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서강대학교 22년도 전자회로실험 3주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 다이오드 회로 이번 실험은 다이오드를 포함한 회로를 설계해보고, 순방향 및 역방향 바이어스를 적용시켜보며 회로에서의 다이오드의 동작을 확인해보는 실험이었다. 실제 측정값과 이론값, PSpice측정값은 평균 5%내외의 오차를 보였다. 이러한 오차의 원인으로는 전원 공급기의 전압 오차, 저항과 다이오드의 허용오차, 측정장비의 오차 등이 있을 수 있다. 또한 정전압 강하 모델을 이용해 계산한 이론값의 한계로 인한 오차도 발생했다. 정전압 강하 모델은 다이오드의 실제 I-V 특성을 완전히 반영하지 못하지만, 일반적인 다이오드 회로에서...2025.01.12
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Schottky Contact2025.05.081. Schottky Contact의 정성적 설명 n형 반도체에 대한 Schottky Contact의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. Homo-Junction과 Hetero-Junction의 개념을 설명하고, MS-Junction인 Schottky-Junction의 특성인 Rectifying 특성과 Ohmic 특성을 설명하였습니다. 또한 Metal과 Semiconductor의 접합에 따른 Energy Band Diagram을 통해 Schottky Barrier Height와 Built-In Potential의 개념을 설명하였...2025.05.08
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전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
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pn junction 에너지밴드2025.05.081. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하였습니다. p-n 접합이 형성되면 n형과 p형 사이에 에너지 밴드의 휘어짐이 발생하여 에너지 장벽이 생성됩니다. 이 에너지 장벽으로 인해 전자의 이동이 제한되어 전류가 잘 흐르지 않게 됩니다. 2. p-n Junction의 정량적 설명 p-n 접합부에서의 푸와송 방정식을 풀이하여 열평형 상태에서의 에너지 다이어그램을 도출하였습니다. 공핍층 내부의 전하 밀도 분포와 전계 분포를 분석하여 에너지 밴드 구조를 정량적으로 설명하였습니다. 3. p-...2025.05.08
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A+받은 다이오드 리미터 예비레포트2025.05.101. 직렬 다이오드 리미터 직렬로 접속된 다이오드 리미터는 교류 신호의 양의 반주기 동안 출력을 제거할 수 있다. 다이오드의 도통 및 차단 특성에 따라 교류 신호의 양의 반주기 또는 음의 반주기를 제한할 수 있다. 실제 다이오드는 순방향 저항이 있어 이상적인 스위치와 다르게 동작하며, 출력전압이 입력전압보다 작게 나타난다. 2. 병렬 다이오드 리미터 병렬로 접속된 다이오드 리미터는 교류 신호의 양의 반주기 또는 음의 반주기를 제한할 수 있다. 양의 반주기 동안 다이오드는 역방향 바이어스되어 높은 저항이 되고, 음의 반주기 동안 다이...2025.05.10
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PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압 예비레포트2025.05.031. PN 접합 다이오드 특성곡선 측정 이 실험의 목적은 전압과 전류 사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않는 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작 원리를 이해하는 것입니다. 실험에서는 다이오드의 순방향 및 역방향 특성을 측정하고, 이를 통해 다이오드의 동작 원리를 설명합니다. 2. 다이오드 직렬 및 병렬 연결 이 실험의 목적은 특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결했을 때의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용 회로를 해석할 수 있는 능력을 개발하는 것입니다. 실험에서는 직렬 및 병렬로 연결...2025.05.03
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 PN 접합 다이오드를 직렬로 연결하여 일정한 전압을 출력하는 전압 레귤레이터 회로. 다이오드의 내부 저항과 저항 R의 비율에 따라 라인 레귤레이션 특성이 결정되며, 부하 레귤레이션 성능도 다이오드의 내부 저항에 따라 달라진다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로로, 제너 다이오드가 역방향으로 동작하여 일정한 제너 전압에서 전압을 유지한다. 제너 다이오드는 높은 전압에서도 안정적인 전압 레귤레이션이 가능하며, 부품의 수를...2025.01.29
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Diode의 전기적 특성 실험_결과레포트2025.01.121. Diode의 전기적 특성 실험 실험을 통해 Diode의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과 Diode의 전압-전류 특성이 시뮬레이션 결과와 유사한 exponential 함수 형태로 나타났으며, Zener Diode의 경우 reverse 전압에서 일정한 전류가 유지되는 특성을 확인할 수 있었다. 실험값과 시뮬레이션 값이 정확히 일치하지 않는 이유는 시뮬레이션에서 실험 소자 내부 저항을 고려하지 않았기 때문으로 분석된다. 2. Diode의 전압-전류 특성 Diode의 전압-전류 특성 실험에서 전압과 전류의 관계가 exponent...2025.01.12
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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사이리스터 예비보고서2025.01.121. 사이리스터의 구조 사이리스터는 p-n-p-n 접합의 4 층으로 이루어진 반도체 소자이다. 반도체 소자의 일종으로 반도체 스위치로 취급한다. 다이오드와 형태가 비슷하지만 다이오드보다 핀 하나가 더 있으며, 그 핀으로 인해 정방향 뿐만 아니라 역방향으로도 전류가 흐르게 만들면서 교류를 생산할 수 있다. 2. 사이리스터의 동작원리 사이리스터는 제어단자(G, Gate)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A,Anode)과 음극(K,Cathode) 사이를 도통시킬 수 있는 3 단자의 단방향 반도체 소자이다. 게이트에 일정한 ...2025.01.12
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