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다이오드 응용 전자회로실험 결과보고서2025.11.131. 반파 및 전파 정류기(Half-wave and Full-wave Rectifier) 반파 정류기는 다이오드의 방향에 따라 양수 또는 음수 전압만 출력하며, 입력 전압이 VD,on(0.54V)보다 작을 때는 출력이 0이다. 전파 정류기는 양수와 음수 전압을 모두 출력하여 절댓값이 씌워져 양수로 변환된다. 실험 결과 반파 정류기는 사인파 입력 시 VD,on보다 큰 구간만 출력되고, 전파 정류기는 모든 구간이 위쪽으로 출력되는 특성을 확인했다. 2. 리플 전압(Ripple Voltage in Full-wave Rectifier) 캐...2025.11.13
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클램퍼 회로 실험 예비결과보고서2025.11.181. 클램퍼 회로(Clamped Circuit) 클램퍼 회로는 입력 파형을 DC 레벨로 고정시키는 회로입니다. 커패시터를 회로에 직렬로 연결하고 다이오드를 출력과 병렬로 연결하여 구성됩니다. 커패시터가 충전되면서 직류전원의 역할을 하여 전체 DC 전압이 더해져 회로 전체가 기존보다 높거나 낮은 전압에서 파형을 이루게 됩니다. 2. 커패시터의 충전과 시상수 커패시터는 클램퍼 회로의 중요한 요소입니다. 커패시터에 충전이 되면서 직류 전원과 같은 역할을 하게 되어 입력 신호 파형의 상승을 이끕니다. 이를 통해 회로의 DC 레벨 시프트가 ...2025.11.18
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[전자공학응용실험]3주차_1차실험_실험11 공통 소오스 증폭기_예비레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기의 동작 원리와 특성을 설명하고 있습니다. 입력 전압에 따른 MOSFET의 동작 영역(차단, 포화, 트라이오드)과 각 영역에서의 드레인 전류 및 출력 전압 특성을 수식으로 표현하고 있습니다. 또한 MOSFET의 소신호 등가회로를 이용하여 트랜스컨덕턴스와 출력 저항을 구하는 방법을 설명하고 있습니다. 2. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET을 선형적인 증폭기로 동작시키기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호 전압을 동시에 인가하는 방법을 설명하고 있습니다. 이를 통해 MOSFET의 소신호 ...2025.01.29
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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실험 06_공통 이미터 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 이미터 증폭기 이 실험에서는 BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기 회로를 구성하고, 실험을 통해 그 동작을 확인하였다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 하였다. 2. BJT 증폭기 BJT 증폭기의 전압 이득을 증가시키기 위해서는 컬렉터 전류를 키...2025.04.28
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제너 다이오드의 기초특성 및 응용회로2025.11.121. 제너 다이오드(Zener Diode) 제너 다이오드는 역방향 바이어스 상태에서 특정 전압(제너 전압)에 도달하면 급격한 전류 증가가 발생하는 반도체 소자입니다. 이러한 특성을 이용하여 전압 조절 및 안정화 회로에 널리 사용되며, 정전압 다이오드로도 불립니다. 제너 다이오드의 기초특성 이해는 전자회로 설계에 필수적입니다. 2. 제너 다이오드 응용회로 제너 다이오드는 전압 레귤레이터, 과전압 보호회로, 기준전압 생성 등 다양한 응용회로에 사용됩니다. 특히 전원공급장치에서 출력 전압을 일정하게 유지하는 전압 안정화 회로의 핵심 소자...2025.11.12
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 17 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기)2025.01.291. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하는 것이 목적이다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기는 일반 저항 대신 MOSFET을 부하로 사용하여 출력 임피던스를 크게 만들고, 높은 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 고성능이 요구되는 증폭 회로에서 사용되며, 작은 입력 변화에도 큰 출력 증폭을 가능하게 하는 장점이 있다. 2...2025.01.29
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아날로그 및 디지털회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.041. 논리 게이트 구현 및 동작 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 입출력 전압을 측정하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성하였으며, 3입력 NAND 게이트의 등가회로도 구현하였다. 2. 게이트 소자의 시간 지연 특성 AND 게이트와 OR 게이트를 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프로 입출력 신호를 측정하여 시간 지연을 확인하였다. AND 게이트의 경우 한 stage당 rise time delay 5.5...2025.01.04
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기초실험2 결과보고서2025.01.291. 저항소자 및 써미스터 소자의 특성 실험을 통해 저항소자와 써미스터 소자의 저항값을 측정하였다. 저항소자는 10 kΩ의 저항값을 갖도록 제작되어 있으며, 실제 측정값도 이와 유사하였다. 그러나 써미스터 소자의 경우 10 kΩ에서 많이 벗어난 저항값이 측정되었는데, 이는 써미스터의 온도 의존성 때문이다. 온도계로 측정한 주변 온도를 참고하면 써미스터의 저항값 변화를 이해할 수 있다. 2. 저항소자와 써미스터 소자의 전압-전류 특성 저항소자와 써미스터 소자는 동일한 10 kΩ의 저항값을 갖지만, 열을 가했을 때 전압-전류 특성이 다...2025.01.29
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A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.211. MOSFET 소자 특성 측정 이 프레젠테이션에서는 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, iD-vGS 특성곡선 시뮬레이션, iD-vDS 특성곡선 시뮬레이션 등이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 ...2025.01.21
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