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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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옴의 법칙 결과보고서2025.05.081. 옴의 법칙 실험 1에서는 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는지 확인하였다. 표시저항과 계산한 저항값의 오차가 매우 작았고 V-I 그래프에서 일정한 기울기를 보여 옴성 물질임을 확인할 수 있었다. 실험 2와 3에서는 다이오드가 옴의 법칙을 만족하지 않는 비옴성 물질임을 확인하였다. 다이오드의 전압-전류 특성이 직선이 아니며 저항값도 일정하지 않았다. 또한 다이오드에 역방향 전압이 걸리면 전류가 흐르지 않는 극성 특성을 보였다. 발광 다이오드의 경우 색에 따라 순방향 전압값에 차이가 있었다. 2. 저항 실험 1에서 사용한 33Ω과 1...2025.05.08
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다이오드 특성 실험 및 I-V 특성 측정2025.11.161. 다이오드의 기본 동작 원리 다이오드는 p-type과 n-type 반도체의 접합으로 만들어지며, 접합면 근처에서 barrier voltage가 형성된다. Forward bias에서는 p-type에 양의 전압, n-type에 음의 전압을 인가하여 forward current가 흐르고, reverse bias에서는 반대로 인가하여 매우 작은 leakage current만 흐른다. Si 다이오드의 barrier voltage는 약 0.6V이며, 다이오드는 0.7V drop model 또는 piecewise linear model로 등...2025.11.16
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Zener diode 실험 보고서2025.11.111. Zener diode 정전압 조정 제너 다이오드의 역방향 전압 특성을 이용한 정전압 조정 실험. 입력 전압을 1V, 2V, 3V, 5V, 8V, 10V로 변화시켰을 때 제너 다이오드에 걸리는 전압을 측정. 5.6V 이상의 역전압이 인가되면 제너 다이오드의 항복 전압인 5.6V로 유지되는 특성을 확인. 이는 제너 다이오드가 일정 전압 이상에서 전압을 일정하게 유지하는 정전압 소자로 작동함을 보여줌. 2. Zener diode 단방향 전압 제한 제너 다이오드를 이용한 단방향 전압 제한 실험. 10V 입력에 대해 0V offset과...2025.11.11
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물리학실험 옴의 법칙2025.11.141. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전자회로에서 전압, 전류, 저항 사이의 관계를 나타내는 기본 법칙입니다. 실험을 통해 탄소저항(10Ω, 100Ω)에서 전류-전압 그래프가 직선 형태를 나타내며, 일정한 기울기(저항값)를 유지함을 확인했습니다. 이는 V=IR 공식이 성립함을 의미합니다. 탄소저항의 경우 전압에 관계없이 일정한 저항을 가지므로 옴의 법칙을 만족합니다. 2. 다이오드의 특성 다이오드는 비옴성 물질로서 옴의 법칙을 만족하지 않습니다. 순방향(양의 전압)으로 전류가 흐를 때는 매우 낮은 저항을 가지지만, 역방향(음의 전압)으로는 ...2025.11.14
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[전자회로실험] Diode 실험 보고서2025.01.221. 다이오드 다이오드는 이상적인 정류기(ideal rectifier)로써 인가전압의 극성에 따라 0의 저항 혹은 무한대의 저항을 갖는 반도체 소자이다. 즉, 한 방향으로만 전류가 흐르게 제어하여 전자회로를 구성하는 핵심 소자 중 하나이다. 다이오드가 이러한 특성을 갖게 되는 반도체 수준의 원리를 알아보고, 이 특성을 이용하여 여러 방법으로 회로를 구성하여 다이오드가 전류를 정류하는 매커니즘을 익힌다. 더 나아가 회로 구성에서 다이오드의 필요성과 중요성, 다양한 응용 방법을 다룬다. 2. 반도체 이론 실리콘 원자는 전자구조를 가지고...2025.01.22
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실험 01 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 예비 보고서2025.04.271. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 P형과 N형 반도체의 접합으로 구성되어 있으며, 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 소자입니다. 순방향 바이어스 시 저항이 작아지고 역방향 바이어스 시 저항이 커지는 특성을 지닙니다. 실험을 통해 PN 접합 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 수 있습니다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 항복 전압을 낮추어 준 소자로서, 역방향 바이어스 시 양단 사이의 전압 강하가 일정한 특성을 지닙니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 동작 특성과 전압-전류 특성을 확인할 ...2025.04.27
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전자공학실험 4장 BJT 기본 특성 A+ 예비보고서2025.01.131. npn형 BJT의 기본 동작 원리 npn형 BJT는 'n형 반도체(Emitter)-p형 반도체(Base)-n형 반도체(Collector)'의 결합으로 이루어진 트랜지스터로, V_E와 V_B, V_C의 크기 관계에 따라 EBJ(이미터와 베이스 간 결합), CBJ(컬렉터와 베이스 간 결합)영역에서 다이오드가 순방향, 역방향으로 나뉘게 되어 총 4가지의 동작 영역이 존재한다. 즉 V_BE, V_CB의 크기를 조절함으로써 전류의 방향과 크기를 제어한다. 2. npn형 BJT의 4가지 동작 영역 npn형 BJT는 V_E와 V_B, V_...2025.01.13
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PN 접합다이오드 특성곡선 측정 및 기준전압 실험2025.11.161. PN 접합다이오드의 비선형 특성 Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가할 때 임계전압 이전에는 거의 선형적 관계를 유지하지만 임계전압을 넘으면 전압과 전류의 관계가 지수함수 형태로 변화한다. 이는 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 비선형 관계를 보여주며, Shockley 식으로 수학적으로 표현된다. 임계전압 이전에는 저항값이 매우 커서 다이오드가 거의 꺼진 상태로 간주된다. 2. 다이오드의 DC 및 AC 저항 다이오드의 DC 정저항은 특성곡선의 한 동작점에서 전압과 전류의 비율로 결정되며 RDC = VDQ...2025.11.16
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전기전자공학실험-다이오드의 특성2025.04.301. 다이오드의 특성 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 곡선을 계산하고, 비교하며, 측정한다. 다이오드를 포함하는 회로의 직류 응답을 얻기 위해 PSpice를 이용하여 DC Sweep을 수행하고, 온도 해석의 Spice 모의실험을 수행한다. 2. 저항 전류가 흐르는 것을 막는 작용을 하는 소자로, 단위는 옴(Ω)이며 옴의 법칙에 따라 저항, 전류, 전압 간의 관계를 설명한다. 저항의 값은 색 띠로 표시되며, 4색 또는 5색 띠로 구성된다. 3. 다이오드 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로, 정류와 발광 등의 특성...2025.04.30
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