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기초회로실험 1주차 결과 보고서 - R,L,C소자의 이해2025.01.041. 저항 실험을 통해 1kΩ와 10kΩ 저항의 저항값을 멀티미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 색띠에 적힌 오차와 비교하였다. 이를 통해 저항의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 2. 커패시터 0.047μF와 0.47μF 커패시터의 용량을 LCR미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 세자리 숫자 표기 방법과 비교하였다. 이를 통해 커패시터의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 3. 인덕터 1mH와 10mH 인덕터의 인덕턴스 값을 LCR미터로 측정하였다. 1mH ...2025.01.04
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 10 MOSFET 바이어스 회로)2025.01.291. 게이트 바이어스 회로 게이트 바이어스 회로는 가장 기본적인 전압분배 MOSFET 바이어스 회로이다. 이 회로는 소스 단자에 저항 R_S를 추가함으로써, R_G1과 R_G2의 변화에 따른 V_GS전압과 I_D 전류의 변화를 줄일 수 있다. 회로의 각 노드의 전압과 전류를 구하면 I_D와 V_GS를 안정적으로 유지할 수 있다. 이 회로는 전류 제어가 용이하고, 트랜지스터가 포화 영역에서 증폭기로 안정적으로 동작하는 데 적합하다. 2. 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로 다이오드로 연결된 MOSFET 바이어스 회로는 피드백...2025.01.29
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실험 16_전류원 및 전류 거울 결과보고서(실험절차 책이랑 다르니 참고하시고 구매하세요)2025.04.281. 전류원 및 전류 거울 이 실험에서는 아날로그 증폭기에서 부하로서 널리 사용되고 있는 정전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load) 회로를 구성하고, 이를 실제로 구현함으로써 정전류원 및 전류 거울의 특성을 정확하게 파악하고자 하였다. 실험 절차에 따라 M1 트랜지스터의 gm을 결정하고, Vpbias 전압과 IREF 전류를 생성하였다. 또한 전류 거울에 의해 결정되는 Vpbias, IREF와 I1 전류를 측정하였다. 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 입력-출력 DC 전압 레벨을 확인하였다. 2. 전류 오차 분...2025.04.28
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저항의 직렬&병렬회로 결과보고서2025.01.121. 직렬 회로 직렬 연결 회로에서 전체 저항의 크기를 측정하고, 각 저항에 걸리는 전압을 측정하여 저항과 전압의 관계를 살펴보았습니다. 직렬 연결의 경우 전체 저항값이 커지게 되는데, 이는 여러 개의 저항을 이어붙인 것과 같아 물체의 길이가 길어지는 효과를 보이기 때문입니다. 따라서 전체 저항값은 각 저항의 합으로 계산할 수 있습니다. 2. 병렬 회로 병렬 저항 회로에서 각 저항에 걸리는 전압을 측정하고, 합성 저항의 크기와 전압-전류 관계를 살펴보았습니다. 병렬 연결의 경우 각 저항에 걸리는 전압은 일정하며, 각 저항에 흐르는 ...2025.01.12
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중성점접지의 목적 및 종류2025.01.151. 중성점 접지의 목적 중성점 접지는 전기 시스템의 안전성, 안정성, 품질 향상에 기여하며, 전기 설비의 정상 작동을 보장합니다. 주요 목적은 이상 전압의 경감 및 발생 방지, 전선로 및 기기의 절연레벨 경감, 보호계전기의 신속 확실한 동작, 소호 리액터 접지 방식에서의 1선 지락시 아크 소멸 등입니다. 2. 중성점 접지의 종류 중성점 접지 방식에는 비접지 방식(△ 결선), 직접접지 방식, 유효접지 방식, 저항접지 방식, 소호리액터 접지방식(PC 접지방식) 등이 있습니다. 각 방식은 장단점이 있으며, 전기 시스템의 안전성과 안정성...2025.01.15
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중성점접지의 목적 및 종류2025.01.151. 중성점접지의 목적 중성점접지는 화학 및 생물학 분야에서 중요한 역할을 하는 핵심 개념 중 하나입니다. 이는 용액의 pH를 조절하거나 화학 반응을 조절함으로써 시스템의 안정성을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 중성점접지의 주요 목적은 화학 반응의 속도와 방향을 조절하고, 용액의 pH를 조절하며, 시스템의 안정성을 향상시키는 것입니다. 2. 중성점접지의 종류 중성점접지에는 산-염 중성점접지, 염기-산 중성점접지, 복합 중성점접지 등 다양한 종류가 있습니다. 각각의 중성점접지는 특정한 목적을 가지고 있으며, 화학 실험실부터 산...2025.01.15
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유도형 회로에 대한 정리2025.05.021. 유도형 회로의 정의 유도형 회로는 RNC 직렬 회로에 교류 기전력 장치가 연결된 것으로, 유도기와 유도기에 대한 교류 기전력 발전기를 포함하는 회로를 말한다. 유도용량에 걸리는 퍼텐셜차(v_L)는 유도기전력(xi)과 같으며, 저항에 걸린 교류 퍼텐셜차의 진폭(v_L)은 교류 기전력의 진폭(xi_m)과 같다. 2. 유도형 반응저항 유도기전력(xi_L)은 유도용량(L)에 시간에 따른 전류의 변화율(di/dt)을 곱한 값으로 정의된다. 유도기에서 유도기전력(xi_L)과 퍼텐셜차(v_L)는 반대 방향이므로 v_L = -L(di/dt)...2025.05.02
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전기전자공학실험-전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터이며, 유니폴라 소자로 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하게 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상 일정한 전류를 ...2025.04.30
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전자전기컴퓨터설계1 결과보고서 3주차2025.05.041. 함수 발생기와 오실로스코프 실험의 목적은 함수 발생기와 오실로스코프를 사용할 줄 아는 것이다. 실험을 통해 커패시터, 인덕터, 다이오드를 포함한 회로의 파형이 어떻게 달라지는지 파악할 수 있었다. 2. 커패시터 커패시터는 회로에서 전기 용량을 전기적인 위치에너지로 저장하는 장치이다. 두 판의 표면과 유전체, 측 절연체가 맞닿은 부분에 전하가 저장되며, 두 개의 도체와 유전체의 표면에 모이는 전하량은 부호가 다른 같은 양의 전하이다. 이로 인해 전기적인 인력이 발생하고, 이 인력에 의해 전하들이 모이게 되어 에너지가 저장된다. ...2025.05.04
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