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핵심이 보이는 전자회로 실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성2025.05.161. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 실험 측정 결과를 비교하여 다이오드의 커트-인 전압 값을 확인하였습니다. 시뮬레이션 결과에서는 커트-인 전압이 400mV, 실험 측정 결과에서는 350mV로 나타났습니다. 이를 통해 다이오드의 전류-전압 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 PN 접합 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반도체 소자입니다. 다이오드의 전류-전압 특성은 다이오드의 동작 원리와 성능을 이해...2025.05.16
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교류및전자회로실험 실험9-1 트랜지스터 기초실험 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 트랜지스터는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이며, 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말한다. 트랜지스터의 특성은 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하며, base 단의 전류를 변화시킴으로써 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제...2025.01.17
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험1_결과보고서_RC직렬회로2025.05.101. RC 직렬회로의 위상 특성 측정 실험에서 측정한 저항과 커패시터 양단의 전압 값이 PSPICE로 측정한 값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했을 수 있으며, 함수 발생기와 오실로스코프 간 케이블 연결 문제 또는 실험 장치 주변의 노이즈로 인한 것으로 추정됨. 2. RC 직렬회로의 임피던스 측정 4선 저항 측정으로 얻은 저항값은 이론값과 유사했지만, 오실로스코프로 측정한 저항과 커패시터의 첨두치 값은 PSPICE 측정값과 차이가 있었음. 오차의 원인은 오실로스코프에서 신호를 받아올 때 발생했...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 13주차 결과보고서(MOSFET common source amplifier)2025.05.101. MOSFET 드레인 특성 실험(1)에서는 VDD와 VGG의 값을 변화시키면서 MOSFET의 드레인 전류 ID를 측정하였다. 실험 결과를 그래프로 나타내었더니 이론과 비슷한 형태의 그래프가 나타났다. MOSFET은 트라이오드 영역에서 VDS가 증가함에 따라 ID도 증가하지만, 포화 영역에서는 ID가 일정한 값을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 실험에서는 포화 영역에서도 ID가 조금씩 증가하는데, 이는 채널 길이 변조 현상 때문이다. 2. MOSFET 공통 소스 증폭기 실험(3)에서는 MOSFET 공통 소스 증폭기의 특성을...2025.05.10
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서강대학교 22년도 전자회로실험 12주차 결과레포트2025.01.131. 주파수 응답 실험을 통해 주파수 응답 특성을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하였고, 실제 회로 구성을 통해 측정한 결과와 비교하였다. 저주파 대역 차단 주파수와 고주파 대역 차단 주파수를 측정하고 이론값과 비교하였으며, 오차 발생 원인을 분석하였다. 2. 능동 필터 샐런키 필터 회로를 PSPICE와 브레드보드로 구성하여 실험하였다. 입력 신호의 주파수 변화에 따른 출력 신호의 변화를 관찰하고, 통과 대역 이득과 고주파 대역 차단 주파수를 측정하여 이론값과 비교...2025.01.13
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울산대학교 전기전자실험 14. 전류원 및 전류 미러 회로2025.01.121. 공통 source 회로의 바이어스 공통 source 회로의 바이어스에 대해 설명하고 있습니다. Shockley 방정식을 통해 구한 해 중 하나는 V_P와 I_DSS 범위 내에 있지만 다른 하나는 이 범위 밖에 있어 타당하지 않은 값이라고 설명하고 있습니다. 2. 이론값과 측정값의 오차 이론값과 측정값 사이에 가장 큰 오차가 발생한 이유는 이전 실험에서 사용한 JFET의 I_DSS가 8mA로 측정되어 이번 실험에서 이론값을 8mA로 두고 구했기 때문이라고 설명하고 있습니다. 3. 트랜지스터의 동작 V_DS와 V_DG의 차이를 통...2025.01.12
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[전자회로실험] 반전 및 비반전 증폭기 결과 보고서2025.05.101. 반전 증폭기 실험 5.1.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 180도 위상차가 있는지 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3.1.1)에서 계산한 vo값을 비교하였다. 또한, 실험 5.1.1)에서 도시한 결과와 준비 3.1.1)에서 도시한 결과를 비교하였다. 실험 5.1.1)의 결과로 반전 증폭기로서 오실로스코프에 180의 위상차가 있는지 확인되었고 계산 값 또한 약간의 오차가 있었지만 동일하였다. 2. 비반전 증폭기 실험 5.2.1)의 측정 결과로부터 vo와 vi사이에 위상차가 없다는 것을 확인하고, 측정한 vo값과 준비 3...2025.05.10
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전자공학실험 23장 연산 증폭기 응용 회로 1 A+ 결과보고서2025.01.151. 연산 증폭기 응용 회로 이 실험에서는 연산 증폭기를 이용한 응용 회로를 분석하고 설계할 수 있는 능력을 배양하고자 한다. 연산 증폭기를 이용하여 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 아날로그 전원 덧셈기 등의 피드백 회로를 구성하고, 연산 증폭기의 특성이 응용 회로에 미치는 영향을 파악한다. 2. 반전 증폭기 실험회로 1에서 R1=10kΩ, R2=20kΩ일 때 입력 파형과 출력 파형을 측정하고, 전압 이득을 계산하였다. 전압 이득은 약 2[V/V]로 이상적인 반전 증폭기의 전압 이득과 동일함을 확인하였다. 또한 R1=10kΩ, R2=...2025.01.15
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 회로 공통 소오스 증폭기 회로에서 입력(v_t)은 게이트-소오스 전압(V_GS)이고, 출력(v_o)은 드레인-소오스 전압(V_DS)이다. 게이트-소오스 사이의 소신호 입력 전압에 비례하는 전류가 드레인에 흐르고, 이 전류가 출력 쪽의 저항 R_D에 의해 전압으로 변환되면서 전압을 증폭시킨다. 바이어스 회로를 포함한 공통 소오스 증폭기 회로에서 R_1, R_2, R_S는 게이트에 적절한 바이어스 전압을 제공해 MOSFET이 활성 영역(포화 영역)에서 동작하도록 한다. 2. 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성...2025.01.29
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