총 594개
-
처리 속도에 따른 인텔 프로세스의 변천사2025.11.141. 인텔 초기 마이크로프로세서 발전 인텔은 1971년 4004를 시작으로 8008, 8080, 8085, 8086, 8088 등의 마이크로프로세서를 개발했다. 4004는 최초의 마이크로프로세서로 740kHz 속도에 3500개 트랜지스터가 집적되었고, 8086은 x86 아키텍처의 첫 제품으로 29000개 트랜지스터가 집적되어 최대 10배 성능 향상을 이루었다. 8088은 IBM PC에 탑재되어 x86 명령어 세트 아키텍처의 기초를 마련했으며, 이는 현재까지 PC 시장에서 널리 사용되고 있다. 2. x86 아키텍처 확장 및 32비트 ...2025.11.14
-
반도체 Dry Etching2025.01.191. Dry Etching Dry Etching은 고에너지 상태의 가스를 이용하여 반도체 회로의 패턴을 구현하는 건식식각 기술입니다. 이 기술은 이방성 및 등방성 식각을 동시에 가능하게 하여 고종횡비 회로 구현 및 미세한 패턴 조각에 필수적입니다. Dry Etching은 습식식각에 비해 고종횡비로 회로 패턴 구현이 가능하고 미세 패턴 조각에 유리하며 고밀도 3D 회로에 필수적인 이방성 식각을 구현할 수 있습니다. 2. Cryogenic Etch 극저온 Etching은 Passivation Gas 생성으로 인한 식각률 저하 문제와 D...2025.01.19
-
Ion implantation (반도체)2025.05.081. Ion implantation Ion implantation은 반도체에 도펀트 이온을 고운동에너지로 주입하여 농도와 전도성 타입을 변화시키는 공정입니다. 이는 화학적 확산보다 우수하며, 표면 영역의 선택적 도핑이 가능합니다. 이온 주입 시 이온의 경로는 직선이 아니며, 핵과 전자와의 충돌로 인해 일정 거리 R에서 정지하게 됩니다. 이온의 투과 깊이는 RP로 표현되며, 통계적 변동은 △RP와 △R⊥로 나타납니다. 이온 주입으로 인한 격자 손상은 이온의 에너지, dose, 질량 등에 따라 달라지며, 열처리를 통해 결함을 제거하고 ...2025.05.08
-
Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
-
열역학: 제 1법칙과 제 2법칙의 이해 및 적용2025.01.191. 열역학 제 1법칙 열역학 제 1법칙은 에너지 보존 법칙이라고도 불리며, 에너지는 생성되거나 소멸되지 않고 한 형태에서 다른 형태로 변환된다는 원리를 설명합니다. 수학적으로는 ΔU = Q - W로 표현되며, ΔU는 내부 에너지의 변화, Q는 시스템으로 들어가는 열량, W는 시스템에서 하는 일을 나타냅니다. 2. 열역학 제 2법칙 열역학 제 2법칙은 엔트로피 증가 법칙으로 알려져 있습니다. 이는 자연적으로 발생하는 모든 과정에서 엔트로피가 증가하거나 일정하게 유지된다는 원리입니다. 엔트로피는 무질서도의 척도로서, 닫힌 시스템 내에...2025.01.19
-
나노와이어 리뷰 논문 및 열전효율을 높이기 위한 아이디어2025.05.161. 열전 현상(Thermoelectric Effect) 열전 현상은 열을 전기로 바꾸는, 또는 전기를 열로 바꿀 수 있는 에너지 변환 현상을 나타내며 Seebeck효과, Peltier효과, Thomson효과의 현상을 통틀어 이르는 말이다. 열전현상의 역사는 1821년 Thomas Seebeck이 열을 전기로 바꾸는 Seebeck효과를 발견하면서 시작되었다. 열전현상을 실제 에너지 변환에 적용한 본격적인 연구는 1950년, Abram Loffe에 이르러 시작되었다. 2. 열전 현상의 응용분야 열전소자는 온도차가 있는 곳이면 언제 어...2025.05.16
-
신문기사를 활용하여 생활 속의 생산관리 사례 찾기2025.01.051. 반도체 생산관리 이 자료는 반도체 산업에서 삼성전자의 생산관리 사례를 다루고 있습니다. 삼성전자는 7나노 극자외선 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 X-Cube를 적용하여 생산성과 성능을 향상시켰습니다. 이를 통해 반도체 면적을 줄이면서도 고용량 메모리 솔루션을 장착할 수 있게 되었습니다. 또한 파운드리 고객사들에게 유연성을 제공하여 경쟁우위를 확보하였습니다. 반도체 산업은 기술 발전이 매우 빠르며, 기업들은 지속적인 투자와 혁신을 통해 생산성과 경쟁력을 높이고 있습니다. 1. 반도체 생산관리 반도체 생산관리는 반도체 ...2025.01.05
-
반도체 산업의 향후 세계 시장 변화 모습에 대한 예상 보고서2025.01.071. 삼성전자 파운드리의 운명 삼성전자 파운드리 사업에서 3나노미터 GAA 양산이 매우 중요한 변수가 될 것이다. 반도체 사업에서 공정기술과 설계자산이 중요하며, EUV 노광공정은 경쟁력과 주도권을 좌우하는 요소이다. 현재 EUV 공정을 제공하는 업체는 TSMC와 삼성전자 둘 뿐이다. 2. 삼성전자의 시스템 반도체 도전 삼성전자는 메모리 시장뿐만 아니라 시스템 반도체 사업 확장을 위해 노력해왔다. 3나노미터 GAA 공정 개발이 새로운 기회가 될 것으로 보이지만, 수율 확보와 설계자산 확보라는 과제를 해결해야 한다. 3. 반도체 장비...2025.01.07
-
학과소개-반도체공학과2025.05.101. 반도체공학과 개요 반도체 기술은 컴퓨터, 자동차, 스마트폰 등 다양한 전자 제품의 작동에 핵심적인 역할을 합니다. 반도체공학과에서는 반도체, 디스플레이, 스마트폰, 자동차 등 국가 핵심 산업과 나노, 에너지, 바이오, 항공우주, 웨어러블, IOT, 인공지능, 자율주행 등 신성장 동력 산업에 필요한 핵심 부품 및 시스템 설계, 생산 기술, 공정 및 장비 등에 대한 지식과 기술을 교육합니다. 2. 관련 학과 반도체공학과, 반도체학과, 반도체과학기술학과, 디스플레이·반도체물리학부, 디스플레이반도체공학과, 물리반도체과학부, 반도체·디...2025.05.10
-
Diffusion (반도체)2025.05.081. Diffusion (반도체) Diffusion(원자의 무작위 점프에 의한 이동)은 반도체에 도펀트와 불순물을 주입하는 데 사용됩니다. 이는 원자적 접근과 현상론적 접근의 두 가지 측면이 있습니다. 원자적 접근은 확산되는 물질의 원자적 특성과 호스트 격자를 다루며, 현상론적 접근은 연속체로 고체를 대체하고 결합 확산으로 원자 플럭스를 설명합니다. 불순물 도핑의 이유는 저항률 제어, 낮은 접촉 저항, 게이트 불순물 농도 제어, 스위칭 속도, 얕은 접합 깊이 등입니다. 도핑 방법에는 결정 성장 중 도핑, 고상 확산, 기상 확산 등이...2025.05.08
7 / 60
