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JFET와 증폭기 실험 예비레포트2025.11.181. JFET의 동작원리 및 특성 JFET(접합형 전계효과 트랜지스터)는 Gate, Source, Drain 3단자를 가진 전압제어 소자로, 한 가지 형태의 Carrier에 의해 동작한다. N채널 JFET의 경우 Channel은 N형 반도체이고 양쪽에 P형 반도체인 Gate가 반도체 접합을 이룬다. Gate에 역바이어스를 인가하면 게이트 폭이 넓어지고 채널 폭이 줄어들어 드레인 전류를 제어할 수 있다. 역바이어스가 충분히 크면 채널이 없어져 드레인 전류가 흐르지 않는다. BJT와 달리 JFET은 게이트 전류가 흐르지 않아 높은 입력...2025.11.18
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클리핑과 클램핑 회로 실험 예비레포트2025.11.161. 클리퍼(Clipper) 회로 클리퍼는 인가된 교류신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드 조합으로 구성된다. 제거하려는 교류신호의 직류값을 설정하기 위해 별도의 직류전원을 사용한다. 입력신호가 구형파인 경우 입력전압이 두 값만 가지므로 기본적인 순간값들과 직류전압과의 관계에 따라 출력을 결정한다. 직렬 클리퍼 회로는 구형파 입력에서 전지 역방향으로 동작하며 신호의 특정 부분을 제거한다. 2. 클램퍼(Clamper) 회로 클램퍼는 입력파형의 첨두값을 바꾸지 않고 정해진 직류전압만큼 이동시키는 회로다. 다이오드, 저항, 커패...2025.11.16
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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RLC 공진 회로의 주파수 응답 특성 실험2025.11.141. 직렬 RLC 공진 회로 R, L, C가 직렬로 연결된 회로에 교류전원을 인가한 경우의 특성을 분석합니다. 복소수 임피던스 방법을 사용하여 전류를 구하며, 공진주파수 f₀ = 1/(2π√LC)에서 capacitive reactance와 inductive reactance가 상쇄되어 임피던스가 최소가 되고 전류가 최대가 됩니다. 공진주파수에서 위상각은 0이 되어 입력전압과 전류의 위상이 일치합니다. Q-factor Q = ω₀L/R는 공진곡선의 폭을 결정하며, Q값이 클수록 선별 기능이 우수합니다. 2. 병렬 RLC 공진 회로 L...2025.11.14
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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울산대학교 전기전자실험 6. 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)특성2025.01.121. BJT 단자 검사 BJT의 단자를 구별하기 위해 다이오드의 저항과 임계전압을 이용한 검사를 수행했다. 양(+)단자와 음(-)단자를 연결하여 측정한 결과, 낮은 전압값을 가지는 단자가 컬렉터(C), 높은 전압값을 표시하는 단자가 이미터(E)임을 확인했다. 2. BJT 공통 Emitter(CE) 특성 공통 Emitter 회로에서 베이스 전류를 증가시키면 컬렉터 전류가 증가하는 것을 관찰했다. 이를 통해 베이스 전류를 통해 이미터에 흐르는 전류를 제어할 수 있음을 확인했다. 3. β 변화에 따른 BJT 특성 베이스 전류를 일정하게 ...2025.01.12
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전기회로설계실습 실습7 예비보고서2025.01.201. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 DMM을 저항 측정 모드로 하여 R의 값을 측정하고, DMM을 전압 측정 모드로 바꾼 후 DMM에서 측정된 전압을 통해 Rd를 구하는 것이다. 이는 voltage division 원리를 이용하여 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 왼쪽 회로를 사용하는 것이다. 먼저 왼쪽 스위치를 닫아 커패시터를 충전시킨 후, 왼쪽 스위치를 열고 오른쪽 스위치를 닫...2025.01.20
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[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습12025.01.041. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 이번 실습에서는 바이폴라 트랜지스터의 특성을 관찰하였습니다. 회로를 브레드보드에 구성하고 오실로스코프를 사용하여 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압, 콜렉터 전류, 특성곡선을 관찰하였습니다. 바이폴라 트랜지스터의 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과 유사하지만, 포화영역이 존재한다는 차이점이 있습니다. 2. 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성 관찰 실습 6.2에서는 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성을 관찰하였습니다. 오실로스코프를 사용하여 베이스 전류와 콜렉터 전류를 관...2025.01.04
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A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
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LED 분광광도계의 제작 예비2025.05.091. 분광광도계 분광광도계는 빛의 성질 중 흡수를 이용하는 장치이다. 물질이 빛에너지를 흡수하면 다양한 분자 운동을 하면서 고유의 흡수 스펙트럼을 가지는데, 이러한 스펙트럼을 측정하는 장치가 분광광도계이다. 분광광도계의 구조는 광원-단색화장치-시료부-검출부-변환기로 구성되어 있는데, 이번 실험에서 광원으로는 LED를 사용하며 검출부로는 photoresistor(CdS photocell)를 사용한다. 2. Beer-Lambert 법칙 Beer-Lambert 법칙은 빛의 흡수를 정량적으로 분석하기 위해 사용한다. 투과도(transmit...2025.05.09
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