총 492개
-
[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Capacitor 및 Inductor의 특성2025.01.151. Capacitor 커패시터는 내부에 있는 전기장에 에너지를 축적하는 전자부품이다. 서로 평행하게 보고 있는 두 개의 전극 판 사이에 생기는 공간에 유전체가 들어있고 전하를 저장하기도 하는 부품이다. 커패시터는 재질과 구조에 따라서 다양한 종류를 가지고 있으며, 실험에 따라서 특성을 잘 사용할 수 있도록 적절하게 종류를 선택해서 사용하는 것이 중요하다. 커패시터는 크게 극성의 유무로 인해서 분류할 수 있으며, 극성이 있는 커패시터는 전해 커패시터와 탄탈 커패시터가 있고, 극성이 없는 커패시터는 필름 커패시터, 세라믹 커패시터, ...2025.01.15
-
응용물리회로실험 - Transistor CE2025.05.071. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 교류신호에 대하여 이미터 단자가 입력과 출력의 공통 단자 역할을 하며, 높은 전압이득 및 전류 이득을 갖게 된다. 입력과 출력에 결합 커패시터와 이미터와 접지 사이의 바이패스 커패시터로 구성되어 있다. 교류 입력신호는 베이스 단자에 결합 커패시터를 통해 연결되고, 출력신호는 컬렉터 측의 결합 커패시터를 통해 부하와 연결된다. 바이패스 커패시터는 교류입력의 동작 주파수에서 매우 작은 용량성 리액턴스 값을 갖도록 설정되어 이미터 단자를 접지시킨다. 1. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭...2025.05.07
-
RC, RL 미적분 회로 예비 보고서2024.12.311. 커패시터의 전류-전압 특성 커패시터는 두 도체판 사이에 유전체를 두어 전하를 축적할 수 있는 소자입니다. 커패시터에 전압이 가해지면 전하가 축적되어 지수 함수적으로 전압이 증가하며, 방전 시에는 지수 함수적으로 전압이 감소합니다. 커패시터의 전류는 전압의 미분값에 비례합니다. 2. 인덕터의 전류-전압 특성 인덕터는 철심에 절연된 도체를 나선형으로 감은 소자로, 전압과 전류의 관계가 커패시터와 반대입니다. 인덕터에 전압이 가해지면 전류가 지수 함수적으로 증가하며, 전압이 제거되면 전류가 지수 함수적으로 감소합니다. 인덕터의 전압...2024.12.31
-
물리2 세특 (트랜지스터 구조 관련) 24년 수시 합격생의 생기부 자료2025.01.211. 트랜지스터 트랜지스터는 전극에 가해진 전압이나 전류를 제어해서 신호를 증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 크게 BJT(Bi-polar Junction Transistor)와 FET(Field Effect Transistor)로 나눌 수 있다. BJT는 전류를 증폭시키며 Base, Collector, Emitter인 3개의 전극을 가지고 있고 전자와 정공 둘 다 기여하는 Biploar 소자이다. FET은 전압을 증폭시키며 Gate, Source, Drain으로 이루어져 있고 전자나 정공 중 한 종류만 전...2025.01.21
-
기초회로실험 1주차 예비보고서 - R, L, C 소자의 이해2025.01.041. 저항 저항은 물질의 이동을 억제하는 소자로, 값이 클수록 전자의 이동이 어렵다. 저항의 단위는 옴(Ω)이며, 저항 R은 물질의 고유저항률 ρ, 길이 L, 단면적 S에 따라 R = ρL/S로 계산할 수 있다. 2. 커패시터 커패시터는 두 개의 도체 평판 사이에 절연물(유전체)를 채우고 평판 사이에 전압을 인가하면 평판에 전하가 모이는 회로소자이다. 커패시턴스 C는 단위 전압당 모을 수 있는 전하의 양으로, C = ε0εrS/d 로 계산할 수 있다. 커패시터는 직류용과 교류용으로 구분되며, 용량과 극성 등이 다르다. 3. 인덕터 ...2025.01.04
-
전기기초실험 레포트 과제2025.05.111. 다이오드 다이오드는 전류를 한쪽으로만 흐르게 하는 정류작용을 하는 전자 부품이다. 다이오드의 전기 저항은 순방향에서 매우 작지만 역방향에서는 매우 크다. 다이오드는 교류를 직류로 변환하는데 사용된다. 다이오드는 비선형 전류-전압 특성을 가지고 있다. p-n 접합 다이오드는 반도체 기반의 전자회로를 구성하는 기본 단위이다. 2. 트랜지스터 트랜지스터는 3개의 반도체 층으로 구성된 능동 반도체 소자이다. NPN 트랜지스터의 경우, 이미터와 베이스 사이에 순방향 전압을 걸면 이미터에서 베이스로 전자가 주입되고, 베이스와 컬렉터 사이...2025.05.11
-
숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
-
단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
-
인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) 결과보고서 (보고서 점수 만점/A+)2025.04.251. RL 회로 10mH 인덕터와 1kΩ의 저항을 사용하여 RL회로를 구성하고 오실로스코프를 이용하여 RL time constant를 측정하였다. 입력전압은 FG를 사용하여 1V 사각파(high = 1V, low = 0V, duty cycle = 50%)로 인가하였다. 또한 인덕터가 충분한 자기에너지를 충전, 방전할 수 있도록 이 사각파의 주기를 10τ,즉,100μs로 설정하였다. 실험을 통한 시정수는 9.50μs였고 오차는 5%였다. 2. 입력전압 변화 입력전압을 ±0.5 V의 사각파(high = 0.5 V, low = - 0.5...2025.04.25
-
정류회로 실험2025.01.141. 정류회로 실험을 통해 220V의 교류전원을 16V의 직류전원으로 변환하는 과정을 확인하였다. 오실로스코프를 이용하여 전압진폭, 주기, 진동수 등을 측정하였고, 마지막 실험에서는 직류전압 15.7V, 멀티미터 측정값 15.76V로 0.38%의 오차율을 보였다. 실험을 통해 정류회로의 동작 원리와 오실로스코프 사용법을 익힐 수 있었다. 2. 다이오드 실험 과정에서 다이오드가 순방향 전류만 흐르는 것을 확인하였다. 이를 통해 다이오드의 특성을 이해할 수 있었다. 3. 커패시터 커패시터를 회로에 연결하여 교류전원을 직류전원으로 변환하...2025.01.14
3 / 50
