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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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전자회로실험_A+레포트_Diode Limter2025.01.131. 전자회로 실험 전자 회로 실험 <Diode Limiter>실험부품오실로스코프함수발생기DC전원공급장치저항(1.890kΩ)다이오드(1N 4004')브레드보드BNC케이블을 사용하여 병렬형 리미터 회로와 직렬형 리미터 회로를 구성하고 실험을 진행하였다. 실험 결과를 통해 다이오드의 방향에 따라 리미터 회로의 동작이 달라지는 것을 확인하였다. 병렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 정현파의 윗부분에서 리미터로 동작하며, 직렬형 리미터 회로에서는 다이오드가 차단되어 출력의 최대값이 제한되는 것을 확인하였다. 2. 리미터 회로 전자회로에서 교...2025.01.13
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컴퓨터구조_에지트리거형 플립플롭(D-, JK-, T-)의 특성을 비교하고 설명해보자2025.01.271. 에지트리거 플립플롭 에지트리거는 회로에서 신호가 하이 레벨(High Level, 1)에서 로우 레벨(Low Level, 0)로 또는 로우 레벨에서 하이 레벨로 전환할 때 발생하는 출력 변화를 의미한다. 이는 상태 변수의 변화 순간에 기반하여 작동하며, 상승 에지(Rising Edge)와 하강 에지(Falling Edge)를 검출하는 기능을 한다. 본론에서는 이러한 상승에지와 하강 에지를 검출하여 처리하는 에지트리거형 플립플롭인 D-플립플롭, JK-플립플롭, T-플립플롭의 특성을 비교하고 설명한다. 2. D-플립플롭 D-플립플롭...2025.01.27
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기초전자실험_5,6장_클리퍼, 클램퍼 회로_결과레포트2025.04.301. 클리퍼 회로 클리퍼의 주된 기능은 인가되는 교류 신호의 한 부분을 잘라서 버리는 것이다. 이러한 과정은 보통 저항과 다이오드의 조합에 의해서 이루어진다. 구형파 입력에 대한 클리퍼 해석은 입력 전압에 두 가지 레벨만 있기 때문에 가장 쉽다. 정현파와 삼각파 입력에 대해서는 다양한 순간적인 값들을 직류값으로 취급하여 출력 레벨을 결정할 수 있다. 2. 클램퍼 회로 클램퍼는 입력 파형의 피크 - 피크 값의 특성을 변경하지 않고 교류 입력 신호를 특정한 레벨로 클램프(고정)하도록 설계된 것이다. 클램퍼는 용량성 소자(커패시터)를 포...2025.04.30
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실험 04_BJT 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. BJT의 기본 동작 원리 BJT는 N형과 P형 반도체를 샌드위치 모양으로 접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. BJT의 동작 영역 BJT는 모형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자로서, 그 구성에 따라서 npn형과 pnp형으로 나뉜다. npn형 BJT의 동...2025.04.27
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뜀틀 앞구르기 교수학습 지도안2025.11.151. 뜀틀 앞구르기 기본 동작 뜀틀 앞구르기는 도움닫기, 발 구름, 손 짚기, 뒷머리, 등, 엉덩이, 착지의 순서로 진행된다. 10-15m 거리에서 도움닫기를 시작하여 구름판 앞의 2/3 지점을 밟고 발을 구른 후 뜀틀 앞에 손을 짚으면서 신체 중심을 높게 올린다. 신체를 최대한 둥글게 하여 앞구르기를 실시하고 무릎을 굽혀 충격을 최소화하며 안정하게 착지한다. 2. 역학적 운동원리 뜀틀 앞구르기에 필요한 역학적 운동원리는 무게중심이동, 속도와 가속도, 힘의 작용과 반작용이다. 구름판을 밟는 위치에 따라 스프링 탄성이 달라지며, 뜀틀...2025.11.15
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전력전자공학 설계된 값을 가지고 PSIM으로 시뮬레이션을 하여 설계 조건을 만족하였는지 확인하고 각부 파형2025.01.221. 승압 컨버터 설계 이번 설계 과제에서는 저항 부하에 일정한 전압을 출력하도록 하는 승압 컨버터를 설계하였다. 공급전압이 일정할 때 원하는 출력전압을 얻기 위해 인덕터와 커패시터를 설계하였으며, 설계된 컨버터의 동작을 PSIM 소프트웨어를 사용하여 시뮬레이션하고 각 부위의 파형을 분석하였다. 이를 통해 전력 변환의 원리를 깊이 이해하고 실제 설계와 시뮬레이션을 경험할 수 있었다. 2. 승압 컨버터의 동작 원리 승압 컨버터(Boost Converter)는 입력 전압보다 높은 전압을 출력하기 위한 DC-DC 변환기로, 스위치가 꺼져...2025.01.22
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옴의법칙 결과레포트2025.05.101. 옴의 법칙 옴의 법칙에 의해서는 각 소자에 있어서의 전압-전류의 관계가 결정되고, KCL(제1법칙) 이나 KVL(제2법칙)에 의해서는 임의의 폐회로(loop)나 노드(node)에 있어서의 전압-전류의 관계가 결정된다. 실험 결과를 통해 옴의 법칙과 키르히호프의 법칙을 확인하고 이를 회로 해석에 활용할 수 있음을 보여주고 있다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 옴의 법칙을 변형시킨 것으로서 전기 회로를 해석할 때 옴의 법칙과 더불어 중요하다. 제1법칙(KCL)은 도선의 임의의 접합점에 유입하는 전류의 대수적인 합은 각...2025.05.10
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MOSFET의 특성 실험2025.05.111. MOSFET의 동작 원리 MOSFET 소자는 게이트의 전압을 인가시켜 드레인과 소스 사이에 채널을 형성하고, 그 채널을 통해 전류가 흐르게 하는 소자이다. 게이트, 드레인, 소스, 바디의 4단자로 구성되어 있으며, 게이트 전압을 변화시킴으로써 채널의 폭이 변화하고 그에 따라 전류가 변화하게 된다. 2. MOSFET의 드레인 특성곡선 실험 결과에 따르면 V_GS값이 3V까지는 I_D가 급격하게 증가하다가 4V 이후부터는 기울기가 감소하여 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 이로 미루어 보아 핀치오프 전압은 약 4V라고 할 수 있고...2025.05.11
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트랜지스터 보고서 (2)2025.05.101. 트랜지스터의 증폭작용 이번 실험은 IB를 고정시키고 E와 C 사이의 전압을 조절하여 IC의 변화를 관찰하고, IB를 증가시켜 IC의 변화를 관찰하여 트랜지스터의 증폭작용을 이해하는 것이 실험의 목표입니다. 실험 결과를 통해 IB가 증가할수록 IC가 상대적으로 많이 증가하는 것을 확인할 수 있었고, 이를 통해 트랜지스터의 증폭작용을 이해할 수 있었습니다. 2. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험에서 PNP형 트랜지스터를 이용하므로 PNP형을 기준으로 트랜지스터의 증폭작용의 원리를 이해해보았습니다. E와 B에 순방향 전압, B와 ...2025.05.10
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