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RTA 온도변화에 따른 CZTSSe 태양전지의 성능 평가2025.01.031. CZTSSe 태양전지 CZTSSe 태양전지는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S), 셀레늄(Se)으로 구성된 직접 천이형 밴드갭 에너지를 가지며 높은 광 흡수계수를 가지고 있다. CZTSSe 태양전지는 두 가지 결정 구조인 Kesterite와 Stannite 구조를 가지며, Kesterite 구조가 열역학적으로 더 안정하다. CZTSSe 태양전지의 성능은 효율, 충진율, 단락전류, 개방전압, 직렬저항, 병렬저항 등으로 평가할 수 있다. 2. Sputtering Sputtering은 물리기상증착(PVD) 방법 중 ...2025.01.03
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A+ 무기화학실험 보고서-Synthesis Methylammonium Bromide and Crystallization of Methylammonuim Lead Bromide perovskite 실험(메틸암모늄 브로마이드 합성과 페로브스카이트의 결정화)2025.01.101. Methylammonium Bromide 합성 Methylamine과 HBr을 반응시켜 Methylammonium Bromide(MABr)를 합성하는 실험을 수행하였다. 실험 과정에서 온도 조절이 중요하며, 감압 여과와 건조 과정을 거쳐 최종 생성물을 얻었다. XRD 분석을 통해 생성물의 결정 구조를 확인하였다. 2. Methylammonium Lead Bromide 페로브스카이트 결정 생성 MABr와 PbBr2를 DMF 용매에 녹여 Methylammonium Lead Bromide(MAPbBr3) 페로브스카이트 결정을 생성하...2025.01.10
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P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서2025.05.021. 금속 산화물 반도체 실험에서는 금속 산화물 반도체 중 하나인 SnO2 나노선을 VLS 방법으로 성장시켰다. SnO2는 가스 센서용 금속 산화물 중 상업적으로 가장 많이 사용되는데, 다른 물질에 비해 소결이 잘되지 않아 고온에서도 입계 성장이 거의 일어나지 않아 수명이 길고 신뢰성이 높다. 2. SnO2 나노선의 가스 센서 특성 실험에서는 n-type SnO2 나노선의 산화성 가스 NO2에 대한 가스 센서 특성을 측정하였다. 이후 센서 특성 향상을 위해 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험을 진행하였다. 3. P-...2025.05.02
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AMOLED 소자 및 공정실험 캡스톤 디자인2025.05.121. 진공의 기본적 이론 진공이란 물질이 전혀 존재하지 않는 공간을 의미하지만, 실제로는 이렇게 만들기가 어렵기 때문에 1/1000㎜Hg 정도 이하의 저압을 가리킨다. 진공단위에서는 토르(Torr)가 많이 쓰인다. 진공의 필요성으로는 극 청정의 환경제공, 압력차에 의한 힘의 발생, 입자의 장거리 이동가능, 안정된 플라즈마 유지, 증발 및 승화작용, 생화학 반응 억제, 단열효과 등이 있다. 2. OLED 구조 OLED (Organic Light Emitting Diode)는 양극과 음극 사이에 기능성 박막 형태의 유기물층이 삽입된 구...2025.05.12
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photolithography 및 etching 공정 레포트2025.01.241. 반도체 공정 이 보고서는 반도체 제조 공정에 대해 자세히 조사하여 반도체 공정에 관한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 반도체의 정의와 특성, 반도체 8대 공정(웨이퍼 준비, 산화, 증착, 포토리소그래피, 식각, 금속화, 전기적 테스트, 패키징)에 대한 설명과 실험 과정 및 결과 분석이 포함되어 있습니다. 2. 포토리소그래피 포토리소그래피 공정은 PR(포토레지스트)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 원하는 패턴의 마스크를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 마스크의 패턴...2025.01.24
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단위조작실험 A+ 레포트 스핀코팅2025.01.271. 스핀 코팅 스핀 코팅은 얇고 균일한 층을 제작하기 위해 주로 반도체 공정에서 널리 사용되는 기법입니다. 유체를 기판 위에 올려놓고 고속으로 회전시킬 때 발생하는 원심력을 이용해 유체가 넓게 퍼지도록 코팅하므로 크게 3가지 과정인 물질 도포, 회전, 경화를 거쳐 진행할 수 있습니다. 스핀 코팅 공정에서는 유체 동역학 식인 '스핀 코팅 모델'을 이용하여 분당 회전 속도, 회전 시간, 코팅제의 점도, 코팅제의 밀도, 용매의 종류 등과 같은 변수를 고려해야 합니다. 2. 코팅 두께 이론 값 코팅 두께는 코팅액의 점도에 비례하고, 코팅...2025.01.27
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반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
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[분석화학실험]FT-IR 분광법을 이용한 고체시료의 특성분석2025.04.281. FT-IR 분광법 FT-IR 분광법은 적외선 흡수 분광법의 일종으로, 물질의 적외선 흡수 특성을 측정하여 분석에 활용하는 기술입니다. 이 방법을 통해 물질의 구조, 전하농도, 박막층 두께 등의 특성을 조사할 수 있습니다. 적외선 영역은 파수로 12,800~10㎝^{-1}(파장 0.78~1,000㎛)이며, 이 중 2.5~25㎛(4000~400㎝^{-1}) 영역이 분석에 가장 많이 사용됩니다. 시료에 적외선을 쬐면 분자의 진동 중 쌍극자 모멘트 변화를 일으키는 진동만 IR 흡수 피크를 나타내며, 이 피크의 모양과 투광도를 측정하여...2025.04.28
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AMOLED Tooling Process & 막 두께 측정 report (A+)2025.05.121. 진공 (Vacuum) 진공은 밀폐된 공간에서 주변의 압력보다 낮은 압력으로 유지되는 상태를 말한다. 진공 조건의 장점으로는 깨끗한 환경 조성, 낮은 분자 밀도, 분자 간 충돌 거리 확장, 반응 속도 가속화, 힘 가하기 등이 있다. 이번 실험에서 사용한 진공 챔버의 진공 범위는 10^-6 ~ 10^-7 Torr 정도이다. 2. Compressibility factor Compressibility factor는 실제 기체의 상태 방정식을 나타내는 계수로, 압력, 기체 밀도, 기체 상수, 몰질량, 절대온도 등의 관계를 나타낸다. 이...2025.05.12
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Photolithography 결과보고서2025.05.051. Photolithography 이번 실험은 Photolithography을 통해 baking, Alignment, Exposure와 같은 개념을 알아보고 반도체 8대 공정을 이해하는 실험이었습니다. 실험을 하는 과정에서 기판을 세척하여 이물질을 제거해주는 것이 실험 결과에 지대한 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었으며, 스핀코터의 Rpm조건에 따라 기판에 새겨지는 마크의 차이점을 이해할 수 있었습니다. 이번 실험을 통해 PR에 빛을 비추어 패턴을 형성하는 과정인 Exposure(노광)에도 여러 가지 종류가 있다는 것을 학습할...2025.05.05
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