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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 21 차동 증폭기 심화 실험)2025.01.291. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 주요 동작 원리는 입력 트랜지스터(M1, M2)가 차동 입력 신호를 증폭하고, 전류 거울(M3, M4)이 정전류원을 구성하며, 부하 트랜지스터(M5, M6)가 능동 부하로 작동하여 높은 출력 저항과 전압 이득을 제공한다. 이 회로는 높은 선형성과 잡음 억제 특성으로 고성능 아날로그 설계에서 필수적인 역할을 한다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 차동 증폭기의 공통 모드 제...2025.01.29
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MOSFET 기본특성 실험 결과 보고서2025.01.021. NMOS 특성 NMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상과 달리 측정되었다. Vgs와 Vds를 인가했을 때 NMOS는 차단 영역, 선형 영역(triode 영역), 포화 영역을 거치며 동작하는 것을 확인할 수 있었다. 채널 길이 변조 효과로 인해 선형 영역과 포화 영역에서 Vds와 Id의 관계가 달라지는 것을 관찰할 수 있었다. 2. PMOS 특성 PMOS 실험에서는 가장 낮은 저항 2개를 병렬로 연결하여 입력 측에 사용했으나, 출력 전압이 예상보다 낮아져 파워 서플라이가...2025.01.02
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microelectronic circuits - BJT / MOSFET 정리본2025.01.281. BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT는 pnpn 구조로 이루어져 있으며, 베이스-이미터 접합에서 전자와 정공이 주입되어 증폭 작용을 할 수 있습니다. 정방향 바이어스에서는 콜렉터 전류가 잘 흐르고, 역방향 바이어스에서는 콜렉터 전압이 높아집니다. BJT의 주요 특성으로는 베이스 전류, 콜렉터 전류, 이미터 전류의 관계, 증폭률 β, 역증폭률 α 등이 있습니다. BJT는 스위칭 회로와 증폭기 회로에 사용됩니다. 2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect...2025.01.28
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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반도체 소자 및 설계 - 62025.05.101. FET(NMOS, PMOS) 공정 FET(NMOS, PMOS) 공정에 대해 설명합니다. FET(NMOS, PMOS)의 기호와 동작 원리, 특히 NMOS와 PMOS의 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 래치업 효과 CMOS 기술에서 내재된 바이폴라 접합 트랜지스터로 인해 발생할 수 있는 래치업 효과에 대해 설명합니다. 래치업 효과는 Vdd와 GND 라인을 단락시켜 칩을 파괴하거나 시스템 오류를 일으킬 수 있습니다. 3. 래치업 효과 해결 방법 래치업 효과를 해결하기 위한 방법으로 산화물 트...2025.05.10
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[ 기초전자공학 ][ 한국공학대 ] 트랜지스터 실습12025.01.041. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 이번 실습에서는 바이폴라 트랜지스터의 특성을 관찰하였습니다. 회로를 브레드보드에 구성하고 오실로스코프를 사용하여 바이폴라 트랜지스터의 베이스-에미터 간 전압, 콜렉터 전류, 특성곡선을 관찰하였습니다. 바이폴라 트랜지스터의 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과 유사하지만, 포화영역이 존재한다는 차이점이 있습니다. 2. 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성 관찰 실습 6.2에서는 바이폴라 트랜지스터의 전류 전달 특성을 관찰하였습니다. 오실로스코프를 사용하여 베이스 전류와 콜렉터 전류를 관...2025.01.04
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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BJT 회로의 특성 실험2025.05.111. 트랜지스터의 구조와 동작 원리 실험을 통해 트랜지스터의 구조와 동작 원리를 이해할 수 있었다. 트랜지스터는 다이오드와 유사하게 반도체 물질로 구성되지만, 다이오드와 달리 3개의 영역과 2개의 PN 접합을 가지고 있다. 트랜지스터의 이미터, 베이스, 컬렉터 영역의 도핑 농도 차이로 인해 전자가 베이스를 통해 컬렉터로 흐르게 되며, 이 과정에서 전류 증폭이 일어난다. 실험을 통해 트랜지스터의 순방향/역방향 바이어스 특성, 전류 증폭 특성 등을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 V-I 특성 곡선 실험에서 트랜지스터의 V-I 특성...2025.05.11
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MOSFET 에너지 밴드2025.05.081. MOSFET 동작 모드 MOSFET은 Gate 전압에 따라 Accumulation, Depletion, Inversion 모드로 동작한다. Accumulation 모드에서는 전류가 흐르지 않고, Depletion 모드에서는 약간의 전류만 흐르며, Inversion 모드에서는 Source에서 Drain으로 전자가 이동하여 전류가 잘 흐른다. MOSFET의 동작 모드는 Gate 전압을 조절하여 변경할 수 있다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET의 동작 영역은 Gate 전압과 Drain 전압의 조합에 따라 달라진다. Gate...2025.05.08
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실험 21_차동 증폭기 심화 실험 예비보고서2025.04.281. 차동 증폭기 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성하여, 전압 이득과 CMRR을 측정하고자 한다. 차동 증폭기는 공통 모드 제거비(CMRR)가 중요한 특성이며, 이를 위해 부하 저항과 트랜지스터의 매칭이 중요하다. 능동 부하를 사용하면 저항 부하에 비해 공정 변화에 강하고 추가 비용이 들지 않는 장점이 있다. 2. 공통 모드 제거비(CMRR) 공통 모드 제거비(CMRR)는 차동 증폭기의 중요한 특성으로, 차동 입력과 공통 모드 입력에 대한 이득 비율을 나타낸다. CMRR...2025.04.28
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