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다이오드 종류2025.05.151. 버랙터 다이오드 버랙터 다이오드는 역방향 바이어스의 전압 크기에 따라 접합 커패시턴스 용량이 변화하는 다이오드로 가변 캐퍼시턴스 다이오드라고 할 수 있습니다. 버랙터 다이오드는 기본적으로 공핍층 때문에 발생된 커패시턴스를 이용하는 역방향 바이어스된 PN 접합 다이오드입니다. 역방향 바이어스에 의해 생성된 공핍층은 절연 특성 때문에 캐퍼시턴스의 유전체와 같은 역할을 합니다. 버랙터 다이오드는 여러 특성을 가지며, 다른 다이오드에 비해 훨씬 적은 노이즈를 가지고 크기가 매우 작고 가벼워 비용이 저렴하며 높은 안정성 또한 가지고 있...2025.05.15
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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전기전자공학실험-공통 베이스 및 이미터 폴로어2025.04.301. 공통 베이스 트랜지스터 증폭기 공통 베이스 트랜지스터 증폭기는 주로 고주파 응용에 사용되며, 작은 입력 임피던스와 중간 정도의 출력 임피던스를 가지고 전압 이득을 크게 할 수 있다. 전압 이득은 RC/re로 주어진다. 입력 임피던스는 re, 출력 임피던스는 RC이다. 2. 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기 이미터 폴로어 트랜지스터 증폭기는 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스가 낮다. 전압 이득은 1보다 낮지만 전류 이득과 전력 이득은 높다. 입력 신호와 출력 신호의 위상이 같으므로 위상 반전이 일어나지 않는다. 3. 공통 베이스...2025.04.30
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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일반물리학실험 반도체정류회로 결과레포트2025.05.151. 다이오드 다이오드는 반도체의 PN 접합에 바탕을 두고 있다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체(anode) 면에서 N형 반도체(cathode) 면으로만 흐를 수 있다. 접합 후 공핍층이 형성되며, 다이오드의 전류-전압 특성은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드의 가장 중요한 기능은 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류작용이다. 2. 전파 정류 회로 전파 정류 회로는 중간 탭이 있는 변압기와 정류 소자를 조합하여 정류하는 회로 방식이다. 2개의 반도체를 사용하는 방식과 4개의...2025.05.15
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DC 전원 공급 장치 제작 예비보고서2025.11.141. 1N4148 다이오드 파라미터 1N4148 다이오드의 주요 파라미터는 다음과 같습니다. Vf(순방향 전압)는 1.00V로, 다이오드가 순방향으로 작동할 때 발생하는 전압강하를 의미합니다. IF(순방향 전류)는 10mA로, 순방향 전압을 유지하면서 다이오드를 통해 흐르는 전류입니다. VR(역방향 전압)은 75V로, 다이오드가 역방향으로 작동할 때 인가할 수 있는 최대 전압입니다. trr(역방향 회복 시간)은 4.0ns로, 다이오드가 역방향에서 순방향으로 전환될 때 걸리는 시간입니다. 2. 브릿지 정류 회로 브릿지 정류 회로는 A...2025.11.14
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH6. 제너다이오드 실험보고서2025.05.051. 제너다이오드 제너다이오드는 역방향 바이어스 상태로 주로 사용되며, 항복영역에서 다이오드가 파괴되지 않고 사용이 가능한 소자입니다. 제너다이오드의 주요 특성으로는 역포화 전류, 애벌란치 효과, 제너 효과, 제너 항복전압, 회복시간, 누설전류 등이 있습니다. 제너다이오드는 정전압기, 전압 표준기 등에 사용되며, 전압 레귤레이터 회로에서 병렬로 연결되어 직류전원의 출력전압을 일정하게 유지하는 역할을 합니다. 2. 제너다이오드의 동작 특성 제너다이오드는 순방향 바이어스일 때 단락 스위치처럼 동작하며, 순방향 전류는 공급전압의 증가에 ...2025.05.05
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물리학실험 옴의 법칙2025.11.141. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전자회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 나타내는 기본 법칙입니다. 실험을 통해 탄소저항(10Ω, 100Ω)에서 전류-전압 그래프가 직선 형태를 나타내며, 일정한 기울기(저항값)를 유지함을 확인했습니다. 이는 V=IR 공식이 성립함을 의미합니다. 탄소저항의 경우 전압에 관계없이 일정한 저항을 가지므로 옴의 법칙을 만족합니다. 2. 다이오드의 특성 다이오드는 비옴성 물질로서 옴의 법칙을 만족하지 않습니다. 순방향(양의 전압)으로 전류가 흐를 때는 매우 낮은 저항을 가지지만, 역방향(음의 전압)으로는 ...2025.11.14
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기초전자실험 4장_반파 및 전파 정류_결과레포트2025.04.301. 반파 정류 반파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 반파 정류 회로에서 다이오드 양단에 걸리는 최대 전압은 인가된 정현파 신호의 피크 값과 동일하다. 반파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 31.8%이다. 실험 결과 이론값과 측정값이 약 13% 차이가 났다. 2. 전파 정류 전파 정류 회로의 출력 직류 전압을 계산하고 측정하였다. 전파 정류 신호의 직류 값은 피크 값 Vm의 63.6%이다. 브리지 방식 전파 정류 회로와 중앙-탭 변압기 구조의 전파 정류 회로를 구성하여 실험하였다. 실험 결과 이론값과 측정...2025.04.30
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