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실험 09_MOSFET 기본 특성 예비 보고서2025.04.271. MOSFET 동작 원리 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소오스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소오스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. NMOS와 PMOS의 구조와 동작 원리가 서로 반대이지만 기본적인 동작 원리는 동일하다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET에는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지...2025.04.27
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인하대 VLSI 설계 3주차 NAND,NOR,AND,OR2025.05.031. Rule of Conduction Complements(Dual) NAND gate 회로에서 PMOS는 병렬 연결되어 두 Input 중 하나라도 0일 경우 Y 노드가 VDD와 연결되어 1이 출력되는 Pull-up network를 구성하고, NMOS는 직렬 연결되어 두 Input 모두 1일 때만 Y 노드가 GND와 연결되어 0이 출력되는 Pull-down network를 구성한다. Complementary CMOS Logic gates는 PMOS Pull-up network와 NMOS Pull-down network로 구성되며,...2025.05.03
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전자회로응용및실험 A+ 실습과제 한양대 에리카2025.01.221. Voltage Regulator 설계 전자회로 응용 및 실험 과제에서 Voltage Regulator 설계에 대해 다루고 있습니다. 기초 Voltage Regulator 설계 1에서는 PMOS-type Voltage Regulator를 설계하고, 이를 통해 Vout 전압이 3V가 나오도록 하는 것이 목표입니다. 회로도 작성, AC 시뮬레이션, 전체 loop gain 수식 분석 등을 수행하였습니다. 기초 Voltage Regulator 설계 2에서는 Load current 범위가 1mA~100mA로 변경된 상황에서 새로운 Vol...2025.01.22
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전자회로 설계실습2 A+ 레포트 에리카2025.01.231. Voltage Regulator 설계 Voltage Regulator 설계에 대한 내용입니다. 기초 Voltage Regulator 설계, Error amplifier, Pass transistor, PMOS-type Voltage Regulator 구조 등을 다루고 있습니다. 목표 스펙으로 VIN = 5V, Vout = 3V, Vref = 1.5V, Load Current = 1mA, Cout = 1uF, Bias Current 10uA 등을 제시하고 있습니다. 전자회로 교과서의 기본 differential amp를 erro...2025.01.23
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디지털집적회로 inverter 설계도 및 시뮬레이션 결과2025.04.281. CMOS 인버터 설계 CMOS 인버터는 다른 유형의 인버터에 비해 노이즈 마진이 넓고 전력 소비가 낮아 집적 회로 설계의 기반이 되고 있습니다. 이 프로젝트에서는 CMOS 인버터를 선택하여 설계하고 시뮬레이션을 수행했습니다. PMOS와 NMOS의 크기 비율을 변경하여 스위칭 임계 전압과 전파 지연 시간을 분석했습니다. 2. DC 분석 DC 분석에서는 스위칭 임계 전압(Vs)을 계산하고 PMOS/NMOS 크기 비율에 따른 변화를 확인했습니다. PMOS/NMOS 크기 비율이 1.4335일 때 Vs는 VDD/2보다 낮았고, 1일 때...2025.04.28
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A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 결과레포트2025.05.101. Half wave rectifier 실험 결과 Half wave rectifier 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 다이오드의 Threshold 전압으로 인해 출력 전압이 입력 전압보다 감소하는 것을 확인하였다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 실험 결과와 이론값을 비교하였고, 약간의 오차가 있음을 확인하였다. 2. Voltage clipper 실험 결과 Voltage clipper 회로를 구현하였고, 입력 전압과 출력 전압을 관찰하였다. 두 개의 다이오드가 서로 반대 방향으로 연결되어 있어 Thresho...2025.05.10
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 실험 결과2025.01.021. 공통 소오스 증폭기 공통 소오스 증폭기는 NMOS와 PMOS 트랜지스터를 사용하여 구성된 증폭기 회로입니다. 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 실험 결과에 따르면, 입력 전압이 0~3V 범위에서 출력 전압이 일정하게 유지되다가 4V 이상에서 급격히 감소하는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 전압 이득은 약 85V/V로 측정되었습니다. 이러한 결과는 회로 구성 요소의 특성, 바이어싱, 주파수 응답 등 다양한 요인에 의해 영향을 받는 것으로 분석됩니다. 1. 공통 소오스 증폭기 ...2025.01.02
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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MOSFET 기본특성 실험 결과보고서2025.11.171. MOSFET 동작 영역 MOSFET은 세 가지 동작 영역으로 구분된다. 차단 영역은 VGS가 문턱 전압보다 낮을 때 발생하며 전류가 흐르지 않는다. 트라이오드 영역은 VGD가 문턱 전압보다 클 때 나타나며 드레인 전류가 VDS에 따라 변한다. 포화 영역은 VGD가 문턱 전압보다 작을 때 발생하며 VDS가 증가해도 드레인 전류는 일정하게 유지된다. 본 실험에서 5.5V 이상의 VDS에서 포화 영역 특성을 확인했다. 2. NMOS와 PMOS의 특성 비교 NMOS는 게이트에 양의 전압을 인가하면 p형 기판이 n형으로 반전되어 채널이...2025.11.17
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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