 아날로그 신호를 측정하기 위해 아두이노에 내장된 ADC(Analog Digital Converter)를 사용한다. ADC는 아날로그 신호를 디지털 신호로 바꾸어 주는 역할을 한다. 3. 시리얼 통신 시리얼 통...2025.05.10
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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