
총 1,445개
-
[전자공학실험2] 공진 회로와 광석 라디오2025.04.271. 병렬 공진 회로 실험을 통해 병렬 공진 회로의 전기적 특성(BPF, resistive impedance)을 확인하고 공진 회로의 동작 원리를 이해할 수 있었다. 병렬 공진 회로의 등가 컨덕턴스와 등가 저항을 계산하고 측정값과 비교하였다. 2. 튜닝 회로 안테나의 등가 회로를 이용한 튜닝 회로를 구성하고 gain과 phase 특성을 관찰하였다. 병렬 공진 회로가 inductive impedance 역할을 하여 입력 신호 대비 출력 신호가 90도 leading하는 것을 확인하였다. 3. 크리스탈 라디오 [그림7]의 튜닝 회로를 이...2025.04.27
-
[기초전자실험 with pspice] 18 RC 및 RL 병렬회로 예비보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. RC 병렬회로 RC 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 커패시터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 커패시터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 커패시터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으며, 옴의 법칙을 이용하여 임피던스를 계산할 수 있다. 2. RL 병렬회로 RL 병렬회로에서는 전압에 위상차가 없지만, 저항과 인덕터를 흐르는 전류 사이에 위상차가 발생한다. 인덕터에서 흐르는 전류는 전압보다 90도 앞선다. 전체 전류는 저항과 인덕터를 흐르는 전류의 벡터합으로 나타낼 수 있으...2025.04.28
-
기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
-
서강대학교 22년도 전자회로실험 3주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 다이오드 회로 이번 실험은 다이오드를 포함한 회로를 설계해보고, 순방향 및 역방향 바이어스를 적용시켜보며 회로에서의 다이오드의 동작을 확인해보는 실험이었다. 실제 측정값과 이론값, PSpice측정값은 평균 5%내외의 오차를 보였다. 이러한 오차의 원인으로는 전원 공급기의 전압 오차, 저항과 다이오드의 허용오차, 측정장비의 오차 등이 있을 수 있다. 또한 정전압 강하 모델을 이용해 계산한 이론값의 한계로 인한 오차도 발생했다. 정전압 강하 모델은 다이오드의 실제 I-V 특성을 완전히 반영하지 못하지만, 일반적인 다이오드 회로에서...2025.01.12
-
전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
-
교류및전자회로실험 실험6 제너다이오드와 응용회로 예비보고서2025.01.171. 제너 다이오드 제너 다이오드는 정방향에서는 일반 다이오드와 동일한 특성을 보이지만 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압(항복 전압 혹은 제너 전압)에서 역방향 전류가 흐르는 소자이다. 제너 다이오드는 정전압을 얻을 목적으로 항복 전압이 크게 낮아지도록 설계되어 있으며, 전기 회로에 공급되는 전압을 안정화하기 위한 정전압원을 구성하는 데 많이 사용된다. 2. 제너 다이오드의 정전압회로 제너 다이오드를 사용한 가장 보편적인 응용은 정전압회로이다. 제너 다이오드를 부하에 병렬로 삽입하면 전원전압의 변화에 상관없이...2025.01.17
-
아주대학교 A+전자회로실험 실험6 예비보고서2025.05.091. 삼각파 발생회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용한 슈미트 트리거 회로와 적분기를 연결하여 삼각파 및 구형파 발생 회로의 동작 원리를 배우고, 실제 실험을 통해 회로를 구현하여 발진 주파수 f_o를 측정하고 계산식으로 구한 값과 비교하여 이론식을 증명하는 것입니다. 삼각파 발생 회로는 슈미트 트리거 회로와 적분회로로 구성되며, 전원을 인가하면 A1의 출력 전압은 +- V_0,sat 크기의 구형파가 되고, A2는 적분 회로이자 부궤환 회로이므로 삼각파 특성을 갖게 됩니다. 이론적으로 주기는 T_0 = 4RC(R_2/R_1)이고 주...2025.05.09
-
전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 3 정전압 회로와 리미터)2025.01.291. PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 PN 접합 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 부하 저항과 병렬로 다이오드를 연결하여, 입력 전압이나 부하 전류의 변화에도 출력 전압이 크게 변화하지 않도록 설계된 회로입니다. 입력 전압이 변하더라도 다이오드의 특성에 의해 출력 전압의 변화가 제한되기 때문입니다. PSpice를 이용하여 입력 전압의 변화와 부하 전류의 변화에 따른 출력의 변화를 모의실험하였습니다. 2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터는 PN 접합 다이오드와 유사한 동작 ...2025.01.29
-
울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로2025.01.121. JFET 특성 및 바이어스 회로 이번 실험은 JFET의 바이어스에 따른 값들의 변화를 관찰하는 것이 목적입니다. 고정 바이어스 회로를 통해 I_DSS, V_P 값을 구하고, V_DS에 따른 I_D 값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고, 전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 것을 확인할 수 있었습니다. 다음 실험인 self-bias 회로에서는 V_G 값이 0이 되고 사용하는 부품의 개수가 적어 회로를 해석하는데 용이하다는 장점이 있습니다. voltage divider bias 회로에서는 R_1R_2에 전압이 분배되...2025.01.12
-
아주대 전자회로실험 A+ 실험1 결과보고서2025.05.091. 반전 연산 증폭기 실험1에서는 반전 연산 증폭기의 전압 이득에 따라 출력 전압이 작아지고 전압 이득 역시 작아지는 것을 확인하였다. 실험 결과 gain의 오차는 대부분 1% 이하로 작은 편이었지만, 전압 이득이 20000일 때는 1.5%의 오차가 발생하였다. 이는 저항 값의 오차 때문인 것으로 분석되었다. 2. 위상차 이론적으로 반전 연산 증폭기에서 입력 전압과 출력 전압의 위상 차이는 180°가 된다. 실험 결과 위상의 이론, simulation값과 실제 값과의 상대오차는 1% 미만으로 매우 작아, 위상차가 180°인 것을 ...2025.05.09