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트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
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전기전자공학실험-쌍극성 접합 트랜지스터 특성2025.04.301. 쌍극성 접합 트랜지스터 쌍극성 트랜지스터(BJT)는 실리콘(Si) 또는 게르마늄(Ge)으로 만들어지며, npn 또는 pnp 구조를 가진다. 트랜지스터의 에미터, 베이스, 컬렉터 단자를 통해 전류와 전압을 제어할 수 있으며, 차단영역, 포화영역, 활성영역, 항복영역 등의 특성을 가진다. 또한 alpha(전압증폭률)와 beta(전류증폭률)의 관계를 통해 트랜지스터의 성능을 분석할 수 있다. 2. 트랜지스터 형태, 단자, 재료 결정 트랜지스터의 형태(npn, pnp)와 단자(에미터, 베이스, 컬렉터)를 DMM을 사용하여 결정할 수 ...2025.04.30
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울산대학교 전기전자실험 9. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기2025.01.121. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 이론값과 측정값 사이에서 가장 큰 오차가 발생한 원인은 트랜지스터의 β값 차이 때문이다. 이론값을 작성할 때는 트랜지스터의 β값을 180으로 가정했지만, 실제 측정값을 통해 구한 β값은 200이었다. 따라서 트랜지스터의 β값 차이로 인해 이론값과 측정값 사이에 오차가 발생했다는 것을 알 수 있다. 1. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 전자 회로 설계에서 매우 중요한 역할을 합니다. 이 증폭기는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 기능을 수행합니다. 이를 통해 ...2025.01.12
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박막 트랜지스터(TFT) 나노반도체 실험2025.11.151. 박막 트랜지스터(TFT)의 원리 박막 트랜지스터는 디스플레이 픽셀의 밝기를 조절하는 스위치 역할을 하는 반도체 소자입니다. Gate 전압을 이용하여 Source와 Drain 간의 전류량을 조절합니다. Gate 전압이 변하면 전류가 흐르거나 차단되며, 전압의 크기에 따라 전류량이 변합니다. 이 과정을 통해 픽셀의 밝기를 제어합니다. 실험에서는 IGZO를 Channel 층으로 사용하는 Oxide TFT를 제작하며, IGZO는 Si보다 20~50배 빠른 전자이동도를 가집니다. 2. Oxide TFT의 구조 및 작동 원리 실험에서 제...2025.11.15
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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교류및전자회로실험 실험10-1_트랜지스터 증폭회로1 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 증폭회로 실험을 통해 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높였다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해할 수 있었다. 2. 동작점 분석 실험 결과를 통해 트랜지스터의 컬렉터, 에미터, 베이스 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정할 수 있었다. 예상값과 실제 측정값 간의 오차가 크지 않아 동작점 설정이 잘 이루어졌음을 ...2025.01.20
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교류및전자회로실험 실험10-1 트랜지스터 증폭회로1 예비보고서2025.01.171. 트랜지스터 증폭회로 트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 바이어스의 개념과 적절한 바이어스에 의한 동작점의 설정, 교류등가회로, 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다. 2. 트랜지스터 바이어스 트랜지스터의 Q-point를 load line의 중앙에 위치시키기 위해 사용되는 bias는 여러 종류가 있으며, 가장 보편적인 방법은 voltage divider bias이다. 이를 통해 트랜지스터를...2025.01.17
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A+받은 BJT(바이폴라 정션 트랜지스터) 결과레포트2025.05.101. NPN 트랜지스터 실험 NPN 트랜지스터의 동작을 살펴보았다. 실험 회로를 구성하고 가변저항을 조정하여 트랜지스터의 각 단자에 인가된 전압 및 전류를 확인하였다. Emitter-Base 사이의 전압이 이상적인 도통전압 0.7V와 다른 이유를 실제 NP 다이오드의 V-I 곡선을 통해 설명하였다. Emitter에 흐르는 전류와 Base, Collector로 나뉘는 전류를 측정하여 전류 이득을 계산하였다. 가변저항 값을 변경하여 Emitter 전류의 변화에 따른 전류 이득의 변화를 확인하였다. 또한 Emitter 전압의 극성을 반대...2025.05.10
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트랜지스터의 기본특성 실험 결과보고서2025.11.121. 트랜지스터(Transistor) 트랜지스터는 반도체 소자로서 전자 회로에서 신호를 증폭하거나 스위칭하는 역할을 수행합니다. 기본특성 실험을 통해 트랜지스터의 동작 원리, 입출력 특성, 증폭 특성 등을 이해하고 측정하는 것이 목표입니다. 이는 전자공학 기초 교육에서 필수적인 실험입니다. 2. 반도체 소자 특성 측정 트랜지스터의 기본특성 실험에서는 베이스-에미터 전압, 컬렉터-에미터 전압, 베이스 전류, 컬렉터 전류 등을 측정합니다. 이러한 측정을 통해 트랜지스터의 입출력 특성곡선을 도출하고 증폭도, 입출력 임피던스 등의 파라미터...2025.11.12
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트랜지스터 스위치 특성 실험 결과보고서2025.11.121. 트랜지스터 스위치 특성 트랜지스터를 전자스위치로 활용하는 기본 원리와 특성을 다루는 실험입니다. 트랜지스터의 ON/OFF 동작 특성, 포화 영역과 차단 영역에서의 동작 메커니즘, 그리고 스위칭 속도 및 효율성을 측정하고 분석합니다. 이는 디지털 회로 설계의 기초가 되는 중요한 개념입니다. 2. 전자스위치 응용 트랜지스터를 이용한 전자스위치는 현대 전자기기의 핵심 구성요소입니다. 전력 제어, 신호 선택, 논리 회로 구현 등 다양한 응용 분야에서 사용되며, 실험을 통해 실제 스위칭 동작의 특성과 한계를 이해하고 최적의 설계 방법을...2025.11.12
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