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MOSFET CS Amplifier 실험 보고서2025.11.181. MOSFET CS Amplifier 회로 MOSFET을 이용한 Common Source 증폭기는 Saturation mode에서 동작하며, 드레인 전류가 게이트 전압에 의해 제어된다. CS Amplifier의 AC 등가회로에서 출력 전압은 v_o = -g_m v_gs(r_o||R_D)로 표현되며, 전압이득은 A_V = -g_m(r_o||R_D)(R_i/(R_i+R_Si))이다. 주파수가 증가할수록 커패시터의 임피던스가 감소하여 전압이득이 이론값에 가까워진다. 2. MOSFET 바이어스 및 동작 원리 MOSFET은 드레인 전류가...2025.11.18
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전자공학응용실험 7주차 5차 실험 공통 소오스 증폭기 결과 레포트2025.01.291. 다단 증폭기의 입력단과 출력단 조건 다단 증폭기의 입력단에서는 입력 임피던스가 커야 입력 전압이 많이 걸려 신호가 다음 단으로 잘 넘어간다. 출력단에서는 출력 임피던스가 부하 저항보다 매우 작아야 부하에 전압이 많이 걸리면서 출력 전압이 커지게 된다. 2. 다단 증폭기의 전압 이득 감소 이유 각 단의 출력 전압은 다음 증폭기에 연결될 때 다음 단의 저항에 의해 전압 분배가 일어나게 되어 최종 단의 전압 이득이 각 단마다 전압 분배가 된만큼 감소하여 나타나게 된다. 3. 실험 회로 변경 이유 처음 50kΩ 저항으로 진행하였을 때...2025.01.29
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전자회로설계 및 실습7_설계 실습7. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성_예비보고서2025.01.221. Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 이전 실험에서 설계한 emitter 저항을 이용한 Common Emitter Amplifier의 주파수 특성 및 커패시터들의 영향을 측정하고 평가합니다. PSPICE 시뮬레이션을 통해 출력파형, 전압, 전류, 이득 등을 분석하고 주파수 특성 그래프를 작성합니다. RE와 커패시터 변경에 따른 주파수 특성 변화도 확인합니다. 2. RE 변화에 따른 주파수 특성 RE를 ±10% 변경했을 때 overall voltage gain의 최대값, 3dB bandwidth, unity...2025.01.22
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Differential Amp 입력단을 포함한 다단 증폭기 설계 프로젝트2025.01.281. Differential Amp 입력단 Differential Amp 입력단은 두 개의 입력 신호를 받아 그 차이를 증폭하는 회로입니다. 이 회로는 공통 모드 잡음을 제거하고 높은 입력 임피던스를 제공하는 장점이 있습니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 2. 다단 증폭기 설계 다단 증폭기는 여러 개의 증폭 단계를 가진 회로입니다. 이 프로젝트에서는 Differential Amp 입력단을 포함한 2단 이상의 증폭기를 설계하는 것이 목표입니다. 증폭기...2025.01.28
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RC 및 RL 직렬회로 특성 실험2025.11.111. RC 직렬회로 RC 직렬회로는 저항 R1과 커패시터 C1이 직렬연결되고 교류전원이 인가된 회로입니다. 커패시터에서는 전류의 위상이 전압보다 90도 앞서고, 저항에서는 전류와 전압의 위상이 같습니다. 직렬회로이므로 같은 전류가 흐르며, 위상차는 전압으로 나타납니다. 저항에 걸리는 전압이 커패시터에 걸리는 전압보다 90도 앞섭니다. 임피던스 Z는 저항과 리액턴스를 포함한 회로 전체 저항을 나타내며, Z = √(R² + Xc²) 형태로 표현됩니다. 2. RL 직렬회로 RL 직렬회로는 저항 R1과 인덕터 L1이 직렬연결되고 교류전원이...2025.11.11
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RC회로의 시정수 측정회로 및 방법 설계2025.11.151. RC회로 시정수(Time Constant) RC회로의 시정수는 τ = RC로 정의되며, 커패시터의 충방전 시간을 결정하는 중요한 파라미터이다. 본 실험에서는 DMM의 내부저항(10.492MΩ)과 커패시터(2.23μF)를 이용하여 시정수를 측정했으며, 이론값 23.397s와 실험값 22.17s의 오차는 -0.052%로 매우 정확했다. 또한 설계된 회로에서 τ=10μs를 목표로 저항 875.656Ω과 커패시터 11.42nF를 사용하여 실험값 9.6μs를 얻었고 오차는 -0.04%였다. 2. DMM(Digital Multimeter...2025.11.15
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커패시터 및 인덕터의 교류 회로 특성 실험2025.11.141. 커패시터(Capacitor)의 특성 커패시터에 교류 전류가 흐를 때 용량 리액턴스(Xc = 1/ωC)가 발생하며, 전압과 전류 사이에 90도의 위상차가 생긴다. 전압이 전류보다 90도 지연되는 특성을 보이며, 높은 주파수의 교류 전류는 통과시키고 낮은 주파수나 직류는 차단한다. 실험에서 식 C = I/(Vc·ω)를 이용하여 커패시턴스를 측정하였고, 오실로스코프로 peak-to-peak 전압을 측정하여 계산하였다. 2. 인덕터(Inductor)의 특성 인덕터에 교류 전류가 흐를 때 유도 리액턴스(XL = ωL)가 발생하며, 전압...2025.11.14
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공통 이미터 증폭기 설계 및 시뮬레이션2025.11.141. 공통 이미터 증폭기 (Common Emitter Amplifier) BJT는 베이스, 컬렉터, 에미터 3개 단자를 가지며, 4단자망 증폭기로 사용하기 위해 한 단자를 공통으로 사용한다. 공통 이미터 구성에서는 입력이 베이스로, 출력이 컬렉터로 나온다. 이 구조는 중간 정도의 입력저항, 큰 전압이득, 큰 전류이득을 가지며 주로 중간 증폭 단으로 사용된다. Small signal model로 표현 가능하며, 전압이득은 Rc 값에 따라 변한다. 2. 전압이득 및 임피던스 특성 공통 이미터 증폭기의 전압이득은 Rc와 RL 값에 따라 ...2025.11.14
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단순 교류 회로 실험2025.01.031. 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성 이 실험에서는 교류 입력 신호에 대한 전압 분배 특성을 부하를 걸었을 때와 걸지 않았을 때 각각 검사하여 비교합니다. 또한 교류 신호에 대한 저항 회로에서 옴의 법칙과 키르히호프 법칙의 유효성을 확인합니다. 2. 교류 신호와 커패시터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 커패시터 사이의 관계를 확인합니다. 커패시터 양단의 전압과 커패시터를 통해 흐르는 전류 사이의 관계도 함께 살펴봅니다. 3. 교류 신호와 인덕터의 관계 이 실험에서는 교류 신호와 인덕터 사이의 관계를 이해합니다. 인덕터 양단...2025.01.03
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RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답 실험2025.11.151. RLC 직렬회로의 과도응답 RLC 직렬회로에서 저항, 인덕터, 커패시터의 값에 따라 부족감쇠, 과감쇠, 임계감쇠 응답이 발생한다. 공진주파수 ω₀ = 1/√(LC), 감쇠상수 α = R/2L, 진동주파수 ωd = √(ω₀² - α²)의 공식을 사용하여 회로의 특성을 분석한다. R=500Ω, L=10mH, C=0.01㎌인 경우 부족감쇠 응답이 발생하며, R=4kΩ인 경우 과감쇠 응답이 발생한다. 2. 임계감쇠 조건 및 측정 임계감쇠는 α = ω₀인 상황으로, R/2L = 1/√(LC)일 때 발생한다. L=10mH, C=0.01㎌...2025.11.15
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