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반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
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반도체 산업의 향후 세계 시장 변화 모습에 대한 예상 보고서2025.01.071. 삼성전자 파운드리의 운명 삼성전자 파운드리 사업에서 3나노미터 GAA 양산이 매우 중요한 변수가 될 것이다. 반도체 사업에서 공정기술과 설계자산이 중요하며, EUV 노광공정은 경쟁력과 주도권을 좌우하는 요소이다. 현재 EUV 공정을 제공하는 업체는 TSMC와 삼성전자 둘 뿐이다. 2. 삼성전자의 시스템 반도체 도전 삼성전자는 메모리 시장뿐만 아니라 시스템 반도체 사업 확장을 위해 노력해왔다. 3나노미터 GAA 공정 개발이 새로운 기회가 될 것으로 보이지만, 수율 확보와 설계자산 확보라는 과제를 해결해야 한다. 3. 반도체 장비...2025.01.07
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실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서2025.04.271. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 순방향 바이어스 시 저항이 작아지고 역방향 바이어스 시 저항이 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 항복 전압을 낮추어 준 소자로서, 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 ...2025.04.27
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미국과 중국의 반도체 기술 패권 경쟁과 그에 따른 한국 반도체 산업의 상황과 대안2025.01.151. 반도체 산업의 고유한 특징 반도체 산업은 제조 공정에 따른 분업체계로 이루어져 있으며, 각 공정 단계가 서로 과학적이고 공학적인 연관성을 가지지 않기 때문에 개별 기업이 수행하는 공정에 대한 산업적 기밀이 매우 중요하다. 또한 반도체 산업은 국제 반도체 공급망 구조로 이루어져 있어, 각국이 특화된 분야에서 역할을 수행하고 있다. 2. 미국의 반도체 산업 관련 전략 미국은 'Chip 4 동맹'과 '반도체 과학법'을 통해 중국의 반도체 산업 성장을 규제하고자 한다. Chip 4 동맹은 미국, 한국, 일본, 대만으로 구성되어 있으며...2025.01.15
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한국의 종합 반도체 강국 도약 전략2025.11.121. 종합 반도체 강국 구축 한국 반도체 산업의 미래를 위해 메모리 분야의 독점적 지위를 유지하면서 시스템 반도체 역량을 강화해야 한다. 반도체 소재, 부품, 장비 등 관련 산업 클러스터를 조성하여 해외 기술 의존도를 줄이고 기술 자립화를 달성해야 한다. 이를 통해 세계 시장에서 경쟁력 있는 종합 반도체 강국으로 거듭날 수 있다. 2. 글로벌 우수 인재 확보 한국이 세계 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 기술혁신과 함께 세계 시장에서 통하는 우수한 인재 확보가 필수적이다. 국내 인재에만 의존하지 말고 국적과 인종을 초월하여 한국의 기...2025.11.12
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 예비레포트2025.05.101. PN 접합 반도체는 도체와 부도체 사이에 있는 물질로, 주로 실리콘(Si)이나 저마늄(Ge)으로 이루어져 있다. 순수 반도체에는 자유전자가 없어 전기가 잘 통하지 않는데, 이를 해결하기 위해 13족 또는 15족 원소를 섞어 P형 반도체와 N형 반도체를 만든다. P형 반도체는 양공을, N형 반도체는 자유전자를 주요 캐리어로 사용한다. PN 접합을 하면 전자와 양공이 확산되어 전기장이 형성되며, 이 상태를 평형 상태라고 한다. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 PN 접합의 전류-전압 특성이 달라진다. 2. 다이오드 다이오드...2025.05.10
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Hall Effect를 이용한 반도체 특성 평가 실험2025.11.161. Hall Effect (홀 효과) 전기 전도체를 횡단하여 전류와 수직인 방향으로 인가된 자기장에 따라 전위차(홀 전압)가 생성되는 현상입니다. 전하가 축적되어 발생한 전기장에 의해 전하가 받는 힘과 로렌츠 힘이 균형을 이룰 때 평형상태에 도달하며, 이때의 전압이 홀 전압입니다. 홀 효과는 반도체의 전하 운반자 특성을 파악하는 데 중요한 역할을 합니다. 2. 반도체 유형 판별 (n-type vs p-type) n-type 반도체는 전자가 주요 전하 운반자이며 홀 계수가 음수값을 나타내고, p-type 반도체는 양공(정공)이 주요...2025.11.16
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PN다이오드 에너지밴드2025.05.081. PN 접합 PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 PN 접합이다. PN 접합은 PN 다이오드로써 쓰이게 되는데, 그 이유는 PN 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나게 된다. 2. 에너지 밴드 다이어그램 PN 접합 시 에너지 밴드는 P형과 N형의 도핑 농도에 따라 페르미 레벨 EF의 위치가 달라지게 되며, 이에 따라 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하게 된다. 이 ...2025.05.08
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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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