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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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옴의 법칙과 키르히호프의 법칙 실험 결과보고서2025.11.121. 옴의 법칙(Ohm's Law) 옴의 법칙은 J=cE로 표현되며, 길이 l, 단면적 A인 도선에서 전류 I가 흐를 때 I=V/R 또는 V=IR로 나타낼 수 있다. 이 법칙에 따르면 도선 내의 전류는 저항에 반비례하는 관계(I∝1/R)를 가진다. 실험에서 x축을 1/R로 설정한 그래프는 양의 기울기를 가진 직선을 나타내며, x값이 증가할수록 y값(전류)도 계속 증가함을 확인할 수 있다. 이는 전류와 저항의 반비례 관계를 실험적으로 입증한다. 2. 전위차와 저항의 관계 옴의 법칙에서 전위차는 V=RI로 표현되며, 실험 그래프의 기울...2025.11.12
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RLC 병렬회로 특성 분석 및 공진 실험2025.11.181. RLC 병렬회로 전달함수 RLC 병렬회로에서 입력전류에 대한 출력전압의 비율을 나타내는 전달함수는 임피던스 Z(jω)로 표현된다. 진폭응답특성 |H(jω)|와 위상응답 φ(ω)는 저항, 인덕턴스, 커패시턴스의 값에 따라 결정되며, 페이저 해석을 통해 구할 수 있다. 이는 2계 회로의 기초적인 특성을 이해하는 데 중요한 개념이다. 2. 공진 특성 및 공진주파수 RLC 병렬회로의 공진은 허수항이 0이 되어 임피던스가 최대가 되는 현상이다. 공진주파수 ω₀ = 1/√(LC)에서 출력전압이 최대가 되며, 이때 입력전류는 저항에만 흐르...2025.11.18
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TTL 논리 회로 설계 및 구현 실험2025.11.161. TTL 및 CMOS 디지털 로직 TTL(Transistor-Transistor Logic)과 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)의 입출력 전압 및 전류 특성을 비교 분석했다. TTL은 Low Level 0~0.8V, High Level 2V~전원전압으로 인식하며, CMOS는 전원전압에 따라 달라진다. TTL의 입출력 전류는 μA~mA 범위이고, CMOS는 입력핀에 거의 전류가 흐르지 않는 특징이 있다. 팬아웃(Fan-out)은 출력단에서 구동할 수 있는 최대 입력 수를 나타내며, ...2025.11.16
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JFET 특성 및 바이어스 회로 실험2025.11.161. JFET 포화전류 및 핀치오프 전압 JFET의 기본 특성을 측정하는 실험으로, 포화전류(IDSS)는 9mA, 핀치오프 전압(VP)은 -4V로 측정되었다. VGS가 -3.5V 이상일 때 핀치오프 상태가 발생하며, 이 상태에서는 드레인 전류(ID)가 0에 가까워진다. 핀치오프는 게이트-소스 간 역방향 바이어스가 증가하면서 채널이 차단되는 현상이다. 2. JFET 전달특성 및 출력특성 VGS 값의 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 전달특성과 VDS 변화에 따른 ID의 변화를 측정한 출력특성을 분석했다. VGS=0V일 때 ID는 최대...2025.11.16
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옴의 법칙 실험 결과보고서2025.11.161. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압(V), 전류(I), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 기본 전기 법칙으로, V=IR의 수식으로 표현된다. 이 실험을 통해 회로에서 전압과 전류의 관계를 측정하고 옴의 법칙을 실증적으로 확인할 수 있다. 전류는 저항에 직렬로 연결된 DMM으로 측정하고, 전압은 저항에 병렬로 연결된 DMM으로 측정하여 옴의 법칙의 타당성을 검증한다. 2. 전류 측정 전류 측정은 실험 과정 3에서 수행되었으며, DMM(디지털 멀티미터)을 저항에 직렬로 연결하여 회로에 흐르는 전류값을 측정했다. 직렬 연결을 통해 회로의 ...2025.11.16
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전기회로실험및설계 8주차 예비보고서2025.11.131. 전기회로실험 홍익대학교 전기회로실험및설계 과목의 8주차 학습 내용으로, 전기회로의 기본 원리와 실험 방법을 다루는 과정입니다. 학생들은 회로 구성, 측정 방법, 데이터 분석 등을 통해 이론적 지식을 실제 실험으로 검증하고 응용하는 능력을 배양합니다. 2. 예비보고서 작성 실험 수행 전에 작성하는 문서로, 실험의 목적, 이론적 배경, 실험 방법, 예상 결과 등을 미리 정리하는 과정입니다. 체계적인 예비보고서 작성은 실험의 효율성을 높이고 안전성을 확보하며 학습 효과를 극대화합니다. 3. 회로설계 전기회로의 설계 과정으로, 주어진...2025.11.13
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화학전지와 전기분해2025.01.051. 화학전지 화학전지는 산화-환원 반응을 이용하여 전기 에너지를 생산하는 장치입니다. 전지의 두 전극에서 일어나는 산화와 환원 반응으로 인해 전자가 흐르게 되며, 이때 발생하는 전위차가 전지의 기전력이 됩니다. 염다리는 두 전극 용액 사이의 전위차를 줄이고 전기적 중성을 유지하는 역할을 합니다. 전지의 전압은 두 전극의 표준 환원 전위 차이로 계산할 수 있으며, 실제 측정값과 차이가 나는 이유는 실험 조건의 영향 때문입니다. 2. 전기분해 전기분해는 전기 에너지를 이용하여 화학 반응을 일으키는 과정입니다. 황산아연 용액에 철판을 ...2025.01.05
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BJT 고정 및 전압분배기 바이어스 실험2025.11.181. BJT의 동작점(Q-point)과 동작 영역 BJT는 cutoff, saturation, active 세 영역에서 동작합니다. Cutoff 영역에서는 거의 개방회로로 작동하며, saturation 영역은 비선형적으로 증가하는 영역입니다. Active 영역은 선형적 영역으로 증폭기로 사용됩니다. 동작점(Q-point)은 트랜지스터의 물리적 특성인 I-V 곡선과 외부 회로의 load line의 교점으로 결정되며, 트랜지스터의 물리적 특성과 외부 연결 회로에 의해 결정됩니다. 2. 고정 바이어스 회로의 특성과 열 폭주 고정 바이어스...2025.11.18
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공통 에미터 트랜지스터 증폭기 실험2025.11.161. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기 공통 에미터 증폭기는 베이스로 공급된 입력신호에 따라 베이스와 에미터 사이의 전류가 증가하고, 콜렉터와 에미터의 전압이 증가하면서 콜렉터 전류가 증가되어 전압이득이 발생한다. 실험에서 Av가 275배 증가하여 입력 신호와 출력 신호의 크기가 100배 이상 증폭되는 것을 확인했다. 공통 에미터 트랜지스터 증폭기는 낮은 출력 임피던스를 가져 증폭된 출력 신호가 다른 회로로 전달될 때 손실이 적고 전력 손실이 적다는 장점이 있다. 2. 전압 분배기 바이어스 공통 에미터 회로의 직류값 측정에서 2N390...2025.11.16
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