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RC,RL회로 시정수 & RLC 직렬회로 과도특성 결과보고서2025.01.121. RC회로 시정수 RC회로에서 입력 구형파를 채널 1에 연결하고 커패시터의 출력파형을 채널 2에 연결하여 비교한 결과, 커패시터 값을 변화시키면서 시정수 값을 실험값과 이론값을 비교하였다. 실험값과 이론값의 오차가 없었다. 2. RL회로 시정수 RL회로에서 입력 구형파와 인덕터의 전압 변화에 따른 출력파형을 비교하였다. 디지털 멀티미터로 인덕터에 흐르는 전류를 측정한 결과 1.37mA였다. 3. RLC 직렬회로 과도특성 RLC 직렬회로에서 입력 구형파와 각각의 저항, 인덕터, 커패시터의 출력 파형을 비교하였다. 저항의 출력 파형...2025.01.12
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[A+, 에리카] 회로이론응용및실험레포트 8. RLC 공진 회로의 주파수 응답 특성2025.05.151. RLC 공진 회로 공진 주파수에서는 커패시터의 임피던스와 인덕터의 임피던스의 크기가 같고 방향이 반대이므로 상쇄된다. 따라서 공진 주파수에서는 커패시터와 임피던스는 없고 저항만 존재하는 것처럼 동작한다. 공진 주파수가 아닌 주파수에서는 전체 임피던스가 저항, 커패시터, 인덕터의 임피던스의 합이 영향을 미친다. 공진 주파수에서 임피던스의 값이 가장 작아 전류가 가장 크게 흐르고 저항의 전압이 가장 크게 된다. 2. 직렬 RLC 공진 회로 직렬 RLC 공진회로에서는 공진 주파수에서 임피던스의 값이 가장 작아 전류가 가장 크게 흐르...2025.05.15
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[A+, 에리카] 회로이론응용및실험레포트 6. RL과 RC회로(교류 회로)2025.05.151. 축전기(capacitor) 축전기(capacitor) 또는 콘덴서(condenser)란 마주 보는 두 장의 전극 판 사이에 유전체가 들어있는 부품으로 전하를 저장, 즉 전기 회로에서 전기 용량을 전기적 퍼텐셜 에너지로 저 장하는 장치이다. 각 판의 표면과 절연체의 경계 부분에 전하가 비축되고, 양 표면에 모이는 전하량의 크기는 같지만 부호는 반대이다. 즉, 두 도체 판 사이에 전압을 걸면 음극에는 (-) 전하가, 양극에는 (+)전하가 유도되는데, 이로 인해 전기적 인력이 발생하게 된다. 이 인력에 의하여 전하들이 모여 있게 ...2025.05.15
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RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
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일반 물리 및 실험. 직류회로2025.05.081. 직류회로 실험을 통해 저항을 직렬과 병렬회로에 연결했을 때 전류와 전압을 확인하고, 등가 저항을 계산하여 실험값과 비교하였다. 실험 결과 병렬회로에서는 저항 공식이 적용되었지만 직렬회로에서는 정확히 적용되지 않았다. 그 이유는 직렬회로의 경우 회로 수가 증가할수록 저항 값이 커지면서 열 손실 등이 발생했기 때문이다. 또한 전류계의 자체 저항은 작고 전압계의 자체 저항은 커야 정확한 측정이 가능하다는 것을 확인하였다. 1. 직류회로 직류회로는 전기 및 전자 공학에서 매우 중요한 개념입니다. 직류회로는 전압과 전류가 일정한 방향으...2025.05.08
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물리학및실험 RLC 회로 결과 보고서2025.05.031. RC 회로 RC 회로에서 저항 R과 축전기 C의 값을 측정하고, 이를 통해 전압과 전류의 관계를 분석하였습니다. 그래프의 기울기로부터 계산된 R과 C의 값은 실험값과 잘 일치하였으며, 오차율도 비교적 작았습니다. 이를 통해 RC 회로의 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. RL 회로 RL 회로에서 저항 R과 인덕터 L의 값을 측정하고, 이를 통해 전압과 전류의 관계를 분석하였습니다. 그래프의 기울기로부터 계산된 R과 L의 값은 실험값과 잘 일치하였으며, 오차율도 작았습니다. 이를 통해 RL 회로의 특성을 이해할 수 있었습니다. ...2025.05.03
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RLC 회로 보고서2025.01.281. RLC 회로 RLC 회로에서 공진 현상이 일어나는 주파수 영역을 추정하고, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등을 측정 및 계산하였다. 실험 결과를 토대로 RLC 회로의 특성을 이해할 수 있었다. 2. 공진 주파수 RLC 회로에서 공진 주파수는 유도성 리액턴스와 용량성 리액턴스가 서로 상쇄되어 임피던스가 최소가 되는 주파수이다. 실험을 통해 공진 주파수를 측정하고 계산하였으며, 공진 주파수에서의 전압, 전류, 임피던스 등의 특성을 분석하였다. 3. 전류-주파수 그래프 전류-주파수 그래프는 공진 주파수를 기준으로 대칭적인...2025.01.28
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.171. 전류 미러 회로 집적회로에서 공통의 정전류원으로 생성된 기준 전류를 복사하여 각 회로에 일정 전류를 공급하는 회로. NPN 또는 PNP 트랜지스터 사용 여부와 부하저항 위치에 따라 전류 싱크형과 전류 소스형으로 구분된다. 두 트랜지스터의 베이스-에미터 전압(VBE)이 동등하면 에미터 전류와 콜렉터 전류도 같아져 전류가 복사되는 원리로 동작한다. 2. JFET 전류원 JFET를 이용한 전류원 회로로, 부하저항(RL) 값을 변경하며 드레인-소스 간 전압(VDS)과 부하전류(IRL)를 측정하는 실험. 51Ω에서 20Ω, 82Ω, 1...2025.11.17
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 5 BJT 바이어스 회로)2025.01.291. 전압분배 바이어스 회로 전압분배 바이어스 회로는 BJT 증폭기의 베이스 전압과 컬렉터 전류를 안정적으로 설정하기 위해 사용된다. 이 회로는 두 개의 저항 R_B1과 R_B2를 통해 베이스 전압을 결정하며, 이를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정한다. 베이스 전압 V_B, 베이스 전류 I_B, 컬렉터 전류 I_C, 컬렉터 전압 V_C 등의 관계식을 통해 회로의 동작을 이해할 수 있다. 이 회로는 온도 변화나 트랜지스터 특성의 변화에도 안정적인 동작을 보장한다. 2. 베이스 바이어스 회로 베이스 바이어스 회로는 트랜지스터 증폭기의 ...2025.01.29
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