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전자회로실험 설계2 결과보고서2025.05.091. CMOS 특성 확인 실험 1에서는 NMOS 트랜지스터의 특성을 확인하였다. V_DS를 고정하고 V_GS에 따른 I_DS의 선형성을 살펴보았으며, 문턱 전압 V_TH를 측정하고 cut-off region, saturation region, triode region에서의 동작을 관찰하였다. 또한 실험 결과를 통해 μ_n C_ox W/L와 λ_n을 도출하였다. 2. NMOS 기반 증폭기 설계 실험 2에서는 NMOS 특성과 파라미터를 이용하여 전압 이득이 2 이상인 common source 증폭기 회로를 설계하였다. 입력 신호의 진폭...2025.05.09
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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전기전자공학실험-발광 및 제너 다이오드2025.04.301. 발광 다이오드 발광 다이오드는 이름이 함축하는 바와 같이 충분한 에너지를 받았을 때 가시광선을 내는 다이오드이다. 순방향으로 바이어스된 p-n 접합에 있어서, 접합부에서는 정공과 전자의 재결합이 일어난다. 재결합은 구속되지 않은 자유전자가 가지고 있는 에너지가 다른 상태로 전달되는 것을 필요로 한다. GaAsP나 GaP와 같은 LED 재료에서 빛 에너지의 광자가 눈에 보이는 가시광원을 생성하기에 충분한 수로 방출된다. 이것이 소위 전계발광(electroluminescence)과정이다. 모든 LED에 대하여 밝고, 선명하고, 또...2025.04.30
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BJT 다단 증폭기 설계 및 구현2025.11.141. 차동 증폭기(Differential Amplifier) BJT를 이용한 차동 증폭기는 두 개의 트랜지스터로 구성되며, 공통 이미터 저항을 통해 고정된 꼬리 전류를 생성한다. 비반전 입력과 반전 입력을 받아 단측 또는 차동 출력을 생성할 수 있다. 입력 임피던스는 2βr'e로 CE 증폭기보다 2배 높으며, 공통신호 제거비(CMRR)는 R_E/r'e로 표현된다. 차동 증폭기의 전압이득은 A_V = R_C/(2r'e)이고, 공통신호에 대한 이득은 A_V(CM) = R_C/(2R_E)이다. 2. VDB 증폭기(Voltage Divid...2025.11.14
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[기초전자실험 with pspice] 01 저항 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 저항 이 실험의 목적은 다양한 저항에 대해 익숙해지는 것이다. 특히, 일반적으로 실험에서 쓰는 저항은 컬러코드를 통해 저항값을 알 수 있는데 저항의 컬러코드를 보고 바로 저항값을 떠올리려면 연습이 필요하다. 이 실험을 통해 컬러코드로 저항값을 읽게 될 수 있을 것이다. 또한, 이 실험은 멀티미터에 익숙해지기 위함이기도 하다. 저항은 회로에서 전류의 흐름을 억제하는 부품을 말하며, 옴(Ω)을 단위로 사용한다. 저항의 저항값은 원재료의 저항률과 크기에 따라 달라진다. 보통 저항이라고 많이 부르지만 정확한 용어는 저항기이다. 옴의 ...2025.04.28
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기2025.05.101. 클리핑 회로 클리핑 회로는 입력 신호의 일부를 제거하여 출력 신호의 진폭을 제한하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 클리핑 회로를 구현하고, 입력 신호의 크기에 따라 출력 신호가 어떻게 변화하는지 확인하였습니다. 모의실험과 실험 결과를 비교하여 클리핑 회로의 동작을 이해할 수 있었습니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 신호의 중앙값을 이동시켜 출력 신호의 레벨을 조정하는 회로입니다. 이 실험에서는 다이오드를 이용한 정 클램핑 회로와 부 클램핑 회로를 구현하고, 입력 신호와 출력 신호의 평균값을 측정하여 클램...2025.05.10
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 11 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 NMOS의 소신호 등가회로는...2025.01.29
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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전류원 및 전류 미러 회로 실험2025.11.161. FET 전류원 FET 전류원 실험에서 부하저항 RL의 값에 관계없이 일정한 전류 IDSS가 흐르는 특성을 확인했다. 표 13-1의 측정값에서 20Ω부터 3.6kΩ까지의 다양한 부하저항에서 전류값이 안정적으로 유지되었으며, 이는 ID=IDSS 식으로 표현된다. 완전히 이상적인 전류원은 아니지만 필요한 전류량을 공급할 수 있는 실용적인 전류원으로 간주할 수 있다. 2. BJT 전류원 BJT 전류원은 부하저항에 관계없이 약 1mA의 일정한 전류를 유지한다. 이는 BJT가 정상 동작하기 위해 일정한 베이스-에미터 전압이 필요하기 때문...2025.11.16
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저출산 경향의 원인과 저출산으로 나타날 수 있는 문제점들에 대해 서술2025.04.271. 저출산 경향의 원인 저출산 원인은 여성의 학력 향상과 사회진출, 양육비·교육비의 부담, 젊은세대의 결혼관과 가치관 변화 등 다양하지만 가장 근본적인 원인은 여성이 출산·육아를 책임져야 한다는 사회의 고정관념이다. 출산·육아가 여성이 사회생활을 하는데 걸림돌이 되는 현실이 여성으로 하여금 출산을 포기하게 하는 주원인이 되고 있다. 또한 청년층의 취업난은 연애, 결혼, 출산 포기 등 3포로 이어지면서 저출산의 중요 과제가 되었다. 그리고 주택마련도 결혼의 큰 짐이 아닐 수 없다. 이는 직장을 가진 젊은이들도 다를바 없다. 최근에는...2025.04.27
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