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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_20 커패시터(LTspice 시뮬레이션+분석)2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에 전하가 모이게 된다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 직렬 연결된 커패시터들은 서로 전하를 채워주는(충전) 전류가 같고, 전체 커패시턴스는 줄어든다. 병...2025.05.13
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RC회로의 시간 응답2025.04.271. RC 회로의 충전 특성 실험을 통해 RC 회로의 충전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 충전 시간이 길어지는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 시상수 τ = RC의 관계에 따른 것으로, 저항이 증가하면 시상수가 커져 충전 시간이 길어지게 된다. 또한 실험 결과와 이론값을 비교하여 약 ±10% 내의 오차를 확인하였다. 이러한 오차는 측정 시 시간 동기화의 어려움과 커패시터의 내부 저항(ESR) 등에 의한 것으로 추정된다. 2. RC 회로의 방전 특성 실험을 통해 RC 회로의 방전 특성을 확인하였다. 저항 값이 증가할수록 방전...2025.04.27
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기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
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공통 이미터 증폭기 및 주파수 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) 공통 이미터 증폭기는 BJT 트랜지스터를 이용한 기본 증폭 회로로, 입력 신호는 베이스-에미터 접합으로 주입되고 출력은 콜렉터-에미터 접합에서 취합니다. 이 회로는 입력과 출력 신호 사이에 180도의 위상 차이를 가지며, 직류 바이어스 회로를 통해 트랜지스터의 동작점을 설정합니다. 실험에서는 전압 분배 바이어스 방식을 사용하여 각 단자의 전압과 전류를 측정하고, 베타값과 임피던스를 계산하여 회로의 특성을 분석했습니다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 전압이득은...2025.11.18
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전압 체배회로 실험 결과보고서2025.11.141. 전압 체배회로(Voltage Doubler) 전압 체배회로는 입력전압의 2배의 피크 전압을 출력하는 회로이다. 기본 동작은 다이오드 D1, D2와 커패시터 C1, C2로 구성되며, 입력전압이 음수일 때 D2가 ON되어 C1에 Vp만큼 충전되고, 양수일 때 D1이 ON되어 C2에 Vp+Vc1만큼 충전된다. 시간이 흐르면 출력단에 2Vp의 전압이 나타나게 되며, 실제 회로에서는 저항분배에 의해 약 1.7Vp 정도의 출력전압을 얻는다. 2. 커패시터의 역할 및 영향 커패시터는 전압 체배회로에서 에너지를 전기장 형태로 축적하는 핵심 ...2025.11.14
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수동소자의 고주파 특성 측정 방법의 설계2025.05.021. 저항 MHz 대의 주파수 대역에서 저항값이 점점 떨어지는데 이때 기생 커패시터를 통해 흐르는 전류가 더 커지기 때문임. 2. 커패시터 커패시터가 저항과 인덕터 성분을 모두 갖고 있다는 사실에 주목하여 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 아닌 인덕터로 동작하는 것을 확인. FG의 파형과 저항의 파형을 측정하며 주파수의 증가에 따라 저항의 전압이 증가하다가 4MHz 이상의 주파수에서 커패시터가 인덕터로 작동함에 따라 저항의 전압이 감소하는 것을 확인. 3. 인덕터 mH 급의 인덕터가 1MHz 부근에서 커패시터처럼 작동함을 확인....2025.05.02
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수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.05.151. 저항의 고주파 특성 측정 저항은 기생(parasitic)소자 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있고, 특히 저항을 통과하여야 하는 전류가 고주파에선 parasitic 커패시터에 더 잘 흐르기 때문에 주파수를 올릴 때, 저항 값은 점차 줄어들 것으로 예상된다. 즉, 주파수가 높아질 수록 저항은 커패시터의 특성을 더 많이 나타낸다는 고주파 특성을 확인할 수 있을 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터는 기생 인덕터의 영향을 가지고 있어 고주파 영역에서는 임피던스가 증가한다. 따라서 저항 전압은 주파수 증가에 따라 전압이...2025.05.15
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Common Emitter Amplifier 주파수 특성 분석2025.11.181. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 Emitter 저항을 사용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성을 측정하고 평가한다. 100 kHz, 20 mVpp 사인파 입력 시 출력파형을 PSPICE로 시뮬레이션하여 최대값 153.346mV, 최소값 161.546mV를 얻었으며 max/min 비율은 94.92%이다. 전체 전압 이득은 -14.7(V/V)이고, 10 Hz에서 10 MHz까지의 주파수 응답 특성을 로그 스케일로 분석한다. 2. 3dB Bandwidth 및 Unit Gain Fr...2025.11.18
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중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서52025.01.201. 슈미트 회로의 특성 슈미트 트리거 (=5 V)의 문턱 전압을 2.5 V로 설계하는 방법을 설명합니다. 문턱 전압 계산 공식을 이용하여 저항비를 1:1로 조정하면 원하는 문턱 전압을 얻을 수 있습니다. 실제 회로 설계 및 시뮬레이션 결과를 통해 2.42 V 부근에서 문턱 전압이 나타나는 것을 확인할 수 있습니다. 2. 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 슈미트 회로의 출력 주파수 계산 공식을 도출합니다. 실습 이론에 나오는 식(8-3)과 식(8-5)를 연립하여 주파수 공식 f=1/2πRC를 도출할 수 있습니다. 3. 전압제어 발진기...2025.01.20
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[A+] 중앙대학교 전기회로 설계실습 예비보고서 12. 수동소자의 고주파특성측정방법의 설계2025.04.291. 저항의 고주파 특성 측정 저항의 고주파 특성을 측정하기 위한 회로는 Digital MultiMeter를 저항의 양단에 연결하여 저항의 값을 측정하고, Function Generator에서 정현파를 입력한 후 주파수를 증가시키며 저항의 값의 변화를 측정한다. 주파수를 증가시키다 보면 저항의 값이 감소하는 주파수를 측정할 수 있다. 이는 실제 저항이 구조상 원치 않는 커패시터와 인덕터 성분을 가지고 있기 때문에 기생 커패시터에 흐르는 전류가 증가하여 저항의 값이 감소하는 것이다. 2. 커패시터의 고주파 특성 측정 커패시터의 고주파...2025.04.29
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